Actualités informatiques du 01-12-2009
- Des précisions sur l'AMD Bulldozer
- Samsung passe au 3 bits / cellule
- Flash NAND MCL DDR pour Samsung
- Dossier: L'immersion dans les jeux avec 3D Vision et Eyefinity
Flux XML avec la liste des 20 dernières actualités.
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Actualités précédentes - Lundi 30 Novembre 2009
Des précisions sur l'AMD Bulldozer
AnandTech a pu obtenir auprès d’AMD quelques précisions concernant l’architecture Bulldozer, et plus précisément sur les implications de l’intégration de deux blocs destinés à l’exécution des entiers (cf. cette actualité).
Première chose, l’intégration de ce second bloc serait assez coûteuse en terme de transistors, puisqu’elle nécessiterait 50% d’espace en plus sur le die. Certes, c’est moins qu’un doublement de la taille du die qui est nécessaire pour doubler tout, mais c’est bien plus que l’HyperThreading qui nécessite moins de 5% de plus.
Deuxièmement, selon AMD le bénéfice de ce second bloc en terme de performance serait très important puisque de 80% sur un code tirant partie du multithread. Une bonne nouvelle donc, même si ce gain restera limité aux calculs portant sur les entiers.
Pour finir, tout ceci aura un impact sur la façon de compter les core chez AMD. Ainsi, Bulldozer est considéré par AMD comme un dual core, puisqu’intégrant deux blocs pour l’exécution des entiers et ce même si il y’a un seul bloc pour les flottants. Si on peut comprendre les raisons amenant à ce choix, il conviendra d’analyser en temps voulu ses impacts en pratique.
Samsung passe au 3 bits / cellule
Après Toshiba et IM Flash Technologies (Micron / Intel), c’est au tour de Samsung d’annoncer des mémoires Flash NAND MLC stockant 3 bits par cellule (MLC 3PBC). Le fabricant indique avoir débuté la production en volume de ces puces gravées en 30nm. Pour rappel ce type de mémoire n’est destiné qu’aux clés USB et aux cartes mémoires, leurs performances et leur endurance n’étant pas suffisante pour une intégration sur un SSD.
Flash NAND MCL DDR pour Samsung
Samsung vient d’annoncer qu’il avait débuté la production en 30nm d’une puce 4 Go Flash NAND MLC ayant la particularité d’avoir une interface de type DDR. Cette puce arrive 8 mois après la première puce MLC 30nm de Samsung, bien que ces dernières aient encore des problèmes de performances qui font qu’elles ne sont pas utilisées sur les SSD. Selon Samsung, ces nouvelles NAND Flash MLC DDR offriraient un débit 3 fois supérieur aux puces SDR.
Dossier : L'immersion dans les jeux avec 3D Vision et Eyefinity
Avec Eyefinity et 3D Vision, AMD et Nvidia essayent d'améliorer l'immersion dans les jeux vidéo. Voici notre avis suite à de nombreuses heures de jeu en compagnie de ces technologies.
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