Actualités mémoires
Les 5 actualités précédentes
DDR4-3400 également chez G.Skill
GDDR5 1 Go et 8 Gbps chez Samsung
CES: Un kit DDR4-3400 à 999$ chez Corsair
La ReRAM toujours aussi prometteuse...
GDDR5 8 Gbps et HBM 128 Go /s chez Hynix
Les NVDIMM ont un standard JEDEC
L'organisme de normalisation JEDEC vient d'annoncer qu'il avait approuvé le premier standard concernant la NVDIMM (Non-Volatile DIMM). La spécificité de ces mémoires est d'intégrer de la mémoire non-volatile et non plus simplement de la DRAM.
Une barrette NVDIMM-N combine à la fois de la DRAM DDR4 et de la NAND Flash. En cas de coupure de courant inopinée, les données en DRAM sont sauvegardées en NAND, de gros condensateurs se chargeant de l'alimentation pendant l'opération. Plusieurs constructeurs tels que Viking Technology ou Micron, associé à AgigA Tech, produisent déjà ce genre de module en DDR3. Pour le moment la zone NAND n'est pas directement accessible par l'utilisateur mais il est possible que ce soit le cas sur une future NVDIMM-N2.
Pour la NVDIMM-F c'est un peu différent puisque la Flash est seule présente sur la barrette et permet d'obtenir un stockage de masse directement accessible via le bus mémoire, à l'instar de l'ULLtraDIMM de SanDisk co-développé avec Diablo Technologies. L'intérêt se trouve ici du côté de la densité mais aussi de la latence liée au bus mémoire.
Kits 128 Go DDR4 Unbuffered chez Corsair
Corsair annonce la disponibilité de kits de 128 Go (8x16 Go) à destination de la plate-forme X99. Trois déclinaisons sont annoncées :
- Vengeance LPX DDR4-2400 14-16-16-31 @ 1.2V : 1755$
- Dominator Platinum DDR4-2400 14-16-16-31 @ 1.2V : 1980$
- Dominator Platinum DDR4-2666 15-17-17-35 @ 1.2V : 2120$
Ces nouvelles barrettes de 16 Go Unbuffured sont rendues possibles par la disponibilité de nouvelles puces de DDR4 dont la capacité est doublée et atteint 1 Go. Corsair indique que ces kits sont les premiers au monde à être disponible, reste à voir si cela se vérifiera en pratique mais en tout cas ce ne sont pas les premier annoncés puisque G.Skill a lancé fin avril un kit DDR4-2400 16-16-16-36 @ 1.35V, sans en préciser le tarif. Il y a quelques jours Kingston a même indiqué avoir atteint DDR4-3000 sur des kits HyperX Predator qu'il dévoilera au Computex.
DDR4-3666 chez G.Skill
G.Skill vient d'annoncer avoir franchi une nouvelle étape dans la montée en puissance de la DDR4 avec la mise sur le marché d'un kit de 16 Go DDR4-3666. Il intègre 4 barrettes de 4 Go basées sur des puces 512 Mo Samsung.
La validation est faite à 1.35v sur Gigabyte X99-SOC Champion et si le communiqué ne fait pas mention des latences elles sont présentes sur le screenshot : 18-18-18-36 ! On comprend que G.Skill ne désire pas s'en vanter, sachant que sa DDR4-3400 en 16-16-16-36 semble plus avantageuse…
128 Go en DDR4-2800 chez G.Skill sur LGA2011-v3
G.Skill vient d'annoncer le kit DDR4 128 Go le plus rapide à ce jour puisqu'il fonctionne en DDR4-2800. Les latences sont de 16-16-16-36 pour une tension de 1.35v, et le tout a été validé sur ASUS X99 Rampage V Extreme.
Ce kit devrait être très cher, probablement nettement plus de 2000 €, mais G.Skill déclinera également la capacité de 16 Go par barrette sur des kits par 4 et avec des vitesses inférieures, DDR4-2133 par exemple. Pour atteindre une telle capacité sur des barrettes Unbuffered G.Skill intègre les toutes dernières puces DDR4 1 Go fabriquées en 20nm par Samsung dont la production a débuté en octobre 2014.
Officiellement le contrôleur mémoire des processeurs Core i7 LGA2011-v3 se limite à des puces de 512 Mo ce qui fait qu'Intel annonce une capacité maximale de 64 Go, mais déjà en LGA2011 ASUS avait trouvé une parade pour supporter 128 Go de DDR3. On ne sait pas si cette fois un bios spécifique est nécessaire.
STT-MRAM 80% plus économe que la SRAM chez Toshiba
Avec la Resistive RAM (RRAM ou ReRAM) et la Phase-change RAM (PRAM), la Spin-transfer torque magnetic RAM (STT-RAM ou STT-MRAM) est l'une des mémoires non-volatiles en développement depuis des années et qu'on annonce comme révolutionnaire, pouvant remplacer selon les besoins la DRAM, la SRAM et la NAND.
Lors de l'ISSCC 2015 Toshiba a présenté une puce prototype de 1 Mb qui a pour intérêt d'avoir une vitesse suffisante pour remplacer la SRAM pour un cache de dernier niveau (LLC), avec un temps d'accès de 3.3ns, tout en ayant une consommation réduite de 80% par rapport à la SRAM actuelle. Déjà l'an passé lors de la conférence VLSI une consommation en baisse de 60% avait été évoquée, on est donc au-delà grâce notamment à un usage plus intensif du power gating. C'est bien entendu surtout sur des SoC très basse consommation que ce type de gain aura un intérêt.
A terme Toshiba dit viser une baisse de 90% de la consommation par rapport à la SRAM classique d'ici à la fin de son année fiscale soit le 31 mars 2016. Reste à savoir quand tout ceci sera utilisé sur des produits commerciaux !
Les 5 actualités précédentes
