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Lenovo a présenté un peu en avance sur son blog  les prochains modèles de PC portables qu'ils introduiront au CES.

Ce qui retient notre attention est la présence du support de la technologie Optane d'Intel. Pour rappel, Intel avait présenté un nouveau type de mémoire sous le nom 3D Xpoint, s'intercalant entre la mémoire RAM (peu dense mais très rapide) et la NAND (très dense, moins rapide).

Le premier produit qui utilisera cette nouvelle mémoire est un accélérateur connu sous le nom de code Stony Beach et qui sera commercialisé comme Optane 8000p. Ces accélérateurs système se présentent sous la forme de cartes au format M.2 et Intel devrait lancer deux versions, en 16 et 32 Go. Lenovo indique qu'il proposera le modèle 16 Go sur certains de ses portables haut de gamme, en M.2 2241 (4.1 cm de long).

La manière exacte dont "l'accélération" sera effectuée reste assez floue aujourd'hui, une piste probable étant le mode SRT (Smart Response Technology)  des pilotes disques RST d'Intel. Dans ce cas l'accélérateur servira de cache pour les disques systèmes. Si Intel avait mis au point ce système de cache pour les disques durs SATA traditionnels à plateaux, on notera que les dernières versions supportent également les SSD NVMe.

Si Optane a un avantage de latence net par rapport à la NAND, les chiffres d'IOPS annoncés pour les modèles 16 Go ne changent pas dramatiquement la donne par rapport aux derniers SSD haut de gamme

Intel devrait dévoiler un peu plus de détails sur le fonctionnement exact de la technologie dans quelques jours lors du CES, ainsi qu'effectuer des démonstrations.

Il sera intéressant de voir en pratique ce que cela apporte, car si proposer un cache en amont d'un disque dur à plateaux sera forcément bénéfique, l'impact pratique d'Optane accolé à un SSD rapide utilisant ses propres stratégies de cache (RAM + utilisation de MLC/TLC comme SLC en écriture) risque d'être plus difficilement perceptible sur une utilisation grand public, au delà de quelques benchs savamment choisis !

Lancé en 2012, Windows RT qui était une version ARM 32-bit de Windows 8 s'est avéré être un echec. Il faut dire qu'au-delà du système et des applications Windows natives, les utilisateurs n'avaient accès qu'aux applications distribuées UWP (Universal Windows Platform) c'est-à-dire distribuées via le Windows Store utilisant l'API WinRT.

Pour Windows 10 sur ARM, Microsoft a appris de cette erreur. Si cette version sera ARM 64-bit et supportera les applications UWP, elle disposera également d'une émulation native permettant d'exécuter les applications Win32, soit x86 32-bits ce qui permettra d'avoir accès à l'énorme historique d'applications Windows !

Cette version ARM 64-bit a été développée en partenariat avec Qualcomm, et si la démonstration tourne sur un Snapdragon 820 il faudra a priori atteindre le second semestre 2017 et le Snapdragon 835 en 10nm pour voir débarquer des PC équipés de Windows 10 ARM. S'il n'est pas question d'attaquer Intel sur le plan performances pures, d'autant plus avec une surcouche d'émulation, voilà qui devrait faire bouger les lignes dans le secteur de l'ultra-mobilité et éventuellement sur l'entrée de gamme, des segments sur lesquels Microsoft prenait un risque de plus en plus grand en restant uniquement associé à Intel.

Benchlife.info  publie un tableau concernant les futurs Coffee Lake d'Intel. Pour rappel, il s'agit d'une quatrième génération de Core en 14nm alors que dans le même temps CannonLake sera lancé fin 2017 en 10nm mais uniquement en version 2 coeurs.

Coffee Lake serait désormais prévu pour la rentrée 2018, alors qu'il était plutôt question du second trimestre jusqu'alors. Il sera décliné en deux versions pour PC portables, CFL-U avec 4 coeurs et un iGPU musclé avec eDRAM (GT3e), et CFL-H qui aura un iGPU plus light mais 6 coeurs, les die étant respectivement de 185 et 149mm².

Ce dernier die de 149mm² sera aussi utilisé pour une version LGA destiné au PC de bureau et intégrant donc 6 coeurs et un iGPU de type GT2, une version à 4 coeurs de 126mm étant également prévue. A noter que côté graphique Coffee Lake n'apportera pas de changement par rapport à Kaby Lake.

Un Coffee Lake-X est également prévu : comme Skylake-X et Kaby Lake-X prévus pour le second trimestre 2017, il utilisera un nouveau Socket R. Cette nouvelle plate-forme marque un changement stratégique dans la manière qu'à Intel d'adresser le marché de desktop haut de gamme et de la station de travail. Jusqu'alors, Intel disposait de 2 plates-formes Xeon, une très haut de gamme et l'autre déclinée en versions 4, 2 et 1 Socket. A l'avenir Intel va unifier les plates-formes Xeon (et Xeon Phi) en une seule qui ne sera cette fois pas déclinée en version mono-Socket.

