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La conférence ISSCC (International Solid-State Circuits Conference) se tiendra pour son édition 2017 du 5 au 9 février à San Francisco, et nos confrères d'EEtimes  ont eu accès à l'avant programme.

Comme tous les ans les acteurs du milieu des semi conducteurs y présenterons leurs nouveautés, et l'on notera que TSMC et Samsung présenterons leurs cellules SRAM (utilisées notamment pour la mémoire cache dans les puces). L'année dernière, Samsung avait proposé deux versions distinctes pour son process 10nm, optimisées pour la densité ou les performances, de 0.040 µm² et 0.049 µm².

D'après nos confrères, TSMC présentera une cellule SRAM 7nm de seulement 0.027µm², tandis que Samsung présentera une cellule SRAM 7nm de 0.030µm², mais fabriquée en EUV. D'après Samsung, l'EUV permettrait de diminuer la tension minimale nécessaire de 39.9mV (TSMC indique aussi des optimisations basse tension, on attendra la conférence pour comparer l'impact ou non de l'EUV).

La SRAM est un composant fondamental des puces et sa taille permet en général de se donner une bonne idée des process. Cependant il faut être assez méfiant, les constructeurs annonçant parfois des "records" de densité qu'ils n'utilisent pas forcément en production. Nous avons rapporté dans le tableau ci dessous les chiffres les plus bas (correspondant aux bibliothèques "hautes densité") pour TSMC, Samsung et Intel :

Par rapport au tableau, on notera qu'Intel n'utilise pas cette SRAM haute densité dans ses processeurs, mais de la SRAM 0.059 µm². Même en prenant cela en compte, Intel garde la meilleure densité à 16/14nm pour la SRAM. Le constructeur ne fournit pas encore d'infos sur ses futurs process.

TSMC n'a pas donné non plus de chiffre exact pour son 10nm, estimant simplement 50% de réduction par rapport à son 16nm sur la SRAM, ce qui nous vaut un chiffre entre parenthèses. Selon toutes vraisemblances, et conformément aux autres annonces sur la densité (2.1x d'après le constructeur), on estimera que TSMC devrait avoir une SRAM d'une taille légèrement inférieure à celle de Samsung.

Intel ne devrait pas effectuer d'annonce sur ce sujet lors de l'ISSCC, ce qui est assez dommage. Le constructeur devrait présenter les FPGA Altera Stratix 10 (14nm) tandis qu'AMD proposera une présentation plus en détails de Zen.

On notera aussi que Western Digital/Toshiba, ainsi que Samsung, présenterons des puces 3D NAND 512 Gbit TLC 64 couches. Dans le cas de Samsung, cette puce avait été annoncée cet été, plus de détails techniques devraient être disponibles. Pour Western Digital/Toshiba, cette puce avait été évoquée cet été comme objectif.

On notera que nos confrères pointent à raison un grand absent : une fois de plus, ni Intel, ni Micron, n'effectueront de présentation technique de leur mémoire 3D Xpoint !

AMD a mis en ligne une nouvelle version de ses pilotes pour cartes graphiques, visant spécifiquement le support du jeu Dishonored 2.

Le constructeur annonce également avoir corrigé des bugs liés à sa technologie de cartes graphiques externes X-Connect avec Steam et Origin. Le téléchargement s'effectue directement sur le site du constructeur .

MAJ : AMD a mis en ligne une version 16.11.2 qui apporte une optimisation spécifique à Call of Duty : Modern Warfare Remastered.

Les pilotes graphiques continuent de s'enchaîner avec une deux nouvelles version successives chez AMD. Au programme pour cette version 16.11.2, on retrouve des optimisations pour les deux Call of Duty, Infinite Warfare et Modern Warfare Remastered.

Par rapport à la version 16.11.1 dont nous parlions plus tôt dans la journée, AMD a simplement modifié la taille de son cache de shaders qui limitait les performances dans Call of Duty : Modern Warfare Remastered.

AMD annonce également avoir ajouté un profil CrossFire pour Titanfall 2. Du côté des bugs, des clignotements de textures sous Battlefield 1 en CrossFire ont été corrigés, tout comme une suppression de crashs ou de ralentissement sous The Division, toujours en CrossFire.

Un crash spécifique a Unigine en OpenGL a également été corrigé. AMD annonce également avoir optimisé son support d'OBS Screen Capture qui pouvait créer des ralentissement lorsque l'on capturait des vidéos tout en regardant du contenu vidéo dans un navigateur web. Enfin, AMD annonce qu'il est désormais possible de "faire migrer" les applications Office vers l'iGPU lors d'une déconnexion d'une carte graphique externe XConnect. On imagine que précédemment, la situation créait des plantages.

