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10/7nm en avance pour TSMC, EUV pour le 5nm
Un transistor 1nm fonctionnel
L'EUV possiblement pour le 7nm ?
TSMC vise 2020 pour le 5nm via l'EUV
TSMC confiant sur l'EUV en volume pour 2019
ASML atteint les 125 wafers/h en EUV
Samsung détaille sa roadmap jusqu'au 4nm
12nm et EUV à 7nm pour TSMC
ASML investit dans Carl Zeiss SMT pour l'EUV
TSMC confiant sur l'EUV en volume pour 2019
TSMC a également annoncé ses résultats un peu plus tôt dans le mois, l'occasion d'une conférence auprès des analystes qui aura été la dernière de Morris Chang, le Chairman et fondateur de TSMC. Il avait annoncé en fin d'année dernière qu'il prendrait sa retraite en juin 2018.
Sur l'année 2017, TSMC a réalisé un chiffre d'affaire de 32.1 milliards de dollars pour un résultat net de 11.2 milliards. Des chiffres qui progressent modestement en apparence par rapport à 2016, +3.1% et +2.6% en New Taiwan Dollar (+9.1% en dollars US, avec les effets du change).
On notera que sur le dernier trimestre, le 10nm (utilisé quasi exclusivement par Apple) représente 25% du chiffre réalisé ce qui est assez massif. Sur 2017, le 10nm aura compté pour 10% du chiffre de TSMC. Les technologies "avancées", à savoir le 28nm et les nodes suivant ont compté pour 58% du chiffre d'affaire engrangé par les ventes de wafers, contre 54% en 2016.
Les futurs process ont été évoqués, le 5nm (qui utilisera l'EUV chez TSMC) est prévu pour une production risque au premier trimestre 2019. TSMC indique avoir déjà atteint de bons yields sur des puces test de SRAM, et le niveau de développement est aussi avancé que pour le 7nm.
En ce qui concerne l'EUV, TSMC s'est félicité d'avoir obtenu des yields élevés en 7nm+ (la version EUV du 7nm de TSMC qui sera introduite dans un second temps) et 5nm. La question des sources lumineuses semble en passe d'être réglée, TSMC indiquant utiliser actuellement des sources 160 watts (on était à 125W l'année dernière), tandis que les sources 250W (annoncées par ASML l'été dernier) sont installées en voie de production. TSMC dit également être optimiste autour des questions compliquées autour du pelliculage avec des défauts bas. La société s'attend donc à ce que la production en volume du 7nm+ en EUV soit lancée au second trimestre 2019, et en 2020 pour le 5nm.
Le 7nm+ est annoncé comme 10% plus performant que le 7nm, et proposera des puces 10% plus petites en moyenne. TSMC n'a pas détaillé les gains directs obtenus en termes de réduction de couches, indiquant simplement un cas ou trois couches immersion peuvent être remplacées par une seule EUV.
Pour l'avenir proche, TSMC a annoncé avoir effectué le tapeout de 10 produits pour le 7nm (avec 10 tapeouts supplémentaires attendus au premier trimestre, et 50 attendus d'ici fin 2018), avec des qualifications en cours qui s'effectuent en parallèle dans deux fabs. Contrairement au 10nm qui n'a été utilisé que par Apple, le 7nm sera utilisé par tous les clients de TSMC. La production en volume commencera en juin et comme toujours, Apple devrait avoir la priorité (quelques produits au compte goutte pourraient être annoncés en 7nm vers la fin de l'année chez les plus petits clients de TSMC, C.C Wei indiquant qu'un décalage entre "smartphone" et HPC de quelques trimestre est attendu).
En 2018 c'est surtout en "12nm" (le 12FFC qui est la quatrième version du 16nm de TSMC) que l'on verra arriver des produits dans le monde du PC. Plus de 120 tapeouts de produits sont encore attendus sur ce node en 2018. A noter que TSMC ouvrira en mai son usine de Nanjing, en Chine, avec un peu d'avance sur son planning suite à une forte demande.
