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EK Water Blocks vient d'annoncer  la mise sur le marché d'un nouveau bloc de watercooling destiné spécifiquement aux SSD 750 Series d'Intel. Nous vous avions présentés ces SSD PCI Express compatibles NVMe dans cette actualité.

Le bloc a été développé par EK Water Blocks en collaboration avec Intel, on ne s'étonnera donc pas d'y retrouver le logo de la firme de Santa Clara. La base est en cuivre recouverte de nickel tandis que la plaque avant est en acier inoxydable. En plus du système d'alimentation classique latéral, un système additionnel avec fixation vers le haut est fourni pour ceux qui n'auraient pas suffisament d'espace pour le bloc.

Si l'on peut se poser la question de l'intérêt d'un waterblock pour un SSD, on rappellera tout de même que les SSD modernes haut de gamme, du fait de l'augmentation de la densité et des performances tendent à voir leur consommation, et donc leur chauffe augmenter particulièrement en cas de charge soutenue. Le SSD 750 Series d'Intel par exemple, dispose d'une consommation en charge soutenue non négligeable, de 22 watts. Certains SSD (comme le SM951 de Samsung) voient leurs performances baisser au bout de plusieurs minutes de charge soutenue faute de refroidissement de leur contrôleur.

Comptez 90 euros pour ce bloc qui commence à être disponible dès aujourd'hui chez les revendeurs partenaires de la marque.

Le premier Keynote de cet IDF était l'occasion d'assez peu d'annonces concrètes même si certaines étaient intéressantes. Brian Krzanich n'aura pas parlé du tout des architectures à venir ou du retard du 10nm, préférant évoquer de grandes idées, parfois un peu vagues. Peut être pour ne pas parler des choses qui fâchent !

On passera donc rapidement sur les différentes initiatives logicielles et les divers partenariats mis en avant. On retiendra surtout qu'Intel continue de pousser fortement derrière sa technologie de caméras 3D RealSense avec des SDK pour a peu près tous les OS (y compris pour les systèmes dédiés à la robotique et aux IoT), et que de nouveaux constructeurs vont proposer des caméras 3D comme par exemple Razer dont un modèle était montré.

On notera également l'arrivée de nouveaux SDK pour Curie , l'implémentation du SoC Quark qui avait déjà été présenté lors du CES et qui vise le marché des wearables.


Le constructeur annonçait également des partenariats pour EPID, Enhanced Privacy ID, une technologie d'identification poussée depuis quelques années par Intel (voir ce PDF de 2011 ) et pour laquelle la société annonçait deux partenariats avec des vendeurs de microcontroleurs IoT (Atmel et Microchip). Une des idées présentée derrière EPID était d'utiliser des bracelets connectés intelligents (qui reconnaissent leur porteur) pour effectuer l'identification et remplacer les mots de passe dans le cadre de l'entreprise.


La vraie annonce concernait Optane, le nom commercial qu'Intel utilisera pour la mémoire 3D XPoint qui avait été présentée brièvement fin juillet. Il s'agira du nom de la marque qui regroupera la mémoire 3D XPoint avec le contrôleur et les firmwares dédiés. Au delà de l'annonce du nom, le constructeur a fait une démo rapide d'un early prototype de SSD Optane connecté en PCI Express (le constructeur n'a pas dit sur combien de lignes il était connecté) comparé à un SSD DC P3700.


Plusieurs tests de performances ont été montrés, réalisés sous IOMeter, montrant un avantage de 5 à 8x « pratique » selon les charges (70/30 lecture/ecriture, et lecture en QD 1 à 8) par rapport au SSD DC P3700. Pour ce qui est des détails techniques, nous n'en aurons pas eu durant le keynote. Nous avons tout juste obtenu la confirmation qu'Intel proposera des disques au format « SSD » mais également sous la forme de DIMM DDR4. Des DIMM qui seraient utilisables sur une future plateforme serveur Intel non annoncée ou elle pourrait même cohabiter avec des DIMM de DRAM classiques (on ne sait pas de quelle manière). Il faudra attendre l'année prochaine pour avoir plus de détails !

Intel et Micron viennent d'annoncer conjointement une nouvelle technologie de mémoire baptisée « 3D XPoint » (à prononcer « 3D Crosspoint »). Les deux sociétés ont présenté cette technologie comme une nouvelle classe de mémoire, à mi-chemin entre la DRAM et la NAND. Il s'agit d'une technologie mémoire non volatile (comme la NAND) mais annoncée comme significativement plus rapide.

Les deux sociétés ont été relativement muettes sur les détails mais on peut tirer quelques informations des grandes lignes qui ont été révélées. Techniquement on peut considérer 3D XPoint comme une « variante » de la NAND dont elle modifie les deux éléments principaux, le switch et la cellule de stockage.