Le téléchargement s'effectue comme toujours sur le site du constructeur 

Samsung vient d'indiquer par un communiqué de presse qu'il proposera une quatrième version de son process 14nm. Baptisée 14PLU, elle fait suite au 14LPE (Low Power Early, la première version dispo lorsque les yields étaient faibles), 14LPP (Low Power Plus, version un peu plus optimisée lorsque les yields étaient stabilisés), 14LPC (possiblement Low Power Compact, la version réduit les couts et fait écho au 16FFC de TSMC, tout en ajoutant la possibilité de pouvoir fabriquer des radios, indispensable pour la fabrication de modems par exemple).

Comme souvent, ces "variantes" de process sont des itérations autour d'une même technologie. Elles sont l'occasion d'annoncer des gains obtenus par l'optimisation de l'exploitation des process. Dans le cas de la version U, Samsung annonce des performances "plus élevées" à consommation égale, avec des règles de design identiques à son process 14LPC. Pour Samsung, le 14LPU est adapté aux utilisations "hautes performances" qui requièrent "beaucoup de calculs".

Un appel du pied à peine voilé aux fabricants de GPU et de SoC haut de gamme. Si Samsung a réussi a obtenir la fabrication de quelques GPU Nvidia (notamment les GP107 des GTX 1050), il s'agit de puces plus petites avec des niveaux de performances moindres par rapport au haut de gamme, qui reste toujours fabriqué chez TSMC. De la même manière, si AMD a fabriqué Polaris chez GlobalFoundries (sur un process techniquement identique à celui utilisé par Samsung, GlobalFoundries utilisant le process de Samsung sous licence), il ne s'agit pas non plus du haut de gamme (les raisons d'AMD étant beaucoup plus complexes).

La compétition avec TSMC est excessivement rude pour Samsung, qui tente avec cette quatrième version de s'attirer de nouveaux marchés. Le dernier "gros coup" du fondeur avait été la co-fabrication des SoC A9 d'Apple, un marché obtenu grâce au retard annoncé de TSMC. Un retard comblé en dernière minute par le fondeur Taiwanais. Les comparaisons directes sont toujours à double tranchant, et si Samsung avait bel et bien un avantage de densité sur son concurrent, sur le plan des performances TSMC restait, malgré la précipitation, en tête.

Cette version 14LPU tentera de combler ce déficit d'image même si selon toutes vraisemblances, TSMC gardera une main mise sur le haut de gamme sur ce node.

En parallèle, Samsung annonce également un 10LPU, qui sera cette fois la troisième version du 10nm de Samsung. Contrairement au 14LPU, le 10LPU augmentera la densité par rapport aux 10LPE/LPP, et Samsung le présente comme le 10nm proposant le cout le plus faible "de l'industrie". Le nom de 10LPC aurait probablement été plus adapté pour décrire ce process mais peu importe !

Dans les deux cas, il s'agit d'annonces puisque les kits de développement (PDK) pour le 14LPU et le 10LPU ne seront disponibles qu'au second trimestre 2017 ! On ne s'attendra donc pas a voir des produits les exploiter rapidement, le 10LPP entrera en production en volume pour rappel mi-2017.

On notera enfin que Samsung confirme une fois de plus sa volonté d'utiliser la lithographie EUV à 7nm, pour au moins une partie des couches de la puce. On rappellera que le 7nm de Samsung devrait arriver plus tard que le celui de son concurrent, la société ayant sous entendu à plusieurs reprises ces dernières semaines que le 10nm aurait une durée de vie plus longue qu'annoncée par certains.

TSMC tente en effet de lancer la production 7nm volume avec un an de décalage par rapport au 10nm (soit respectivement Q4 2016 pour le 10nm, et Q4 2017 pour le 7nm). Un rythme infernal qui ne sera suivi par personne d'autre (et largement financé, faut-il le rappeler, par Apple), mais sur lequel TSMC semble extrêmement confiant.

Thermalright vient d'annoncer l'arrivée d'une nouvelle version de son True Spirit 140. Nous avions eu l'occasion précédemment de vous parler de ses déclinaisons 120mm.

Ce nouveau modèle est baptisé True Spirit 140 Direct , il remplace l'ancien modèle BW et vient se placer en dessous du True Spirit 140 Power .

 

 

Contrairement au "Power" annoncé pour 360 watts, le modèle "Direct" se contente d'être annoncé pour 200 watts. Il s'agit d'un design tour assez compact, la hauteur est de 16.1cm tandis que les ailettes de la tour mesurent 14 par 4.2cm. Le bloc seul pèse 650 grammes.

On retrouve 5 caloducs (au lieu de 6 sur le modèle du dessus), et comme le nom l'indique, une fois installé, ces caloducs sont en contact direct avec la surface du processeur. Le ventilateur est un TY-140 Black de type PWM. Sa vitesse de rotation varie entre 300 et 1300 tpm pour un niveau de bruit compris entre 15 et 21dB(A) (et un CFM compris entre 16.9 et 73.6).

Le modèle est annoncé comme compatible avec tous les sockets récents, du LGA 775 au 2011 chez Intel, ainsi que les sockets AMD. Le prix public recommandé devrait être assez abordable, annoncé sous les 40 euros par la marque.