On note qu'en 2018, TSMC s'attend à ce que l'essentiel de sa croissance vienne de sa branche "high performance computing" et pointe particulièrement les GPU (...et les ASIC utilisés pour les crypto-monnaies). Morris Chang aura indiqué s'attendre à une hausse du marché du semi conducteur en 2018 comprise entre 6 et 8%.
La question de l'enquête anti-trust de la commission européenne , poussée par GlobalFoundries aura été vite balayée, TSMC indiquant rejeter les accusations de son concurrent. TSMC continue de se présenter comme la "Foundry de tout le monde" pour contrer l'argument, et tacler au passage Samsung en sous entendant qu'ils ne sont pas en compétition avec leurs clients. On terminera par un mot sur le 3nm, TSMC a indiqué qu'il continuait l'exploration de la technologie et que ces derniers mois, le manager du programme était de plus en plus positif, ne doutant plus de la simple faisabilité comme cela pouvait être le cas l'année dernière.
ASML atteint les 125 wafers/h en EUV
ASML vient de faire une annonce importante concernant la lithographie EUV puisqu'il a expérimenté avec succès l'installation d'une source lumineuse d'une puissance de 250W sur une machine NXE:3400B, ce qui lui a permis d'atteindre la cadence de 125 wafers par heure qu'ASML cible depuis longtemps.
Un progrès plus que notable par rapport aux 42 wafers/heure de 2015 et aux 85 wafers/heure de 2016. Reste maintenant à travailler sur la disponibilité des machines, elle était comprise entre 70 et 80% en 2016 mais ASML vise 90% pour 2018.
Le constructeur annonce au passage avoir obtenu 8 commandes supplémentaires de systèmes EUV NXE:3400B, portant le nombre de machines précommandées à 27 pour 2,8 milliards d'Euros. Sur le trimestre en cours ASML indique en avoir livré 3. Pour rappel l'EUV est une technologie annoncée comme essentielle pour le passage à 5nm, et qui sera exploitée partiellement sur certains process 7nm.
Samsung détaille sa roadmap jusqu'au 4nm
Samsung a donné quelques détails sur les prochaines versions de ses process de fabrication, annonçant pas moins de cinq nouveaux process baptisés 8LPP, 7LPP, 6LPP, 5LPP et... 4LPP. Quelques informations sont données sur les différences. Ainsi, le 8LPP sera une variante du process 10nm de Samsung qui profitera de gains de performances ainsi que de gains de densité, possiblement par l'utilisation de nouvelles bibliothèques (les blocs de base qui servent à créer les puces).
Le 7LPP sera le prochain "vrai" node de Samsung. Prévu pour la fin 2018, il s'agira du premier node à introduire la lithgraphie EUV. Le constructeur indique dans son communiqué de presse avoir co-développé avec ASML une source lumineuse 250W pour cette mise en production (pour rappel, tous les fabricants ont collaboré avec ASML sur l'EUV, TSMC évoquait également 250W fin 2018 pour la mise en production de l'EUV).
Le 6LPP sera une variante optimisée du 7LPP qui utilisera ce que le marketing appelle du "Smart Scaling", diverses techniques permettant d'améliorer la densité. Il s'agira surtout pour Samsung de profiter de l'apprentissage de son premier process EUV pour optimiser légèrement les choses.
Le 5LPP sera vraisemblablement le "node" suivant au sens traditionnel du terme, il servira à préparer le terrain pour le suivant. Car c'est au niveau du 4LPP qu'un gros changement arrivera avec un passage à un nouveau type de structure de transistor. Samsung utilisera des transistors dit Gate All Around (GAAFET) qui sont une variante des FinFET où la Gate entoure le canal. La version de Samsung sera baptisée MBCFET (Multi Bridge Channel FET) et utilisera une nanosheet sur laquelle aucun détail n'est donné pour l'instant.
Les différences entre les types de transistors (source )
Ces nodes et ces variantes devraient apparaître progressivement dans les années à venir, Samsung évoquant simplement son 4LPP pour 2020 pour ne pas s'engager plus fortement sur le timing. On ne leur en tiendra pas rigueur, il est assez rare que les fondeurs partagent publiquement, et avec tant de visibilité leur roadmap.
