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IDF: Samsung parle de l'après DDR4, pour 2020
IDF: Samsung lancera sa HBM en 2016
IDF: Roadmap mémoire Micron
DDR4-4000 chez G.Skill !
Les DDR3 et DDR4 toujours en baisse
Le JEDEC pose les bases de la HBM 2
Le JEDEC vient d'annoncer la publication d'une mise à jour de son standard concernant la HBM. Le document JESD235A, daté en fait de novembre 2015 remplace donc le JESD235 d'octobre 2013. Ce document pose les bases nécessaires à la HBM de seconde génération, avec des capacités par puce pouvant atteindre 8 Go via 8 dies empilés pour une bande passante de 256 Go /s via un bus 1024 bits. Pour rappel la HBM SK Hynix utilisée par AMD sur Fury est constituée de puces 1 Go à 128 Go /s.
Le standard intègre également un nouveau mode d'adressage qui permet de subdiviser les canaux 128 bits interne à la puce en sous-canaux de 64 bits ce qui permet de réduire la taille du prefetch et d'augmenter la bande passante effective. Ce mode de fonctionnement est optionnel pour les canaux de 1 à 4 Gb mais obligatoire en 8 Gb.
SK Hynix et Samsung sont sur les rails pour produire en volume de la HBM de seconde génération en 2016 afin d'offrir aux futurs GPU haut de gamme 14nm la bande passante qu'ils méritent.
64 Go en DDR4-3200 chez G.Skill
Si votre cœur balance entre vitesse et capacité, G.Skill a pensé à vous et lance 2 kits de 64 Go en DDR4-3200. Egalement déclinés en versions 16 Go (2x8) et 32 Go (2x16 ou 4x8), ils comportent 4 barrettes de 16 Go et fonctionnent à 1.35V pour des latences de 15-15-15-35 pour le Ripjaws V et 14-14-14-34 pour le Trident Z. Ces kit sont destinés aux cartes mères Z170, l'annonce de G.Skill ne donne par contre aucune indication côté tarif…
128 Go en RDIMM DDR4 chez Samsung
Samsung vient d'annoncer la production en volume de barrette DDR4 de 128 Go Registered ECC. Pour atteindre une telle capacité, la barrette intègre 36 packaging intégrant chacun 4 die DDR4 de 1 Go gravés en 20nm empilés via la technologie TSV, soit 144 puces au total (mais 128 Go utiles du fait de l'ECC).
A noter que si Samsung annonce qu'il s'agit d'une première, SK Hynix avait annoncé l'échantillonnage d'une barrette similaire en avril 2014, avec à l'époque une production en volume prévue pour le premier semestre 2015. SK Hynix semble toutefois avoir un peu de retard puisqu'aux dernières nouvelles la disponibilité n'était pas prévue avant ce dernier trimestre.
Mémoire 20nm en production chez SK Hynix
SK Hynix a annoncé avoir lancé la production en masse de mémoire 20nm. La société n'a pas précisé quel type de mémoire était concerné mais l'annonce fait suite à Samsung qui avait en mars annoncé la production de DDR3, puis de Micron durant l'été, mais uniquement sur de la GDDR5 pour ce dernier (la production de DDR3/4 devant être migrée en fin d'année).
Interrogé sur le marché de la mémoire, le président de SK Hynix n'était pas très confiant, voyant un marché difficile pour le monde du PC et un peu plus favorable sur la mobilité. Avec dans tous les cas des prix qui continueraient à baisser de manière continue. En début de mois, nous notions la nouvelle chute de la mémoire avec des prix bas pour la DDR3 et la DDR4. Une situation qui ne s'est pas arrangée puisqu'en 10 jours, le prix des puces 512 Mo de DDR3 et DDR4 ont perdus encore respectivement 2 et 4.6%.
En parallèle, Hynix a confirmé qu'il produira une petite quantité de 3D NAND 36 couches avant la fin de l'année, et des modules 48 couches en 2016. On sait que Samsung a déjà commencé la production de sa V-NAND 48 couches durant l'été, et que Toshiba et Sandisk ont également annoncé des puces de ce type, mais pour une mise en production en 2016.
La DRAM continue de chuter
Nous notions en juin dernier la baisse continue de la mémoire DDR3 depuis l'incendie de l'usine SK Hynix en 2013. A l'époque, le cout d'une puce mémoire de 512 Mo de DDR3-1600 se négociait à 2.672$.
Les prix ont continué de chuter durant l'été et en septembre, le prix contractuel pour les modules SO-DIMM 4 Go (nécessitant huit puces de 512 Mo) est tombé sous la barre des 18.50$, une première que rapporte TrendForce . Côté puces le prix des puces 512 Mo de DDR3-1600 est au moment où nous écrivons ces lignes de 2.122$, ce qui représente une baisse de plus de 20% par rapport au mois de juin.
La mémoire DDR4 a également vu ses prix chuter puisque sur le mois de septembre, un module SO-DIMM 4 Go DDR4-2133 se négociait à 20$. L'écart sur les prix instantané est un peu plus élevé puisqu'il faut compter aujourd'hui 2.716$ pour une puce 512 Mo. Si l'on ramène cela au cout des puces pour un kit de 16 Go, il faut compter 67,904$ de puces pour de la DDR3, et 86,912$ pour de la DDR4. Un surcout brut de 28% (contre 38% en juin !) qui semble être atténué en prime par un effet de stock important sur la DDR4. TrendForce pointe du doigt que Windows 10 n'a pas eu l'effet escompté par beaucoup, et a peut-être même eu un effet inverse sur les ventes de portables au troisième trimestre, généralement une période de vente faste.
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