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Hynix concentré sur la NAND
Divers Mémoires
Publié le Jeudi 15 Mars 2012 par Guillaume Louel

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Au milieu des incertitudes dues à Elpida sur le marché de la mémoire DRAM, Hynix a indiqué vouloir cette année se concentrer principalement sur le marché de la mémoire flash NAND.

Nos confrères du Korea Herald  rapportent les propos d'une conférence de presse tenue par le CEO d'Hynix qui aura indiqué qu'il envisage de convertir l'une de ses actuelles usines de production de DRAM (celle de Wuxi en Chine) vers la production de mémoire NAND pour augmenter la capacité de production de l'entreprise. Hynix dispose pour l'instant de 12% du marché de la NAND.


En attendant l'éventuelle transition de son usine chinoise, Hynix indique que la montée en production de sa Fab M12 (située à Ichon en Corée) augmentera sa capacité mensuelle de 130000 à 170000 wafers de NAND 300mm.

Côté mémoire Hynix indique travailler sur trois alternatives à la DRAM pour l'avenir, la Spin Transfer Torque RAM qui joue sur le fait que les électrons ont un léger mouvement cinétique lié à leur charge, mais aussi les mémoires à changement de phase (PRAM) que nous avons évoqués à plusieurs reprises ainsi que la ReRAM, évoquée entre autre par Elpida en début d'année.

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