Une puce PRAM 8-Gbit chez Samsung

Tags : PRAM; Samsung;
Publié le 01/12/2011 à 16:50 par / source: EETimes
Envoyer Imprimer

Les ingénieurs de Samsung effectueront la présentation d'une nouvelle puce de type PRAM en février prochain lors de la conférence dédiée aux circuits intégrés, l'ISSCC qui se tiendra du 19 au 23 février prochain à San Francisco. La technologie PRAM, également dite de mémoire à changement de phases est une technologie mémoire non volatile qui présente comme avantages théoriques principaux une augmentation drastique de la bande passante et de la durée de vie, tout en réduisant le cout de la remise à zéro d'une cellule, particulièrement gourmand sur les technologies Flash. L'implémentation pratique sous la forme de produits reste cependant assez limitée même si IBM (voir cette actualité précédente) et Samsung investissent assez fortement sur le sujet.


Un prototype de PRAM d'IBM en 90nm

Après avoir fait la démonstration d'une puce PRAM gravée en 58nm l'année dernière, Samsung annonce ici avoir produit une puce PRAM en 20nm, un bond en avant significatif pour la technologie. Côté densité, la puce atteint 8 Gbit, là ou le modèle 58nm atteignait simplement 1 Gb. La tension d'alimentation de la puce reste à 1.8V et atteint une bande passante de 40 Mo /s. La puce continue d'utiliser en effet une interface mémoire LPDDR2-N, équivalente à celle utilisée dans les smartphones. Le reste des caractéristiques techniques et des avancées seront dévoilées en partie la semaine prochaine par Samsung lors d'une réunion de l'IEDM.

Vos réactions

Top articles