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SK Hynix a mis à jour en début de mois son catalogue de mémoire , avec quelques informations concernant la HBM2 et la GDDR6. Comme lors de la mise à jour de janvier la HBM2 n'est plus annoncée qu'en version 1,6 Gbps soit 204,8 Go /s par module de 4 Go 1024-bit. A l'époque la disponibilité était annoncée pour le premier trimestre, il est désormais fait mention de ce second trimestre, ce qui n'a peut-être pas aidé le calendrier du lancement de Vega. Rappelons qu'en juillet dernier, SK Hynix prévoyait une disponibilité de sa HBM2 pour le troisième trimestre 2016 !

La GDDR6 annoncée il y a peu par le constructeur est présente, mais alors que le communiqué d'avril faisait état d'un débit de 16 Gbps il n'est cette-fois question que de versions 14 et 12 Gbps. La tension est de 1,35V, comme les GDDR5 jusqu'à 6 Gbps alors que celles allant jusqu'à 8 sont à 1,55V chez les constructeur. La disponibilité de ces puces 1 Go 32-bit est annoncée pour fin 2017. En avril SK Hynix précisait que sa GDDR6 16 Gbps serait produite pour un lancement de GPU prévu début 2018.

La bande passante finale dépend bien entendu du nombre de puces utilisés. En HBM2, si on utilise 2 modules comme sur Vega on atteint 409,6 Go/s, le double si on peut se permettre comme sur un GV100 d'aller jusqu'à 4 modules. En GDDR6 14 Gbps, avec un bus 256-bit et 8 puces on atteint 448 Go/s, et 672 Go/s avec 12 puces en 384-bit. La bande passante n'est bien entendu pas le seul critère à prendre en compte puisqu'au-delà de son encombrement réduit la HBM est censée être moins énergivore à même débit.

Enfin la GDDR5 ne semble pas avoir dit son dernier mot chez SK Hynix des puces 9 et 10 Gbps sont annoncés dans ce catalogue pour le quatrième trimestre. On reste toutefois sous la vitesse de la GDDR5X Micron utilisée sur les GTX 1080 Ti et certaines GTX 1080 qui est à 11 Gbps.

SK Hynix est le premier à annoncer sa GDDR6, alors même que le standard n'a pas encore été annoncé par le JEDEC. Gravée en 2x nm (sans plus de précision) et d'une capacité de 1 Go par puce, elle offre un débit de 16 Gbps. Interfacée en 384-bit, elle offre ainsi un débit de 768 Go/s soit 45% de mieux que la GDDR5X qui plafonne à l'heure actuelle à 11 Gbps.

SK Hynix précise qu'il a collaboré avec un fabricant de GPU sur cette puce qui sera produite en volume pour un lancement de GPU prévu pour début 2018. S'agit-il d'une déclinaison de Nvidia Volta avec un bus 384-bit habituel ces derniers temps chez Nvidia ou d'une d'AMD Navi, Hynix ayant déjà collaboré avec AMD par le passé pour la mise au point de la HBM ? L'avenir nous le dira !

A l'occasion de la présentation  de ses résultats financiers, SK Hynix a réaffirmé sa volonté de voir 2017 comme l'année de la DRAM en 1x nm et de la NAND 3D 72 couches.

Il y a un peu plus de 5 ans, SK Hynix évoquait déjà sa "Middle-1x nm", qui supposait le passage à une gravure inférieure à 20 nm dès 2012 pour sa mémoire volatile. Nous sommes en 2017, et le coréen confirme : ça arrive !

Désormais nommée "1x nm", cette finesse de gravure (en réalité sans doute du 18 nm) sera, selon SK Hynix, prête à être utilisée dans ses usines dès la seconde partie de cette année, pour le lancement d'une production en masse. Pour rappel, Samsung grave déjà de la DRAM en 1x nm depuis avril dernier.

Parallèlement à la DRAM, SK Hynix a également évoqué la NAND 3D. Il prévoit de donner rapidement un successeur à son procédé 48 couches éprouvé depuis l'an dernier. La NAND 3D-V4 à 72 couches devrait ainsi faire son apparition cette année, via des modules de 256 Gb en TLC, tout d'abord, avant d'attaquer une déclinaison 512 Gb (toujours en TLC) en fin d'année. De quoi accroître la capacité des SSD actuels, même quand ces derniers sont contraints par un format de petite taille (M.2).

SK Hynix a enfin confirmé l'information selon laquelle il allait consacrer un second étage de son usine M14 pour produire davantage de NAND 3D, en réponse à la demande croissante du marché concernant ce type de mémoire et à la pénurie actuelle en la matière.

Dans la dernière version en date de son catalogue  dédié aux puces mémoire, SK Hynix promet l'arrivée d'un module HBM2 de 4 Go pour le trimestre en cours. Problème : nous avions fait le même constat en juillet dernier, en nous appuyant sur la même source...

On peut dès lors se poser la question suivante : SK Hynix aurait-il quelques difficultés à produire la mémoire destinée au futur Vega 10 d'AMD, notamment ?

D'autant qu'un élément interpelle lorsqu'on compare les deux catalogues (celui de juillet et celui de janvier) : la disparition pure et simple de la mémoire à 2 Gbps. Cette dernière n'apparaît en effet plus dans le listing de janvier, ce dernier ne comportant que de la HBM2 à 1,6 Gbps.

Ce module HBM2 n'atteint donc pas le maximum de 256 Go/s autorisé par la norme JEDEC. Deux de ces modules HBM2 atteindraient ainsi une bande passante de 409,6 Go/s, contre 512 Go/s pour les 4 HBM1 qu'utilisait AMD sur Fiji.

Comme nous l'évoquions récemment, Toshiba est bel et bien à la recherche d'un investisseur capable de prendre une participation à hauteur de 20 à 30% dans une nouvelle entité consacrée à son activité autour des semi-conducteurs.

Le constructeur japonais l'a confirmé ce matin lors d'une conférence de presse au cours de laquelle le PDG du groupe, Satoshi Tsunakawa, a indiqué vouloir "donner plus de force à cette activité clé".

Toshiba ne semble en effet plus avoir les moyens d'assurer seul le développement dans ce domaine où les investissements nécessaires sont d'importance, à l'heure de la NAND 3D, d'une concurrence accrue sur ce secteur et d'une demande de plus en plus importante.

Après le scandale financier qui a secoué le groupe en 2015 et un coûteux investissement dans le secteur du nucléaire américain, Toshiba n'est plus en odeur de sainteté auprès des agences de notations, et peine à obtenir de l'argent frais pour financer son activité. Toshiba va donc chercher les fonds ailleurs.

Le directeur général adjoint chargé du marché "stockage de données" a ainsi précisé "étudier les offres". Pour l'heure, le quotidien Nikkei croît savoir que quatre fonds d'investissement prépareraient les leurs : les américains Silver Lake, Bain Capital, Kohlberg Kravis Roberts (KKR), ainsi que le britannique Permira.

Toujours d'après le journal, Canon et Micron seraient aussi intéressés, tandis que Western Digital, partenaire industriel de Toshiba depuis le rachat de SanDisk, semble être un candidat naturel. Sans compter la piste qui mène à SK Hynix...

Une assemblée générale d'actionnaires se tiendra en mars pour se prononcer sur le sujet. Elle devra faire vite : Toshiba espère obtenir cet argent avant la clôture de son exercice, fin mars.