3 millions d'IOPS pour un SSD HGST en PRAM

Tags : HGST; PRAM;
Publié le 05/08/2014 à 16:22 par
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HGST, filiale de Western Digital, annonce avoir mis au point un prototype de SSD capable d'atteindre le chiffre faramineux de 3 millions d'IOPS sur un SSD. Ce chiffre a été obtenu en aléatoire avec des accès en lecture de 512 octets, HGST annonce par ailleurs une latence de 1.5 µs. A titre de comparaison, ce SSD est donc environ 30 fois plus rapide que les meilleurs SSD SATA.

Pour arriver à de tels résultats le prototype de HGST utilise de la mémoire à changement de phase, ou PRAM, au sein d'un SSD utilisant une interface PCie x4 Gen2. Fabriquées en 45nm, les puces de PRAM utilisée affichent une densité de 1 Gb, bien loin des puces présentées par Samsung en 2011 qui étaient en 20nm pour une capacité de 8 Gb.


Histoire de remettre (un peu) les pieds sur terre, HGST a lancé simultanément un nouveau SSD PCie x8 Gen3, le FlashMAX III. Décliné en versions 1100, 1650 et 2200 Go, la version 1100 Go affiche un débit de 2.7 Go /s en lecture et 1.4 Go /s en écriture pour 549 000 IOPS en lecture et 295 000 IOPS en écriture (53 000 soutenues sur un SSD plein). La latence est cette fois de 20 µs, pour une endurance en écritures aléatoire de 2 écritures complètes par jour pendant 5 ans.

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