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Toshiba vient d'annoncer une nouvelle référence de SSD, le TL100  destiné à l'entrée de gamme. Il vient prendre sa place en dessous des VX500 introduits au milieu du mois.

Le modèle de contrôleur utilisé est pour l'instant inconnu, Toshiba précisant simplement qu'il s'agit d'un modèle "Toshiba" et qu'il utilise sa propre mémoire flash NAND TLC. Côté débits séquentiels, on retrouve 550 Mo/s et 530 Mo/s annoncés en pointe, et des chiffres d'IOPS 4Ko aléatoires de respectivement 85k et 80k. Des chiffres particulièrement élevés puisque l'on est au dessus de ceux annoncés sur le VX500. On imagine facilement, entrée de gamme oblige, qu'ils ne sont pas soutenus et obtenus uniquement via des techniques types SLC caching.

Le TL100 sera disponible uniquement en versions 120 et 240 Go, accompagné d'une garantie de trois ans. Les prix et la disponibilité ne sont cependant pas annoncés !

Samsung vient d'annoncer  ses nouveaux SSD au format M.2 (2280), les 960 Pro et Evo. De nouvelles références qui viennent remplacer les 950 Pro et Evo lancés l'année dernière.

Ces SSD ont en commun une interface PCIe 3.0 sur quatre lignes et un nouveau contrôleur de Samsung, appelé Polaris. Il dispose de cinq coeurs et peut même embarquer la DRAM en mode PoP (la mémoire est superposée au contrôleur, permettant de gagner de la place sur le PCB). Il implémente notamment une nouvelle version de la technologie de cache SLC "TurboWrite" du constructeur.

On notera que Samsung a également vanté son nouvel autocollant qui intègre désormais une couche métallique de cuivre pour servir de "radiateur" et aider la dissipation !

Le 960 Pro embarque la "nouvelle" mémoire V-NAND de troisième génération... introduite l'année dernière (il faudra attendre l'année prochaine pour la Gen 4, annoncée cet été). Il s'agit de 3D NAND MLC 48 couches utilisant des dies de 32 Go.

Trois capacités sont annoncées, 512 Go, 1 To et 2 To avec des vitesses séquentielles de 3500 Mo/s en lecture et 2100 Mo/s en écriture. Côté aléatoire, sur des blocs de 4K en QD32 le modèle 512 Go atteint 330k IOPS en lecture et en écriture. Les deux autres modèles sont annoncés pour 440k en lecture et 360k en écriture.

Les prix annoncés en dollars sont de 329, 629 et 1299 pour les trois capacités, avec une garantie de 5 ans.

Les 960 Evo embarquent également de leur côté de la V-NAND troisième génération, mais cette fois ci il s'agit de 3D NAND TLC (toujours 48 couches/32 Go).

Trois capacités sont annoncées, 256 Go, 512 Go et 1 To. Les performances séquentielles sont de 3200 Mo/s en lecture. Pour ce modèle, Samsung annonce séparément les performances en écriture en mode TurboWrite (cache SLC) et en mode continu. On atteint 1500, 1800, et 1900 Mo/s lorsque l'on reste sur le cache SLC sur les trois capacités. Lorsque l'on sort du cache par contre, les performances en écriture descendent à 300, 600, et 1200 Mo/s en fonction là aussi de la capacité.

Du côté des opérations aléatoires, les modèles 256 et 512 Go sont annoncés pour 330k IOPS en lecture et écriture, et 380k/360k en lecture/écriture pour le modèle 1 To.

Les prix sont annoncés en dollars toujours, respectivement 129, 249 et 479 avec une garantie en baisse, seulement trois années comparé aux cinq proposés pour les 950 Evo. La disponibilité est annoncée pour le mois d'octobre pour toutes ces nouvelles références.

Toshiba vient d'annoncer un nouveau modèle de SSD, le VX500. Il vient remplacer le VT180, précédemment connu sous la référence Vertex 180 chez OCZ, sans pour autant viser le même niveau de performances.

Il s'agit d'un disque 2.5 pouces qui utilise un contrôleur Toshiba TC358790 (exit les Barefoot/Indilinx) couplé à de la mémoire NAND 15nm MLC, là aussi de chez Toshiba. Ces SSD sont disponibles en quatre capacités, 128, 256, 512 et 1024 Go, et l'on notera que seul le modèle 1 To voit son contrôleur épaulé de 256 Mo de RAM, les autres modèles en sont dépourvus.

