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Toshiba est lui aussi présent au Flash Memory Summit et y va de ses annonces. Il y a quelques semaines, Toshiba annonçait l'échantillonnage des dies NAND 3D 32 Go en 64 couches, avec pour objectif de proposer des dies de 64 Go en 64 couches en 2017.

La firme japonaise confirme cet objectif et indique qu'elle proposera en 2017 des packages de 1 To en reliant 16 de ces dies via des TSV (quelque chose de similaire à l'annonce de Samsung). Toshiba s'attend à doubler la densité de ses dies fin 2018/courant 2019 avec pour but de proposer des packages de 2 To en 2019.

On notera également que Toshiba pense passer à la version 4 du PCI Express en 2019, nos confrères d'EETimes rapportant également que Toshiba aurait désormais des puces NAND 3D en QLC fonctionnelles. Pour rappel, MLC, TLC et QLC indique le nombre de bits stockés dans une cellule (respectivement 2, 3 et 4 pour la QLC donc). Augmenter le nombre de bits permet d'augmenter la densité au détriment de la rapidité de programmation de la cellule.

Toshiba voit la QLC comme une solution aux besoins de stockages "froids" comme ceux de Facebook par exemple qui stockent indéfiniment des données qui ne changent pas. Aucune date n'est cependant avancée pour le moment pour une éventuelle disponibilité.

Samsung est lui aussi bien évidemment présent au Flash Memory Summit et en profite pour annoncer sa quatrième génération de mémoire NAND 3D (connue sous le nom marketing V-NAND). L'année dernière, Samsung annonçait sa troisième génération qui faisait passer à 48 couches pour obtenir jusque 32 Go par die.

 

 

Cette année, Samsung annonce 64 couches pour une densité maximale de 512 Gbit en TLC, soit 64 Go par die. De quoi permettre d'atteindre pas moins de 1 To par package (en superposant 16 dies). Samsung proposera donc un SSD BGA de 1 To avec 1500 Mo/s en lecture et 900 Mo/s en écriture.

Le PM1643 de 32 To, photo The SSD Review 

Le SSD PM1633a de 16 To (qui avait été annoncé lors du Flash Memory Summit 2015 il y a un an, mais seulement commercialisé ces dernières semaines sera remplacé à terme par un modèle 32 To, le PM1643.

Une version 32 To en NVMe est également annoncée sous la référence PM1735 et un modèle M.2 de 4 To est également au programme en taille standard, et Samsung compte proposer en 2017 un "nouveau" format de M.2 dédié aux serveurs, le M.2 32114 (32mm de large pour 114 de long) avec une capacité pouvant atteindre 8 To, ce qui permettra d'atteindre 256 To de stockage dans un rack 1U.

Bien évidemment, et le lancement ces derniers jours du PM1633a le prouve, les annonces de Samsung se traduiront au fur et a mesure dans les mois à venir, le communiqué de presse du constructeur  évoque le quatrième trimestre pour les premières disponibilités de produits basés sur la V-NAND de quatrième génération. Le PM1643 est quand à lui annoncé pour 2017 sans plus de précision.

 

 

On notera enfin une dernière annonce très floue de la part de Samsung avec la Z-NAND, un "nouveau type de mémoire" qui partage "la même structure fondamentale que la V-NAND" en utilisant un "design de circuit et un contrôleur unique". Si cela ne nous dit pas grand chose sur la manière dont fonctionne la technologie, il faut y voir la réponse de Samsung à la PRAM 3D XPoint d'Intel/Micron, le constructeur ne s'en cache en reprenant les mêmes arguments, une mémoire qui vient s'intercaler entre la DRAM (volatile, très rapide) et la NAND (non volatile, moins rapide).

La Z-NAND aurait une latence similaire à la PRAM, des performances séquentielles 20% supérieures, et une efficacité énergétique significativement meilleure. Bien entendu ces chiffres sont assez creux sachant que Samsung ne précise pas à quelle PRAM il se compare, mais on voit bien qu'Intel et Micron sont visés par cette annonce. Plus de détails devraient être disponibles d'ici quelques mois, Samsung annonçant une disponibilité en 2017.

Marvell profite lui aussi du Flash Memory Summit pour lancer un nouveau contrôleur  pour SSD NVMe compacts (par exemple au format M.2 ou directement intégré dans un SSD BGA), le 88NV1160. Il vient faire suite aux 88NV1120 et 88NV1140 lancés fin 2014. Comme les deux autres références, le contrôleur est toujours fabriqué en 28nm.

Les ressemblances ne s'arrêtent pas là puisque l'on retrouve à l'intérieur les mêmes deux coeurs ARM Cortex R5. On retrouve les mêmes particularité à savoir la présence de SRAM à l'intérieur du contrôleur pour remplacer l'utilisation d'une puce DRAM externe, et le support additionnel du Host Memory Buffer pour utiliser si on le souhaite la mémoire système comme cache.