On pourra bien entendu s'interroger sur les nomenclatures choisies par Samsung, mais au-delà de cela, la tendance reste commune chez tous les fondeurs qui multiplient les variantes d'un même process. TSMC en est à sa quatrième version de "16nm", baptisée pour le coup 12FFC, tandis qu'Intel annonçait fin mars pour la première fois trois versions de 14nm et de 10nm.
Derrière ces annonces, on retrouve des constatations communes, il est de plus en plus difficile de réduire la taille des puces, et les gains de performances et de densités apportés ne sont plus forcément aussi importants qu'auparavant (même si les fondeurs, Intel en tête, continuent d'innover sur les formules mathématiques pour ne pas dire que la loi de Moore ralentit).
Le passage au 5nm chez tous les fondeurs est attendu autour de 2020 en production risque, même si chez Intel on parlerait logiquement de "7nm", cf cette roadmap basée sur des estimations publiées sur le blog SemiWiki
Mais au-delà du marketing derrière les variantes, le rythme annoncé par Samsung reste assez soutenu laissant penser à un écart de deux ans entre le 7nm et le 5nm, ce qui est très agressif et aligné sur ce que devrait proposer TSMC (qui lancera son 7nm d'abord sans EUV, le 8LPP lui étant opposé par Samsung). TSMC a confirmé qu'il lancera le début de sa production en 7nm ce trimestre (la production en volume est attendue l'année prochaine). Le 5nm démarrera ses essais de production en 2019 pour une production volume en 2020 chez le fondeur taiwanais.
La confiance de Samsung sur l'EUV est également un point que l'on ne négligera pas, la lithographie à immersion touche aujourd'hui ses limites et si les problèmes de l'EUV ne sont pas tous résolus, la technologie devrait donner un peu de marge aux fondeurs.
12nm et EUV à 7nm pour TSMC
TSMC a publié hier ses résultats financiers pour le dernier trimestre 2016. Le fondeur taiwannais a annoncé pour ce trimestre un revenu brut de près de 7.8 milliards d'euros, en hausse de 28.8% par rapport à la même période sur l'année précédente. Sur la totalité de l'année 2016, TSMC aura augmenté son revenu de 12.4% par rapport à 2015.
Pour 2017, TSMC s'attend à voir ses revenus progresser de "seulement" 5 à 10% (ce qui n'a pas manqué de décevoir les analystes financiers). Lors de la présentation des résultats, quelques informations supplémentaires ont été données.
Morris Chang, Chairman de TSMC s'est lancé dans quelques prédictions pour le marché 2017, s'attendant à voir le marché des smartphones grimper de 6% en unités, et celui du PC se contracter de 5% en unités également (il envisage également un déclin de 7% sur les tablettes tout en voyant le marché Internet of Things progresser de 34%).
Sur le 16/14nm, Morris Chang estime que la part de marché de TSMC est entre 65 et 70%, en dessous de ses attentes (TSMC dispose encore de 80% du marché sur le 28nm par exemple). Toujours poétique, le Chairman voit dans le 10 et le 7nm un "ciel bleu" par rapport à la compétition.
Quelques détails plus techniques ont été donnés, notamment par rapport à un "12nm" qui avait été évoqué ici ou là dans la presse. En pratique, TSMC travaille sur une nouvelle version de son process 16nm (une quatrième après les 16FF, 16FF+ et 16FFC) qui incorpore des améliorations importantes de densité. L'appellation commerciale exacte n'a pas été donnée, et on ne sait pas exactement quand elle sera disponible. On s'attendra dans quelques semaines à une annonce officielle, même si TSMC à confirmé aujourd'hui l'existence de ce "12nm".
Pour le 10nm, si le début de production est bien en cours, le gros du volume se situera sur la seconde partie de l'année (coïncidant avec le lancement des prochains iPhones dont le SoC utilisera le 10nm TSMC).
