Samsung passe au 3 bits / cellule

Après Toshiba et IM Flash Technologies (Micron / Intel), c’est au tour de Samsung d’annoncer des mémoires Flash NAND MLC stockant 3 bits par cellule (MLC 3PBC). Le fabricant indique avoir débuté la production en volume de ces puces gravées en 30nm. Pour rappel ce type de mémoire n’est destiné qu’aux clés USB et aux cartes mémoires, leurs performances et leur endurance n’étant pas suffisante pour une intégration sur un SSD.