Flash NAND MLC 2x nm chez Hynix

C’est au tour de Hynix d’annoncer le début de la production de mémoire Flash NAND MLC de "classe 20nm", sans pour autant préciser la finesse de gravure exacte de ces mémoires (28, 25 nm ?). Ces puces de 8 Go seront gravées sur des wafer de 300mm à l’usine M11 de Cheo ngju en Corée du sud.

Hynix annonce par ailleurs avoir développé des produits combinant des puces Flash NAND MLC 4 Go de classe 30nm avec un contrôleur de chez Anobit, cette startup annonçant pouvoir augmenter la durée de vie de la Flash, et que ce contrôleur sera prochainement combiné au puces de classe 20nm (la validation est prévue pour septembre). On ne sait malheureusement pas encore de quels sont les usages exacts auxquels sont destinés ces combinaisons.

Samsung est le premier à annoncer dès avril la production de mémoire Flash NAND MLC de classe 20nm, mais ces dernières ne sont que de 4 Go et seront réservées, a priori du fait d’une endurance limitée, aux SD Card et à la mémoire embarquée. A contrario, IMFT (Intel / Micron) a annoncé en mai la production de sa puce de 8 Go MLC en 25nm destinée – entre autres – aux SSD.