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Le partenaire d'Intel sur la mémoire 3D XPoint était présent sur l'IDF avec un stand ou l'on pouvait apercevoir un wafer de NAND 16nm, ainsi qu'un module 3D NAND de 256 Gbits.

La société a également effectué une présentation ou elle a évoqué ses technologies mémoires. Le constructeur continue de travailler sur l'Hybrid Memory Cube (HMC), une technologie qui supperpose des dies de mémoires avec une couche de contrôleurs logiques. La troisième génération est en cours de développement même si l'on ne sait pas encore ce qu'elle apportera.

Micron est également revenu sur la complexité de la fabrication de la mémoire DRAM a 20nm et au dela. L'augmentation des coûts via les masques et les opérations rend de plus en plus difficile chaque passage à un nouveau node. Malgré tout le fabricant s'est felicité de ses yields atteint en 20nm et a indiqué travailler sur le 15nm et au delà.


Côté NAND, Micron a confirmé que le 16nm serait son dernier node « traditionnel » et qu'il passait au delà à une gamme 100% 3D NAND. Cette variante de la NAND permet pour rappel de construire les cellules verticalement pour les empiler en augmentant la densité. Un avantage important qui permet d'utiliser des process plus anciens, et mieux maitrisés, autour de 50nm pour la première génération de Micron. La seconde génération de 3D NAND apparaitra en 2016.

3D XPoint a été peu évoqué, si ce n'est sur le fait qu'il y aura une seconde génération de cette mémoire en 2016. On notera que Micron parle toujours sur ses roadmaps d'une seconde nouvelle mémoire qui arriverait en 2017. Une variante de STTRAM (Spin Transfer Torque RAM) semble être l'une des possibilités, il faudra attendre un peu avant d'en savoir plus !

Samsung vient d'annoncer qu'il avait débuté la production en volume de sa troisième génération de V-NAND, le nom maison pour sa NAND 3D. Le gros changement est le passage à 48 couches, contre 32 pour la seconde génération lancée il y a un an et 24 pour la première qui a deux ans.

Le géant coréen en profite pour doubler la capacité qui passe à 32 Go par die en TLC (3 bits par cellule), contre 16 Go à l'heure actuelle, alors que la consommation serait réduite de 30% pour un même volume de données stockées. De quoi doubler la capacité des SSD Samsung V-NAND, alors que le 850 EVO atteignent déjà 2 To avec des die 16 Go ! En attendant Samsung a déjà annoncé que les 850 EVO allaient désormais être équipés de telles puces, reste à voir si cela aura une influence négative sur les performances des modèles aux plus petites capacités.

Cette nouvelle arrive quelque jours après celle de SanDisk et Toshiba qui ont annoncé une puce similaire il y a quelques jours, mais qui ne sera pas produite avant l'an prochain.

SanDisk et Toshiba, qui sont pour rappel associés pour la production de NAND au sein de la joint-venture Flash Forward, viennent d'annoncer une nouvelle étape côté NAND 3D. Après l'annonce en mars d'une puce de 128 Gbits (16 Go) en MLC, c'est au tour d'une puce 256 Gbits (32 Go) en TLC, soit avec 3 bits stockés par cellule au lieu de 2 en MLC, de voir le jour.

Dans les deux cas c'est une structure verticale de type BiCS (Bit Cost Scalable) qui est utilisée, avec 48 couches. Cette mémoire devrait arriver sur le marché en 2016 et sera produite dans la nouvelle Fab2 située à Yokkaichi au Japon qui sera terminée au premier semestre de cette même année.