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Le sud-coréen Hynix et le japonais Toshiba viennent d'annoncer leur collaboration pour le développement de la MRAM. Une fois le développement terminé, les deux compagnies entendent également coopérer au sein d'une joint-venture pour la production de la dite mémoire. Hynix et Toshiba indiquent qu'ils ont également étendus leur accord de licence croisé et de sous-traitance.

Cette alliance est assez étonnante puisque Hynix et Samsung avaient annoncés en 2008 la création d'une joint-venture 100% sud-coréenne vouée au co-développement et la standardisation de la MRAM. Ce projet est semble-t-il tombé à l'eau, alors que l'accord Hynix – Toshiba intervient une semaine après la publication d'une nouvelle avancée de Toshiba dans le domaine de la MRAM.

Ce type d'alliance est assez habituel dans le secteur de la mémoire puisqu'il permet de réduire les risques liés au développement d'une nouvelle technologie et d'en accélérer la mise au point. Dans le domaine de la mémoire Flash NAND par exemple, Toshiba et SanDisk collaborent au sein de Flash Forward, alors qu'Intel et Micron sont regroupés sous IM Flash.

3 mois après Samsung, c'est au tour de Hynix d'annoncer ses premières puces de DDR4. Gravées en 3xnm, ces puces de 256 Mo sont utilisées pour commencer sur une barrette de 2 Go ECC au format SODIMM.

Il s'agit de puces DDR4-2400, alors que Samsung s'était limité au mode DDR4-2133 et que la DDR4 devrait monter officiellement jusqu'en DDR4-3200, soit le double de bande passante que la DDR3-1600. A cette vitesse, Hynix conserve la tension de 1.2v qui sera la norme en matière de DDR4.

Il faut toutefois préciser que la DDR4 n'en est qu'a ses balbutiements puisque ce standard ne devrait être finalisé qu'au second semestre par le JEDEC. Hynix indique d'ailleurs qu'il prévoit de débuter la production en volume dans plus d'un an, au second semestre 2012 ! Selon iSuppli, la DDR4 devrait représenter 5% du marché de la DRAM en 2013 et 50% en 2015, contre 71% pour la DDR3 en 2012 et 49% en 2014.

C’est au tour de Hynix d’annoncer le début de la production de mémoire Flash NAND MLC de "classe 20nm", sans pour autant préciser la finesse de gravure exacte de ces mémoires (28, 25 nm ?). Ces puces de 8 Go seront gravées sur des wafer de 300mm à l’usine M11 de Cheo ngju en Corée du sud.

Hynix annonce par ailleurs avoir développé des produits combinant des puces Flash NAND MLC 4 Go de classe 30nm avec un contrôleur de chez Anobit, cette startup annonçant pouvoir augmenter la durée de vie de la Flash, et que ce contrôleur sera prochainement combiné au puces de classe 20nm (la validation est prévue pour septembre). On ne sait malheureusement pas encore de quels sont les usages exacts auxquels sont destinés ces combinaisons.

Samsung est le premier à annoncer dès avril la production de mémoire Flash NAND MLC de classe 20nm, mais ces dernières ne sont que de 4 Go et seront réservées, a priori du fait d’une endurance limitée, aux SD Card et à la mémoire embarquée. A contrario, IMFT (Intel / Micron) a annoncé en mai la production de sa puce de 8 Go MLC en 25nm destinée – entre autres – aux SSD.