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Alors que la DDR4 commence à peine à se démocratiser avec l'arrivée de Skylake, Samsung a profité de l'IDF pour parler de l'après DDR4. D'après les projections de Samsung, cette mémoire devrait faire son apparition aux alentours de 2020, en premier lieu sur serveurs.

Côté vitesse cette mémoire pourrait atteindre un débit de 3.2 à 6.4 Gbps (soit "DDRx-6400"), avec une capacité par puce de 8 à 32 Gb, le tout gravé en moins de 10nm. Samsung indique au passage qu'une bande passante de 51,2 Go /s par canal en 64-bit nécessitera probablement un nouvel interfaçage, évoquant un passage à des connexions optiques. Cela ne serait pas sans conséquence sur les coûts, si bien qu'on peut se demander si cette future mémoire ne serait alors pas réservée aux serveurs, les PC "classiques" se contentant d'une mémoire HBM très rapide mais non upgradable intégrée au sein du packaging CPU.

Enfin Samsung a rapidement évoqué les mémoires intermédiaires entre DRAM et NAND telles que la TT-MRAM, la PRAM et la Re-RAM, indiquant toujours travailler sur le sujet mais que les technologies manquaient encore de maturité.

Lors de l'IDF, Samsung a annoncé qu'il allait lancer en 2016 de la mémoire HBM. Pour rappel ce type de mémoire a été co-développée par AMD et Hynix et est devenu un standard ratifié par le Jedec, il a fait sa première apparition sur les R9 Fury X.

A l'instar de la seconde génération de HBM Hynix prévue également pour l'an prochain, la HBM de Samsung sera basée sur des dies de 8 Gb qui seront empilés par 2, 4 ou 8 au sein de puces capables de fournir une bande passante de 256 Go /s chacune.

Cela permettra d'envisager de nombreuses configurations, de 2 Go à 256 Go /s à 48 Go à 1.5 To /s, les GPU haut de gamme devant probablement se "contenter" de 8 à 16 Go à 1 To /s, une bande passante doublée par rapport à la Fury X qui devrait être la bienvenue avec le passage des GPU au 14/16nm.

Alors que certaines rumeurs indiquaient qu'AMD allait avoir les faveurs d'Hynix en ce qui concerne l'approvisionnement en HBM de seconde génération du fait de leur passif, l'arrivée de Samsung sur ce marché devrait donc faire les affaires de Nvidia qui prévoit également d'utiliser ce type de mémoire avec sa prochaine architecture Pascal.

Le partenaire d'Intel sur la mémoire 3D XPoint était présent sur l'IDF avec un stand ou l'on pouvait apercevoir un wafer de NAND 16nm, ainsi qu'un module 3D NAND de 256 Gbits.

La société a également effectué une présentation ou elle a évoqué ses technologies mémoires. Le constructeur continue de travailler sur l'Hybrid Memory Cube (HMC), une technologie qui supperpose des dies de mémoires avec une couche de contrôleurs logiques. La troisième génération est en cours de développement même si l'on ne sait pas encore ce qu'elle apportera.

Micron est également revenu sur la complexité de la fabrication de la mémoire DRAM a 20nm et au dela. L'augmentation des coûts via les masques et les opérations rend de plus en plus difficile chaque passage à un nouveau node. Malgré tout le fabricant s'est felicité de ses yields atteint en 20nm et a indiqué travailler sur le 15nm et au delà.


Côté NAND, Micron a confirmé que le 16nm serait son dernier node « traditionnel » et qu'il passait au delà à une gamme 100% 3D NAND. Cette variante de la NAND permet pour rappel de construire les cellules verticalement pour les empiler en augmentant la densité. Un avantage important qui permet d'utiliser des process plus anciens, et mieux maitrisés, autour de 50nm pour la première génération de Micron. La seconde génération de 3D NAND apparaitra en 2016.

3D XPoint a été peu évoqué, si ce n'est sur le fait qu'il y aura une seconde génération de cette mémoire en 2016. On notera que Micron parle toujours sur ses roadmaps d'une seconde nouvelle mémoire qui arriverait en 2017. Une variante de STTRAM (Spin Transfer Torque RAM) semble être l'une des possibilités, il faudra attendre un peu avant d'en savoir plus !

G.Skill lance de nouveaux kits DDR4 destinés aux futurs Skylake, les Ripjaws V et Trident Z. Les vitesses vont de DDR4-2133 à DDR4-4000, un nouveau record plutôt impressionnant ! Celle-ci est atteinte sur un kit 8 Go (2x4 Go) validé sur une carte mère ASRock Z170 OC Formula à une tension comprise entre 1.35 et 1.40V.

La gamme est très (trop ?) large avec pas moins de 12 niveaux de fréquences, jusqu'à 4 capacités par fréquence et deux niveaux de tensions, sans compter les divers coloris. Les tensions sont généralement de 1.2V de DDR4-2133 à DDR4-2800, et de 1.35V entre DDR4-2800 et DDR4-3800. Côté latences, elles sont forcément relâchées à haute fréquence avec 17-18-18-38 en DDR4-3600, 18-20-20-38 en DDR4-3800 et 19-25-25-45 en DDR4-4000, une hausse très importante pour ce dernier kit qui fait qu'en pratique il pourrait être… moins rapide que le DDR4-3800 !

Les tarifs n'ont pas été communiqués, mais ils augmenteront logiquement de manière exponentielle au-delà de la DDR4-3000.

Comme vous le savez, depuis l'incendie dans une usine SK Hynix à la rentrée 2013 les prix de la mémoire ont été des plus fluctuants. Ainsi alors qu'il fallait compter 3,14$ pour une puce de 512 Mo DDR3-1600 avant, les tarifs ont rapidement grimpé au plus haut à près de 4,3$.

Alors que les prix avaient commencé à redescendre à la faveur d'un retour à la normale du niveau de production chez SK Hynix fin 2013, ils étaient ensuite repartis à la hausse et on était tout de même à 4,42$ cet été. Depuis, les prix baissent régulièrement et nous sommes enfin repassé au niveau d'avant l'incendie à la mi-avril. Mieux, la baisse continue et il fallait compter 2,672$ à ce jour, soit une baisse de 15% en 2 mois et 40% en 11 mois. Bien entendu la baisse est en partie compensée par le taux de change EUR/USD même si ce dernier est moins défavorable ces dernières semaines.

La DDR4 a également suivi un chemin similaire, mais les cotations de DRAMeXchange il faut tout de même compter un surcoût de 38% pour une puce 512 Mo DDR4-2133 qui est à 3,695$ aujourd'hui. Au-delà du pourcentage, en valeur absolue le surcoût de la DDR4 est tout de même bien plus raisonnable qu'à une époque puisqu'il est donc ramené à 32,736$ sur 16 Go (118,24$ de puces en DDR4-2133 au lieu de 85,504$ en DDR3-1600).