Actualités informatiques du 10-04-2013

Selon Nordic Hardware , OCZ devrait lancer un Vertex 5 avant la fin de son trimestre fiscal en cours, c'est-à-dire avant fin mai.

Les détails concernant cette déclinaison sont encore peu nombreux, il devrait a priori s'agir d'une combinaison d'une légère évolution du Barefoot 3 utilisé dans l'OCZ Vector avec de la Flash MLC 20nm ONFI fabriquée par IMFT. Ceci permettra de faire baisser le coût du SSD, reste à savoir quel sera l'impact sur les performances dans le cas où OCZ utiliserait des die 128 Gb avec des pages de 16 Ko comme c'est le cas pour le Crucial M500.

L'IDF de Pékin était aussi l'occasion pour Intel et ses partenaires d'évoquer les futurs standards mémoires DDR4 et LPDDR4. D'abord côté Intel ou l'on pouvait trouver ce slide qui compare les différentes versions de DDR :

Par rapport à la présentation que nous avions faite précédemment, on peut noter quelques petits changements. Notamment la mention des modes 3200 MT/s qui n'étaient que très peu évoquées dans la spécification originelle de la DDR4. Intel évoque ainsi des latences qui pourront atteindre 24 cycles. Pour le reste il s'agit des informations dont nous disposions déjà, pour rappel un des intérêts techniques principaux de la DDR4 tient dans l'organisation de l'adressage mémoire sous forme de groupes capables d'exécuter des instructions de manière indépendante.

La LPDDR4 est également évoquée dans une présentation donnée par la société Hynix. Encore au rang de pré-standard pour le JEDEC, Hynix indique que la version finale devrait être ratifiée d'ici à la fin de l'année. Notez que si les noms se ressemblent, les standards LP ne sont pas identiques aux standards DDR classiques, à l'image de ce que l'on connait bien avec la GDDR par exemple. Les choix techniques effectués peuvent différer, l'objectif des standards LP étant de minimiser au maximum la consommation.


Comme toujours augmenter la bande passante est l'objectif, elle est doublée par rapport à la LPDDR3. On notera d'ailleurs sur ce graphique l'arrivée attendue d'un autre standard, Wide I/O 2. Un premier standard Wide I/O avait en effet été publié par le JEDEC fin 2011, il vise a standardiser la pratique dite du die stacking de mémoire, à savoir superposer des dies de mémoires par-dessus un SoC, le tout étant relié par le biais de TSV. La première version de Wide I/O avait avant tout pour but de régler les problèmes techniques autour de la solution et est relativement conservatrice en termes de débits, pouvant atteindre 17 Go/s (via une généreuse interface 512 bits !). La seconde version, attendue pour 2015 (le standard est encore loin d'être finalisé), visera des débits significativement plus élevés, pouvant atteindre 51 Go/s.


En ce qui concerne la LPDDR4, on notera au niveau des détails que la tension de base baisse de 1.2 à 1.1V par rapport à la LPDDR3, et une tension de terminaison qui est divisée par 3 (de 1.2V à 0.4V). Une réduction du routage fait également partie des objectifs attendus, ce qui devrait avoir pour conséquence un changement assez drastique dans le packaging.


Pour le reste, Hynix nous parait particulièrement optimiste en indiquant que la LPDDR4 sera disponible pour la mi-2014. Il faudra voir si cet enthousiasme sera partagé par le reste de l'industrie !

Intel tient en ce moment à Pékin l'édition chinoise 2013 de son forum dédié aux développeurs. L'occasion de voir apparaitre quelques petits détails au milieu des présentations. Le premier concerne les plateformes Ultrabook Haswell. Si jusqu'ici les plateformes Intel supportaient dans leur contrôleur mémoire à la fois la DDR3 et la DDR3L (basse tension), Intel avait annoncé l'ajout du support d'un autre type de mémoire, la LPDDR3.

Standardisé en 2012 par le JEDEC, la LPDDR3 (Low Power DDR3) est un standard mémoire dédié aux plateformes mobiles. La version précédente du standard, la LPDDR2 est utilisée principalement dans les smartphones et les tablettes. L'avantage de ces mémoires tient dans leur très faible encombrement et dans leur consommation réduite, particulièrement au repos ou elle est estimée 4x inférieure à celle de la DDR3L.


Assez peu répandue jusqu'ici, la LPDDR3 est bien entendue plus onéreuse, des estimations d'Intel deux fois plus chères actuellement que la DDR3L. Un surcout qui, selon leurs estimations devrait s'amenuiser d'ici le quatrième trimestre 2014 ou ils estiment qu'un module de LPDDR3, actuellement annoncé autour des 40 dollars devrait voir son prix divisé par deux. Le constructeur suggère donc de réserver son utilisation dans un premier temps dans les Ultrabooks "Premium".

Pendant longtemps, Prolimatech était l'un des rares à offrir un radiateur performant pour les boitiers très compact avec le Samuel 17. Toujours dans cette optique le fabricant prévoit de lancer un ventirad "tour" de seulement 70mm de hauteur.

6 caloducs de 6mm de diamètre sont utilisés, la ventilation étant prise en charge par 2 ventilateurs 60mm. Reste à savoir quand il sera disponible et à quel prix !

Hitachi Storage (HGST, filiale de WD) avait déjà parlé de l'interface SAS 12 Gb /s en mai 2012. Cette évolution de l'interface SAS a pour intérêt de doubler le débit par rapport au SAS ou SATA 6 Gb /s, passant ainsi à 1,2 Go /s utiles (du fait du codage 8b10b). Il faut noter qu'un tel débit était déjà atteignable en SAS 6 Gb /s en couplant deux ports comme l'avait fait Toshiba en août dernier. En couplant deux ports il sera donc cette fois possible d'atteindre le SATA 24 Gb /s soit 2,4 Go /s utiles par disque !

Trois gammes de SSD destinés aux entreprises utilisant l'interface SAS 12 Gb /s et de la MLC Intel sont lancées par Hitachi GST. Le SSD800MH sera disponible en capacités 200, 400 et 800 Go. Il peut atteindre les 1,2 Go /s et 750 Mo /s en lecture et écriture séquentielle 64K, pour 145K et 100K IOPS en lecture et écriture aléatoire 4K. Hitachi GST annonce une endurance permettant 25 écritures complètes par jour pendant 5 ans, soit 36,5 Po pour la version 800 Go.

Le SSD800MM sera disponible dans les mêmes capacités mais est légèrement moins rapide avec dans le même ordre 1,15 Go /s, 700 Mo /s, 145K et 70K IOPS. Son endurance est également moindre avec 10 écritures complètes par jour pendant 5 ans.

Enfin le SSD1000MR utilise moins de réserve de Flash et les capacités utilisables sont donc de 250, 500 et 1000 Go. Ses performances sont de 1,2 Go /s, 700 Mo /s, 145K IOPS et 20K IOPS, le niveau de performance ne pouvant être maintenu au même niveau que les autres sans TRIM et sans réserve de Flash. Logiquement l'endurance s'en ressent aussi et Hitachi GST ne garantit "que" 2 écritures complètes journalières pendant 5 ans.

La consommation de ces SSD est de l'ordre de 2 watts au repos et de 9 à 11 watts en charge selon la capacité. Au format 2.5", ils mesurent 15mm d'épaisseur et sont en cours de qualification auprès des OEM, leur disponibilité étant prévue pour juin.