Sur le 7nm, plus de 20 sociétés travailleraient déjà sur des designs pour l'année prochaine, un chiffre qui devrait doubler dans l'année. Sur la question du 7nm en lui même, nous nous étions interrogés sur la manière dont le constructeur augmenterait la densité. Pour rappel, TSMC s'engage à lancer la production du 7nm dès la fin de l'année, il s'agira du node qu'utiliseront la majorité de ses clients, le 10nm devrait avoir une durée de vie courte et être réservé à quelques gros clients.
Le 10nm rappelle d'une certaine manière le 20nm de TSMC, lui aussi utilisé par des gros clients uniquement avant un passage rapide au 16nm. Cependant, avec une augmentation de la densité de 1.63x entre le 10 et le 7nm, la recette utilisée est plus complexe que pour le passage 20/16nm (qui ne proposait qu'une augmentation de densité de 1.15x). Nos confrères de SemiWiki, très au fait des détails, ont confirmé il y a quelques jours que des changements sur les tailles minimales des cellules sont en grande partie à l'origine des gains de densité et que pour réduire les coûts, TSMC évitera au maximum de généraliser le quadruple patterning (SAQP). Le 10 et le 7nm auront donc bel et bien des similarités techniques.
Pour essayer d'y voir un peu plus clair, et étant donné que plus aucun constructeur ne suit de règles équivalentes pour parler de densité, SemiWiki a publié ce graphique intéressant qui montre une "estimation" de la densité comparée de tous les fondeurs :
D'après SemiWiki, le 10nm d'Intel et le 7nm de TSMC auraient, après ajustement, une densité comparable. Il s'agit bien entendu d'estimations qui valent ce qu'elles valent, vous pouvez retrouver l'explication de la formule utilisée ici , mais elles donnent un bon ordre d'idée de ce à quoi il faut s'attendre (un seul bémol à cette analyse : les prévisions concernant GlobalFoundries nous semblent excessivement optimistes, en grande partie à cause des annonces de GlobalFoundries qui nous paraissent déconnectées de leur capacité d'exécution ces dernières années).
En pratique le 10nm de TSMC disposera tout de même d'une meilleure densité que l'actuel 14nm d'Intel, TSMC pourra donc se targuer d'avoir dépassé Intel côté process lorsque les premiers produits 10nm seront disponibles plus tard dans l'année. Et si Intel reprendra l'avantage avec "son" 10nm, TSMC sera effectivement - et pour la première fois - à parité dès la fin de l'année en lançant la production de son 7nm. Une situation qui durera un moment, et pour la première fois les constructeurs "fabless" pourront disposer d'un process équivalent en densité à celui d'Intel.
On notera enfin, concernant le 7nm, que TSMC a confirmé qu'ils inséreront l'EUV au bout d'un an de production à 7nm (soit fin 2018) pour créer une nouvelle version du 7nm (à l'image des multiples 16nm). Des propos plutôt optimistes concernant la lithographie EUV qui sera, Mark Liu le rappelle, indispensable à 5nm. Et un timing qui coïncide exactement avec le lancement de la production du 7nm de Samsung qui utilisera elle, dès le début, l'EUV !
ASML investit dans Carl Zeiss SMT pour l'EUV
ASML a annoncé hier qu'il comptait s'offrir un quart de Carl Zeiss SMT (24.9%) pour un montant de près de un milliard d'euros. Zeiss SMT est la filiale "Semiconductor Manufacturing Technology" du groupe allemand Zeiss spécialisé dans l'optique.
ASML indique dans son communiqué qu'il s'agit de renforcer la collaboration entre les deux sociétés, Zeiss SMT fournissant les systèmes optiques utilisés notamment dans les machines de lithographie EUV.
ASML investira en prime 220 millions d'euros dans le centre de recherche et développement de Zeiss SMT, et financera 540 millions d'investissements sur les 6 prochaines années.
