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Si Samsung a mis en ligne le correctif tant attendu pour les performances en lecture des 840 EVO ce matin, les utilisateurs de l'autre SSD en mémoire TLC du constructeur, le 840, sont pour le moment laissés pour compte.

Le Samsung 840 semble en effet affecté par un problème du même type comme en atteste les tests effectués par des utilisateurs, ce message sur Overclock.net  en répertorie quelques-uns. Pourtant la communication officielle de Samsung va jusqu'à complètement nier le problème, comme en atteste cet extrait d'une Q&A fournie à des confrères anglophones qui ont eu accès au Samsung SSD 840 EVO Performance Restoration Software il y a quelques jours :

Does this problem affect the 840? 830? 840 PRO?
No. The problem only occurs on the 840 EVO.

Les nombreux possesseurs de 840 apprécieront.

Samsung vient d'annoncer un nouveau SSD, le Samsung 840 EVO. Comme le 840, il utilise de la mémoire Flash TLC fabriquée par Samsung, mais cette fois il s'agit de puces de 16 Go gravées en 19nm au lieu de puces 8 Go en 21nm auparavant.

Le contrôleur Samsung est toujours basés sur un processeur ARM à 3 cœurs, mais avec notamment des modifications de firmware destinées à supporter ces nouvelles puces ainsi qu'une augmentation de la fréquence de 100 MHz pour passer à 400 MHz. Le cache DRAM varie de 256 Mo sur la version 120 Go à 1 Go pour les modèles 750 Go et 1 To en passant par 512 Mo sur les 250 et 500 Go.

Samsung en profite pour faire grimper la capacité du 840 EVO qui sera disponible en Août en versions 120 Go, 240 Go, 500 Go, 750 Go et 1 To avec des prix respectifs de 110, 190, 370, 530 et 650$. Les 840 EVO seront garantis 3 ans, comme les 840.

Côté performances, Samsung annonce des débits en écriture en très nette hausse puisque la version 120 Go serait capable d'atteindre 410 Mo /s, contre 130 Mo /s pour le Samsung 840. Le débit maximal de 520 Mo /s serait atteint dès la version 250 Go /s, contre 250 Mo /s pour un 840 250 Go et 330 Mo /s pour un 840 500 Go.


Ce gain impressionnant ne s'applique pas aux écritures aléatoires qui sont en légère hausse, et il est lié à une nouvelle technologie dénommée TurboWrite. Samsung réserve en fait une partie de la mémoire TLC pour faire office de cache en l'utilisant comme de la SLC, une méthode déjà employée sous une autre forme par OCZ sur ses Vertex 4 / Vertex 450 / Agility 4 / Vector. Samsung réserve ainsi 36 Go, 27 Go, 18 Go et 9 Go de mémoire TLC pour disposer de 12, 9, 6 et 3 Go de cache TurboWrite sur les versions 1 To, 750 Go, 500 Go et 250/120 Go. Il faut soustraire de l'overprovisionning, et logiquement l'emplacement physique du TurboWrite variera afin d'uniformiser l'usure des cellules.

Les débits séquentiels annoncés sont donc ceux de ce cache TurboWrite, les données étant transférées vers des cellules TLC utilisées en tant que telle lorsque le PC ne fait plus d'accès sur le SSD. S'il est rempli, les données sont directement écrites en TLC avec des débits qui seront de l'ordre de ceux d'un Samsung 840 classique.

Le TurboWrite permet donc à Samsung d'afficher de plus gros scores en écriture séquentielle pour son Samsung 840 EVO, un avantage certain d'un point de vue marketing mais qui est relativement trompeur. En effet dans le cas d'un volume d'écriture supérieur à la taille du TurboWrite, seul moment où l'apport d'un tel débit se fera vraiment sentir, on retombera à un niveau bien inférieur. Il serait donc plus honnête que Samsung ne communique pas sur le débit maximal mais sur une intervalle.

Autre problème, TurboWrite va amputer le SSD d'une grande partie de la Flash jusqu'alors réservée pour les optimisations interne du contrôleur destinées entre autre à réduire l'usure de la Flash (provisionning et overprovisionning), et il augmentera l'amplification en écriture du SSD et donc son usure à terme puisque pour écrire 3 Mo de données on écrit non pas 1 millions de cellules en TLC mais 3 millions en SLC puis 1 millions en TLC, soit 4 fois plus ! Même si la mémoire TLC Samsung s'est avérée assez endurante en pratique sur le 840 et que le fait d'écrire en "mode SLC" sur une mémoire TLC use probablement moins une cellule qu'une écriture en "mode TLC", on ne peut s'empêcher de se demander si le TurboWrite n'est pas une fausse bonne idée, et si il ne serait pas préférable que Samsung permette sa désactivation via son utilitaire Samsung Magician !

Nos confrères de Hardware.info ont mené une expérience intéressante pour déterminer l'endurance des SSD basés sur la mémoire TLC. Pour rappel, la mémoire flash TLC est basée sur des cellules qui peuvent stocker 3 bits d'information, contrairement à la MLC qui en stocke 2 (1 pour la SLC). Une des conséquences de ce changement est que ces cellules sont moins endurantes : les puces MLC 25nm sont généralement garanties pour 3000 cycles d'écriture (on était plutôt à 5000 pour la MLC 34nm) lorsque l'on parle de 1000 cycles pour la TLC.

Comme nous l'avons vu dans notre dernier comparatif , de multiples mécanismes existent pour compenser et étendre cette longévité. Il y a bien entendu l'overprovisionning, mais aussi la qualité du contrôleur en lui même utilisé dans les SSD. Des tests pratiques réalisés sur le forum Xtremsystems  montrent qu'en pratique, on dépasse pour un disque significativement l'endurance annoncée sur les puces.

Pour réaliser ce test, Hardware.info a utilisé deux modèles 250 Go du Samsung 840. En pratique, le premier disque aura tenu l'équivalent de 2945 cycles d'écriture (707 TiB) avant d'obtenir un premier secteur réalloué, et 3187 cycles (764 tiB) avant que des données soient définitivement perdues. Les performances du second disque testé sont sensiblement identiques. Un niveau de fiabilité qui semble donc amplement satisfaisant pour un usage classique.

Vous pouvez consulter l'article de nos confrères dans son intégralité à cette adresse .