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Samsung lance officiellement son Samsung 850 EVO, testé entre autre par nos confrères d'AnandTech . Pour rappel ce SSD attendu depuis quelques mois déjà utilise à l'instar du 850 PRO de la mémoire Flash V-NAND 32 couches, mais cette fois non plus en mode MLC (2 bits par cellule via 4 niveaux de tension) mais TLC (3 bits par cellule via 8 niveaux de tension).

Le Samsung 850 EVO est décliné en versions 120, 250, 500 Go et 1 To. Dans tous les cas on trouve au sein du SSD des puces intégrant 8 die de 128 Gbit, avec au total une à huit puces selon la capacité. La DRAM, de type LPDDR2, varie entre 256 et 1 Go selon le modèle alors que seule la version 1 To dispose d'un contrôleur 3 coeurs, les versions inférieures utilisant un contrôleur à deux coeurs.

Du côté des performances annoncées on est au limite du SATA 6 Gb/s avec 540 Mo /s en lecture et 520 Mo /s en écriture. Attention toutefois ce débit en écriture est obtenu en partie grâce au cache TurboWrite qui utilise selon la version 9 à 36 Go de mémoire TLC pour disposer de 3 à 12 Go de mémoire SLC très rapide. Une fois ce cache rempli, le débit en écriture est de 150, 300, 500 et 520 Mo /s sur les versions 120, 250, 500 et 1 To.

En lecture 4K aléatoire le Samsung 850 EVO est à 10K IOPS en QD1 et 94 à 98K IOPS selon la capacité en QD32, en écriture on obtient 40K IOPS en QD1 dans le cache TurboWrite, 33K IOPS hors TurboWrite. En QD32 on est à 88 à 90K IOPS dans le cache TurboWrite, mais on retombe à 35K et 66K IOPS sur les versions 120 et 250 Go alors que les SSD 500 Go et 1 To seraient capable de maintenir le même niveau de performances.

Au-delà des performances c'est bien entendu de l'endurance qu'on attendait la V-NAND TLC et de ce côté on n'est pas déçu puisque les Samsung 850 EVO sont garantis 5 ans avec des endurances respectives annoncées à 75 To pour les versions 120 et 250 Go et 150 To pour les versions 500 Go et 1 To.

Comme d'habitude il ne s'agit ici que d'un chiffre pessimiste avec une amplification en écriture élevée, et les données SMART relevées lors des tests par AnandTech montrent que Samsung a validé les cellules pour 2000 cycles d'écritures (de quoi atteindre 2000 To sur la version 1 To donc en conditions optimales !), soit le double de celles d'un Samsung 840 EVO. Un Samsung 850 Pro est pour sa part annoncé à 150 To quelle que soit sa capacité, avec une endurance à 6000 cycles d'après son réglage SMART contre 3000 pour un Samsung 840 Pro.

La V-NAND TLC ne semble donc pas avoir à rougir devant la MLC que ce soit du côté des performances comme de l'endurance, avec un gros avantage qui est celui de la densité puisque Samsung annonce l'avoir doublé par rapport à de la mémoire TLC 19nm classique. Attention cela ne veux pas dire que le coût de production est inférieur, la V-NAND étant probablement nettement plus chère à produire à densité égale... mais de ce côté nous n'en sauront pas plus.

Finalement la seule déception se situe côté tarif, puisque les prix annoncés outre-Atlantique sont les suivant :

• 100$ en version 120 Go
• 150$ en version 250 Go
• 270$ en version 500 Go
• 500$ en version 1 To

Si les 20% de plus par rapport aux Samsung 840 EVO sont justifiés, le problème c'est que Samsung n'est pas seul au monde... et que le 840 EVO n'était pas très bien placé face au Crucial MX100 qui est encore moins cher. Le 850 EVO aura pour lui la garantie de 5 ans et une endurance officielle accrue sur la version 500 Go (le MX100 n'existe pas en 1 To, il est annoncé à 72 To d'endurance quelle que soit la capacité alors qu'elle est logiquement 4 fois supérieure en passant de 128 à 512 Go), mais est-ce suffisant ? Quoi qu'il en soit nous verrons bien quels seront les prix réellement pratiqués lorsque les 850 EVO arriveront sur les étalages, ce qui devrait arriver dans les prochaines semaines.