Tri-Gate/FinFET : TSMC et Global Foundries

Publié le 06/05/2011 à 17:09 par
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Sur son blog, notre confrère d'Electronics Weekly revient sur la position de TSMC et GlobalFoundries suite à l'annonce par Intel de son introduction pour le procédé de photolithographie en 22nm de transistors Tri-Gate/FinFET.


A gauche un transistor planaire classique, à droite un transistor Tri-Gate/FinFET

L’auteur rappelle que TSMC avait annoncé en 2010 avoir développé un process 22/20nm FinFET, mais dans une optique pure de développement. TSMC avait indiqué à l’époque que la transition sur les process en production s’opérerait au-delà (16/14nm). TSMC confirme aujourd’hui que la transition attendra comme prévu le 16/14nm, blâmant l’immaturité des outils.

Global Foundries de son côté (en concert avec la Common Platform alliance) confirme ne pas voir de nécessité aux FinFET avant d’arriver au-delà du 22/20nm. Intel disposera donc bien de l’avantage des FinFET pour au moins un node complet par rapport au reste de l’industrie. Reste à voir si le pari d’Intel - qui semble payant sur le papier en termes de performances – ne souffrira pas de l’immaturité de l’écosystème environnant sur le plan des volumes de production.

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