Au niveau de la cellule de stockage, et contrairement à de la NAND, on ne retrouve plus de transistor : les données ne sont plus stockées sous forme d'électrons mais en utilisant le changement de propriétés des matériaux utilisés pour créer les cellules (les blocs jaunes/verts sur le schéma). Le type de matériaux utilisés (deux, étant donné les deux couleurs ?) n'est malheureusement pas précisé et l'on n'aura pas eu plus de détails sur le fonctionnement exact durant la présentation, même si Intel a confirmé à nos confrères d'EETimes  qu'il s'agissait bien de "changement de résistance", ce qui permet de classer 3D XPoint comme une variante de ReRAM. On sait que Micron s'intéresse à la ReRAM depuis un moment, par exemple avec cette recherche avec Sony, mais a l'époque le concept utilisé était différent, utilisant des transistors. D'un point de vue structurel, on semble s'approcher un peu plus de ce que proposait Crossbar, même si là encore l'absence de transistors est l'une des différences principale.

L'autre innovation se situe au niveau du switch qui permet de sélectionner les cellules auxquelles on souhaite accéder en faisant varier la tension, un mécanisme là aussi dénué de transistor. En pratique, exit le concept de blocs de la NAND, on peut lire et écrire les bits de données individuellement ! Qui plus est, il est possible de superposer ces structures switch/cellules en hauteur pour améliorer la densité.


Les deux sociétés se félicitent de gros chiffres qui malheureusement ne sont pas expliqués, avançant des performances 1000x supérieures à la mémoire NAND, sans préciser de quelle NAND il s'agit, ou même tout simplement du type d'opération concerné ! On suppose, à la lecture de certains documents qu'Intel ne parle pas de débits mais de latence puisqu'il annonce que contrairement à la NAND dont la latence est mesurée en microsecondes, la latence de XPoint est mesurée en nanosecondes (une affirmation bien floue !) [MAJ : Un document dédié aux équipes marketing d'Intel - voir en commentaires - semble confirmer qu'il s'agit bien de la latence qui est utilisée pour le facteur de 1000x évoqué. Un facteur de 10x entre la latence XPoint et DRAM est également sous entendu. Le même document évoque, par rapport aux offres NVMe actuelles, un avantage de 10x sans plus de détails ce qui est déjà plus raisonnable]. On imagine en pratique que l'écart sera surtout le plus visible sur les écritures aléatoires - ce qui a été vaguement sous-entendu lors de la session de questions/réponses - ou l'écart avec la NAND parait le plus élevé d'un point de vue technique. La question de l'écart de performance sur les opérations de lectures a été écartée par les représentants des sociétés. On se félicitera tout de même (avec les mêmes réserves) du fait que l'endurance est annoncée comme 1000x supérieure à la NAND.

Par rapport à la mémoire DRAM, les sociétés ne qualifient cependant pas le niveau de performances, indiquant juste que la densité est 10 fois plus élevée.

Pour le reste les détails sont minces, aucune information sur le process de fabrication utilisé n'a été donnée par exemple (certains de nos confrères indiquent un process 20nm, mais nous n'avons pas pu confirmer l'information). Pour ce qui est de produits en pratiques, le premier sera une puce de 128 Gbit qui à l'intérieur superpose deux couches de cette nouvelle structure switch/cellule. Des échantillons de ces puces devraient être disponibles « cette année » tandis que côté produits finaux il faudra attendre 2016.


En pratique ces puces devraient pouvoir permettre de réaliser, côté grand public, des SSD PCI Express très rapides dans toutes les circonstances même si la question du prix a été éludée. Intel a cependant parlé de l'intérêt de cette mémoire pour le jeu en général, laissant penser qu'il y aura des applications grand public. Au-delà du stockage, c'est surtout côté serveur que cette mémoire devrait se présenter comme un tiers intermédiaire entre la DRAM classique et la NAND, autour des applications type « big data ». La manière dont ces produits se matérialiseront, ou s'interconnecteront, reste malgré tout floue. Intel et Micron proposeront chacun de leurs côté des produits issus de la technologie.

Sans plus de détails sur le cout de la technologie ou ses performances réelles il est difficile d'en tirer plus, d'autant que le représentant de Micron a indiqué que cette technologie ne remplacerait pas la NAND 3D en tant que produit (nous supposons que la NAND 3D gardera, au moins au début, un avantage de cout massif). Malgré tout, les innovations techniques semblent extrêmement intéressantes et pourraient remplacer à terme la NAND traditionnelle. Nous espérons qu'Intel dévoilera un peu plus de détails techniques lors son traditionnel Intel Developer Forum qui se tiendra cette année du 18 au 20 août.