Côté performances, Toshiba annonce des débits séquentiels de 550 Mo/s en lecture et 512 Mo/s en écriture pour les modèles 512/1024 Go. Sur ces mêmes modèles, la marque annonce 92k IOPS en lecture et 64k IOPS en écriture (65k pour le 1 To).

Nos confrères d'Anandtech  ont eu l'occasion de tester ces modèles et notent que Toshiba utilise la méthode "cache SLC". Cela permet d'augmenter les débits en pointe mais entraîne des baisses de performances lorsqu'il faut récupérer l'espace.

Côté prix, Toshiba annonce 64, 93, 153 et 337 dollars respectivement pour ses modèles qui sont accompagnés d'une licence d'Acronis True Image, des prix qui le rapprochent d'un Samsung 850 EVO, utilisant certes de la 3D NAND mais dont les performances sont supérieures.

MAJ : Nous avons ajouté les performances, Intel ayant mis a jour son site.

Après les P3320 lancés en avril dernier, Intel élargit sa gamme de SSD basés sur des puces NAND 3D en lançant aujourd'hui plusieurs nouvelles références.

Côté client, le constructeur lance deux gammes de SSD NVMe au format M.2 (80mm), les 600p et Pro 6000p (que l'on avait croisés sur cette roadmap). Les deux gammes semblent identiques, Intel mettant simplement en avant la fonctionnalité d'effacement à distance de vPro sur la serie "Pro". Côté performances on atteint des débits en lecture/écriture séquentielle de 1.75 Go/s et 560 Mo/s pour le modèle 512 Go, et 128.5k et 128k IOPS en lecture/écriture aléatoire.

Caractéristiques annoncées par Intel pour les 600p et Pro 6000p

Ces SSD seront disponibles dans des capacités de 128 Go à 1 To. Côté prix, il faudra compter entre 69 et 359$ pour le 600p, et entre 79 et 364$ pour le Pro 6000p.

En parallèle, Intel lance également des modèles M.2 dédiés aux IoT. Les E 6000p seront disponibles en 128 et 256 Go pour le même prix que les versions clients, les caractéristiques sont identiques aux modèles ci dessus.

On notera enfin pour le marché serveur l'arrivée des DC P3520 qui viennent compléter les P3320. Côté performances on atteint 1.7 Go/s en lecture et 1.35 Go/s en écriture séquentielle. Pour les transferts aléatoires, Intel annonce 375k IOPS en lecture, et "seulement" 26k pour le modèle le plus haut de gamme. On retrouvait cette même différence pour rappel sur les P3320.

Caractéristiques annoncées par Intel pour les DC P3520

Les P3520 seront disponibles dans des capacités de 450 Go, 1.2 To et 2 To en 2.5 pouces et en carte PCI Express. Il faudra compter respectivement 294, 619 et 984$ pour les acquérir.

La société Taiwannaise VIA est également présente au Flash Memory Summit et y annonce sa seconde (!) génération de contrôleur pour SSD au format SATA III et NVMe.

Le VT6745 en PCIe

Deux puces sont annoncées, les VT6735 et VT6745, fonctionnant respectivement en SATA III et en PCIe Gen 3 x2 fabriqués en 40nm. Il s'agit de contrôleurs disposant de quatre canaux NAND auxquels on pourra adjoindre un cache DRAM en DDR3L ou LPDDR2/3 1066. Ces contrôleurs sont annoncés comme compatible avec des puces TLC et 3D NAND en provenance d'Intel, Micron, Toshiba, Hynix et Sandisk.

Le VT6735 en SATA III

VIA ne parle pas de performances, mais tente de se distinguer en mettant en avant sa technologie "Gear shift" qui permet de choisir dynamiquement entre divers mécanismes de correction d'erreur pour trouver le meilleur compromis entre intégrité des données et performance.

Une technologie originale qui ressemble fortement à "ShiftDesigner", une technologie présentée par PMC Sierra (une société rachetée par Microsemi en début d'année) l'année dernière durant le Flash Memory Summit 2015 et dont vous pouvez retrouver ci-dessous la présentation :

 

 

La ressemblance nous laisse supposer, même si cela n'est pas précisé, que l'implémentation utilisée par VIA est dérivée/sous licence de celle de PMC Sierra. Il faudra voir si la technologie suffira a convaincre les divers constructeurs de SSD à s'intéresser aux contrôleurs de VIA, qui rentre sur un marché assez compétitif !