Flash NAND MCL DDR pour Samsung

Publié le 01/12/2009 à 08:48 par
Imprimer

Samsung vient d’annoncer qu’il avait débuté la production en 30nm d’une puce 4 Go Flash NAND MLC ayant la particularité d’avoir une interface de type DDR. Cette puce arrive 8 mois après la première puce MLC 30nm de Samsung, bien que ces dernières aient encore des problèmes de performances qui font qu’elles ne sont pas utilisées sur les SSD. Selon Samsung, ces nouvelles NAND Flash MLC DDR offriraient un débit 3 fois supérieur aux puces SDR.

page précédente   Dossier: L'immersion dans les jeux avec 3D Vision... Samsung passe au 3 bits / cellule   page suivante
Vos réactions

Les commentaires ne sont pas autorisés pour ce sujet

Sondage

  • Envisagez-vous de passer à RX Vega ?
  • Oui, en version RX Vega 64 - 10.39%
    11%
  • Oui, en version RX Vega 56 - 8.23%
    9%
  • Oui, mais j'attendrais les customs - 12.3%
    13%
  • Non, j'ai déjà un GPU équivalent ou supérieur - 24.44%
    25%
  • Non, mon budget GPU est inférieur à 399$ - 16.87%
    17%
  • Non, je n'ai pas besoin d'un GPU si performant - 11.06%
    12%
  • Non, j'attends la prochaine génération - 16.71%
    17%

Top articles