Les contenus liés au tag SK Hynix

Le fabricant de mémoire sud coréen Hynix a indiqué cette semaine avoir signé un accord de licence avec la société américaine Rambus concernant l'utilisation de ses brevets concernant les technologies mémoires. Les termes de l'accord sont confidentiels, on sait juste que Hynix paiera 12 millions de dollars par trimestre à Rambus sur une durée de cinq ans, et que cet accord met fin à toutes les procédures judiciaires entre les deux parties.

L'annonce de cet accord peut sembler relativement surprenante, la dernière fois que nous avions évoqué Rambus dans nos colonnes, il s'agissait de leur défaite concernant le procès antitrust qui avait été intenté à Hynix et Micron fin 2011. Trois acteurs de l'industrie continuaient à faire de la résistance à l'époque contre Rambus, à savoir Hynix, Micron et Nvidia.

Nvidia avait finalement abdiqué en février 2012 en signant également un accord sur cinq années dont les termes sont inconnus .

Ne restait depuis que Micron et Hynix, qui avaient obtenu en ce début d'année pourtant une victoire significative : Rambus s'est vu interdit d'utiliser douze de ses brevets dans son procès contre Micron par une cour du Delaware. Une sanction importante appliquée à Rambus en conséquence d'une faute qui ne l'était pas moins : une destruction de preuve qualifiée "intentionnelle, large, cachée et dans le but d'en tirer un avantage" par la juge. Le verdict, disponible ici au format PDF, reprend à partir de sa section II (Background) assez clairement toute l'histoire de l'affaire, de la stratégie commerciale de Rambus à sa mutation en stratégie légale, la participation de la société au JEDEC et ses relations avec Intel. Une lecture claire que l'on vous recommande fortement si vous vous intéressez au sujet.

Le document décrit également très précisément la stratégie de destruction de documents, particulièrement tout ceux qui pouvaient laisser planer un doute sur la validité des dits brevets et toute la stratégie autour des relations avec le JEDEC.

Il est à noter que trois de ses brevets principaux ont été invalidés en septembre 2011 et janvier 2012 . En l'état cependant, Micron reste aujourd'hui le seul acteur de l'industrie à combattre activement Rambus.

Hynix semble vouloir prendre de l'ampleur sur le marché du SSD puisqu'après avoir lancé sous sa propre marque un SSD à base de SandForce, le fabricant de mémoire vient de racheter Link_A_Media (LAMD) pour 248 millions de $.

Peu connue du grand public, cette société spécialisée dans les SoC pour disques durs et SSD a récemment fait parler d'elle avec son nouveau contrôleur pour SSD LM87800 qui sera utilisé par les Corsair Neutron et Neutron GTX annoncés au Computex.

Hynix rejoint donc Samsung dans le cercle très fermé des sociétés pouvant maitriser tous les aspects d'un SSD, alors qu'Intel l'a quitté après s'être désengagé partiellement d'IMFT (Flash) et utilisé des contrôleurs tiers (Marvell puis SandForce).

On le connaissait pour ses puces mémoire bien qu'il soit discret sur le marché du SSD, il faudra maintenant compter sur le coréen Hynix parmi les fabricants de SSD complets.

Son premier modèle, le SH910 vise le segment des "enthousiastes", et des ultrabooks puisqu'il adopte le format 2,5" en 7mm d'épaisseur. Il intègre un contrôleur SandForce SF-2281 SATA 6G et utilise de puces maison de MLC gravées en 26nm. Côté performances il est question de 520 Mo/s en lecture et 500 Mo/s en écriture... mais avec des données compressibles ! En incompressibles les débits tombent à environ 370 Mo /s en lecture et 300 Mo /s en écriture.

Lancés en versions 128 et 256 Go, ce qui est possible sur SandForce en se passant de la technologie RAISE, ces SSD supportent également le cryptage AES 128 bits, le TRIM, le NCQ et le SMART. Prix et disponibilité en Europe sont encore inconnus.

Au milieu des incertitudes dues à Elpida sur le marché de la mémoire DRAM, Hynix a indiqué vouloir cette année se concentrer principalement sur le marché de la mémoire flash NAND.

Nos confrères du Korea Herald  rapportent les propos d'une conférence de presse tenue par le CEO d'Hynix qui aura indiqué qu'il envisage de convertir l'une de ses actuelles usines de production de DRAM (celle de Wuxi en Chine) vers la production de mémoire NAND pour augmenter la capacité de production de l'entreprise. Hynix dispose pour l'instant de 12% du marché de la NAND.

En attendant l'éventuelle transition de son usine chinoise, Hynix indique que la montée en production de sa Fab M12 (située à Ichon en Corée) augmentera sa capacité mensuelle de 130000 à 170000 wafers de NAND 300mm.

Côté mémoire Hynix indique travailler sur trois alternatives à la DRAM pour l'avenir, la Spin Transfer Torque RAM qui joue sur le fait que les électrons ont un léger mouvement cinétique lié à leur charge, mais aussi les mémoires à changement de phase (PRAM) que nous avons évoqués à plusieurs reprises ainsi que la ReRAM, évoquée entre autre par Elpida en début d'année.

La société Rambus vient de perdre  un procès important contre les fabricants de mémoire Micron et Hynix. Lancé en 2004, cette procédure antitrust visait à l'époque quatre acteurs du marché de la SDRAM : Samsung, Infineon, Hynix et Micron. Ces sociétés étaient accusées par Rambus d'avoir conspiré pour éliminer la mémoire RDRAM du marché, notamment en limitant la production et en augmentant les prix, à la faveur du standard SDRAM. Samsung et Infineon avaient trouvé un accord à l'amiable avec Rambus (contre 800 et 150 millions de dollars), tandis que Micron et Hynix ont préféré aller jusqu'au procès. Rambus indiquait que la perte de ventes subie atteignait 3.95 milliards de dollars.

Le procès a été l'occasion de quelques éclaircissements sur l'utilisation de la mémoire RDRAM qui avait débuté en 1999 avec le chipset i820 dédié aux Pentium III. Un manager d'Intel aurait en effet témoigné qu'un accord complexe les liait à Rambus à l'époque et qu'une clause dans le contrat autorisait Rambus à bloquer les livraisons de processeurs (!) si certaines conditions de promotion marketing de la part d'Intel n'étaient pas réunies. Un attachement à cette clause de la part de Rambus aurait envenimé ses relations avec Intel et serait - sur un plan non technique - la véritable raison du non succès de la RDRAM.

Outre l'importance des dommages espérés par Rambus, cette défaite reste un événement rare pour la société qui jouissait jusqu'ici d'une certaine vista auprès des tribunaux, malgré le fait que la FTC et la commission européenne  aient reconnu que la société avait trompé les membres du JEDEC (un consortium développant de manière ouverte les standards mémoire, auquel Rambus avait participé avant de le quitter) en déposant des brevets sur des technologies qui seraient adoptées dans le standard SDRAM, sans pour autant en avoir informé les autres membres du comité de standardisation comme le prévoyaient pourtant les statuts du consortium.

L'action de Rambus aura baissé de près de 61% après cette annonce. La société dispose encore de procès en cours pour l'utilisation des brevets dont nous parlions plus haut auprès de Micron et Hynix, mais également Nvidia qui reste l'un des rares acteurs majeurs du marché à avoir refusé de prendre un accord de licence avec Rambus (AMD en avait signé un en 2006).