L'enjeu de l'investissement, selon ASML, concerne les futures générations d'EUV avec la possibilité d'étendre la durée de vie de la technologie. Car si certains fabricants de semiconducteurs comme Samsung disent désormais (enfin !) qu'ils utiliseront l'EUV à 7nm, les très nombreux retards de la technologie font qu'elle court le risque de voir sa fenêtre d'utilisation réduite, au risque d'être remplacée par d'autres technologies.
Des systèmes optiques plus complexes avec une ouverture numérique de 0.5 (contre 0.33 pour les premières générations d'EUV) est ce que vise ASML dans cet investissement, qui ne devrait porter ses fruits que d'ici 2024. Il permettrait cependant d'étendre la durée de vie de l'EUV sous les 5nm et pour "plusieurs générations". On sait - en parallèle - qu'autour de 5nm, on atteindra les limites du silicium et l'utilisation d'autres matériaux deviendra nécessaire.
L'intérêt de la lithographie EUV est pour rappel de remplacer la source lumineuse utilisée actuellement par les scanners (elle est générée par des lasers à exciplexe Argon/Fluor avec une longueur d'onde de 193nm) par une source dont la longueur d'onde n'est que de 13.5nm, améliorant fortement les possibilités et réduisant le nombre d'étapes nécessaires pour arriver a fabriquer les puces en évitant la généralisation du multi-patterning.
ASML aurait réitéré à nos confrères d'EEtimes que quatre fabricants de puces, et deux fabricants de mémoires, se sont engagés à faire entrer l'EUV en production en 2018, quelque chose que la firme avait également indiqué dans une présentation aux investisseurs (qui évoquait 2018/2019). Une affirmation qui nous parait bien optimiste !
Aujourd'hui, seuls Samsung et GlobalFoundries se sont engagés publiquement à 7nm, pour des dates qui coïncident. En ce qui concerne TSMC, il faudra attendre le 5nm pour le voir arriver de manière extensive, sa production risque est prévue pour 2019 uniquement. Intel avait annoncé de son côté qu'il n'utiliserait pas l'EUV à 10nm, et qu'au mieux l'EUV était "une option" pour le 7nm. Le 7nm d'Intel utilisera une solution de lithographie a immersion classique. Et côté dates, 2019 semble extrêmement optimiste considérant l'exécution d'Intel ces dernières années (retards massifs sur le 14nm, introduction de Kaby Lake pour retarder le 10nm, lancement du 10nm repoussé à fin 2017 et uniquement sur des références mobiles, sans parler de l'introduction dans la roadmap de Coffee Lake en 2018... et en 14nm !).
En ce qui concerne les fabricants mémoire, Samsung avait évoqué la possibilité sans pour autant s'engager fermement. SK Hynix évoquait l'utilisation de l'EUV vers 2019.
Les machines qui seront utilisées en production, les NXE:3400B, atteindraient d'après ASML un débit de 125 wafers/heure, un progrès notable par rapport à mars 2015 ou ASML se félicitait de 42 wafers/heure (entre 50 et 100 wafers/heure étaient considérés comme le minimum pour éventuellement utiliser la technologie d'après Mark Bohr d'Intel). Pour arriver à ce chiffre, ASML devra augmenter fortement la puissance de la source lumineuse. Le constructeur aurait livré des sources 125W à ses clients cette année qui ont permis d'atteindre 85 wafers/heure.
La question de la disponibilité des machines semble également être meilleure, de seulement 55% à l'époque, ASML atteint aujourd'hui entre 70 et 80%, avec l'objectif d'être a 90% en 2018.
L'enthousiasme d'ASML - le seul à se lancer dans l'EUV - est forcément élevé pour sa technologie mais il faut une fois de plus rappeler que les scanners ne sont qu'une partie de la chaîne de fabrication. Les progrès réalisés, bien qu'importants, ne veulent pas dire que l'EUV est "prêt", loin de là.
La question des masques (la plaque transparente qui contient l'image de la puce à graver) et de l'inspection de leurs éventuels défauts n'a pas encore été résolue. Et si là aussi ASML tente d'apporter sa propre réponse, en pratique le problème reste complexe a solutionner avec des conséquences massives sur la viabilité de la technologie en production (plus de détails dans cet excellent article ).