Plutôt qu'une plate-forme Xeon "castrée", il proposera sur ce segment une plate-forme Core i7 "musclée" utilisant le même chipset que les Kaby Lake LGA 1151. Selon les dernières rumeurs cette plate-forme accueillera des CPU assez différents, avec donc dès le second semestre 2017 Skylake-X et Kaby Lake-X, le second étant limité à 4 coeurs contre 6, 8 et 10 coeurs pour le premier. Skylake-X ne devrait donc pas en être complètement remplacé par Coffee Lake-X, d'autant que lui seul proposera jusqu'à 44 lignes PCIe Gen3 et 4 canaux DDR4 comme le permet le Socket R. Il est par ailleurs assez probable qu'à l'avenir l'overclocking ne soit plus permis que sur cette plate-forme Socket R et les processeurs "X" qui vont avec.

La conférence ISSCC (International Solid-State Circuits Conference) se tiendra pour son édition 2017 du 5 au 9 février à San Francisco, et nos confrères d'EEtimes  ont eu accès à l'avant programme.

Comme tous les ans les acteurs du milieu des semi conducteurs y présenterons leurs nouveautés, et l'on notera que TSMC et Samsung présenterons leurs cellules SRAM (utilisées notamment pour la mémoire cache dans les puces). L'année dernière, Samsung avait proposé deux versions distinctes pour son process 10nm, optimisées pour la densité ou les performances, de 0.040 µm² et 0.049 µm².

D'après nos confrères, TSMC présentera une cellule SRAM 7nm de seulement 0.027µm², tandis que Samsung présentera une cellule SRAM 7nm de 0.030µm², mais fabriquée en EUV. D'après Samsung, l'EUV permettrait de diminuer la tension minimale nécessaire de 39.9mV (TSMC indique aussi des optimisations basse tension, on attendra la conférence pour comparer l'impact ou non de l'EUV).

La SRAM est un composant fondamental des puces et sa taille permet en général de se donner une bonne idée des process. Cependant il faut être assez méfiant, les constructeurs annonçant parfois des "records" de densité qu'ils n'utilisent pas forcément en production. Nous avons rapporté dans le tableau ci dessous les chiffres les plus bas (correspondant aux bibliothèques "hautes densité") pour TSMC, Samsung et Intel :

Par rapport au tableau, on notera qu'Intel n'utilise pas cette SRAM haute densité dans ses processeurs, mais de la SRAM 0.059 µm². Même en prenant cela en compte, Intel garde la meilleure densité à 16/14nm pour la SRAM. Le constructeur ne fournit pas encore d'infos sur ses futurs process.

TSMC n'a pas donné non plus de chiffre exact pour son 10nm, estimant simplement 50% de réduction par rapport à son 16nm sur la SRAM, ce qui nous vaut un chiffre entre parenthèses. Selon toutes vraisemblances, et conformément aux autres annonces sur la densité (2.1x d'après le constructeur), on estimera que TSMC devrait avoir une SRAM d'une taille légèrement inférieure à celle de Samsung.

Intel ne devrait pas effectuer d'annonce sur ce sujet lors de l'ISSCC, ce qui est assez dommage. Le constructeur devrait présenter les FPGA Altera Stratix 10 (14nm) tandis qu'AMD proposera une présentation plus en détails de Zen.

On notera aussi que Western Digital/Toshiba, ainsi que Samsung, présenterons des puces 3D NAND 512 Gbit TLC 64 couches. Dans le cas de Samsung, cette puce avait été annoncée cet été, plus de détails techniques devraient être disponibles. Pour Western Digital/Toshiba, cette puce avait été évoquée cet été comme objectif.

On notera que nos confrères pointent à raison un grand absent : une fois de plus, ni Intel, ni Micron, n'effectueront de présentation technique de leur mémoire 3D Xpoint !

En sus des différents Core i5 et i7 Kaby Lake dévoilés il y a peu au travers d'un PCN, Intel aurait pour projet de lancer différents i3 aux fréquences assez élevées :

• Core i3-7100, 3 Mo de cache, 3.9 GHz
• Core i3-7300, 4 Mo de cache, 4.0 GHz
• Core i3-7320, 4 Mo de cache, 4.1 GHz
• Core i3-7350K, 4 Mo de cache, 4.2 GHz

Les fréquences sont en hausse de 200 à 300 MHz par rapport à Skylake, ce qui permettra de compenser l'absence d'amélioration d'IPC. Mais le point le plus notable est la présence d'une version K au travers de l'i3-7350K ! Cette version sera donc logiquement débloquée au niveau du coefficient multiplicateur.

Seul problème ce K étant en même temps le plus hautement cadencé, il sera également l'un des plus onéreux. Chez Shopblt.com  il est ainsi affiché à 177$, contre 122$ pour le Core i3-7100 et 195$ pour un Core i5-7400 qui dispose lui de 4 coeurs à 3.5 GHz et sans possibilité d'overclocking. C'est cher, et il faudra que le potentiel d'overclocking de Kaby Lake soit élevé pour que cette version soit intéressante vu sa fréquence de base déjà élevée. Pour rappel les Kaby Lake devraient voir le jour en début d'année 2017.