Contrairement au 1140 qui gérait le NVMe sur une seule ligne PCIe Gen3, le 1160 supporte désormais deux lignes, ce qui permet de doubler les débits théoriques pour atteindre les 1600 Mo/s en lecture annoncés. De la même manière, on passe de deux à quatre canaux NAND pour le 1160.

La puce est actuellement en cours d'échantillonnage par Marvell auprès de ses partenaires.

Le Flash Memory Summit est l'occasion de voir les différents acteurs du marché présenter leurs dernières innovations, mais aussi leurs nouveaux produits. Chez Seagate  on a d'abord le droit à un SSD PCIe 10 Go/s, quelque chose qui avait été montré un peu plus tôt cette année lors de l'OCP Summit.

Le produit à désormais un nom, le Nytro XP7200 NVMe SSD et il s'agit comme nous le devinions a l'époque de l'assemblage de quatre SSD Nytro XM1440 M.2. Si l'on en croit nos confrères d'Anandtech  cependant, il y a une subtilité : la carte n'inclut pas de switch PCIe pour muxer les lignes, Seagate exploiterait les 16 lignes PCIe comme quatre groupes x4 indépendants. En clair, le système (pour peu que le BIOS le supporte correctement) verra quatre disques indépendants sur lesquels il faudra ajouter un RAID logiciel côté système d'exploitation.

Pour ce qui est des performances, Seagate annonce 10 Go/s en lecture et 3.6 Go/s en écriture séquentielle, et respectivement 940k et 160k IOPS en lecture/écriture aléatoires pour une consommation de 26 watts en charge. Des modèles 4 To et 8 To sont au programme et la disponibilité est attendue au quatrième trimestre.

L'autre "gros morceau" de Seagate est un SSD SAS double port d'une capacité de 60 To. Le disque est au format 3.5 pouces et il utilise de la 3D NAND TLC en provenance de chez Micron. Des ponts ONFI sont utilisés pour multiplexer les canaux vers le contrôleur, ce qui aura bien évidemment un impact sur les performances en fonction des données auxquelles on accède.

Les spécifications finales et le prix seront connus un peu plus tard, ce SSD restant une démonstration technologique. Seagate annonce cependant qu'il lancera une version de ce SSD 60 To courant 2017.

Le Flash Memory Summit a été l'occasion pour Micron de reparler de mémoire 3D XPoint. Pour rappel, Intel et Micron avaient annoncé cette mémoire l'année dernière, avec pour ambition de proposer un intermédiaire entre la mémoire RAM classique (très rapide, volatile) et la NAND (moins rapide, mais non volatile).

Côté technique les deux sociétés n'avaient pas dévoilé grand chose, on sait désormais qu'il s'agit de mémoire à changement de phase (PRAM) associée à un switch Ovonyx. A l'époque, les constructeurs avaient indiqué que leur mémoire était en production et un lancement "courant 2016" était attendu. En début d'année cependant, les perspectives ne semblaient pas très encourageantes.

Plus récemment, chez Intel, une roadmap avait filtré en juin, laissant penser que les premiers SSD utilisant la mémoire 3D XPoint pourraient arriver entre la toute fin de l'année et le début de l'année prochaine. Intel utilisera la marque commerciale Optane pour distinguer ses disques, et l'on aurait droit dans un premier temps à un "accélérateur" m.2 (un petit SSD de faible capacité en PCIe x2) suivi de modèles PCIe Gen3 NVMe s'interfaçant d'abord en x4 puis en x2.

Côté Micron, le constructeur avait simplement dit qu'il fallait s'attendre à "voir" sa 3D XPoint cette année. C'est en quelque sorte ce qui s'est passé puisque Micron a fait une démonstration lors d'une présentation pendant le premier jour du Flash Memory Summit, annonçant au passage qu'elle sera disponible sous le nom commercial QuantX. Comme chez Intel, on verra d'abord sous la marque QuantX des SSD, la déclinaison DIMM étant prévue pour plus tard.

Côté technique donc, on notera la confirmation de la latence très faible évoquée à l'époque, environ 10 microsecondes en lecture et 25 en écriture, environ dix fois moins que ce que permet la mémoire NAND.

C'est du côté des IOPS que l'on aura obtenu un peu plus d'informations. Durant l'IDF 2015, Intel avait fait la démonstration d'un SSD atteignant 400 000 IOPS sur une charge de 70%/30% en lecture écriture QD8 sans préciser le nombre de lignes PCIe utilisées.

Lors de la démonstration du Flash Memory Summit, les prototypes de Micron ont atteint 900000 IOPS sur la même charge (70%/30%) sur un lien PCIe Gen3 x4, et près de 1.9 millions d'IOPS sur un lien x8. On notera que quatre capacités, 200, 400, 800 et 1600 Go étaient utilisées par Micron dans ses graphiques. Reste que pour ce qui est d'une éventuelle commercialisation, il faudra encore attendre. Un post de blog de Micron  se contentant de parler d'une sortie "au cours des douze prochains mois".