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Après avoir inauguré en juillet dernier sa nouvelle usine de mémoire flash au Japon, Toshiba vient d'annoncer qu'il s'engage à en construire une nouvelle.

Elle se situera toujours sur le même site japonais de Yokkaichi situé dans la ville de Mie, et sera dédiée à la production de la 3D NAND BiCS de Toshiba.

Le début de la construction est prévu pour 2017 et la société s'attend à ce que la première "phase" (l'usine sera construite en deux temps) soit opérationnelle à l'été 2018. Toshiba construira également un nouveau building dédié spécifiquement au R&D, où il centralisera des équipes qui étaient jusque là éparpillées.

L'annonce est faite par Toshiba qui n'est pas très clair sur le rôle que jouera Western Digital dans le financement. On rappellera que Toshiba et Sandisk collaboraient au sein d'une Joint Venture (Flash Forward). Le rachat de Sandisk par Western Digital avait lié les deux entreprises qui sont en compétition sur le marché des disques durs.

Le communiqué précise simplement que selon leurs "discussions" avec Western Digital, ils s'attendent à ce que ce dernier continue à participer aux investissements et aux opérations de cette usine. L'absence de communiqué commun chez WD laisse penser que les relations sont possiblement tendues entre les deux sociétés.

Toshiba et Western Digital continuent d'avancer du côté de la NAND 3D. Ainsi après avoir produit des puces empilant 48 couches en 2015, en 16 Go et MLC en mars puis en 32 Go et TLC en août, l'échantillonnage d'une nouvelle puce de 32 Go TLC 64 couches a débuté. La structure est toujours de type BiCS (Bit Cost Scalable), une option encore différente de celles utilisées par Samsung et Micron/Intel.

Les deux constructeurs, associés au sein de la joint-venture Flash Forward, précisent que leur prochain objectif est de produire une puce de 64 Go 64 couches. Aucune information n'est communiquée du côté des performances ou de l'endurance de la puce, ils se limitent à indiquer que la densité augmente de 40% (soit plus que le nombre de couches) par rapport à la génération précédente.

La production en volume de cette puce n'est toutefois pas prévue avant le premier semestre 2017, rappelons au passage que la 3D NAND annoncée l'an passé n'a pas encore trouvé son chemin au sein de SSD.

Toshiba et Western Digital viennent d'annoncer l'inauguration d'une nouvelle usine de semi-conducteur au Japon, New Fab 2. Initiée en septembre 2014 alors que SanDisk n'avait pas encore été racheté par Western Digital, cette usine de 27600m² est la propriété de la joint-venture Flash Forward. Elle sera utilisée pour produire de la NAND 3D.

Depuis octobre 2015 des équipements ont commencé à être installés dans les locaux, et la première production a débuté en mars. Toshiba et Western précisent qu'ils ont l'intention d'étendre les capacités de production de l'usine en fonction des conditions de marché.

Toshiba vient d'annoncer avoir produit des puces mémoires flash (NAND) à construction verticale (souvent appelée 3D NAND) à 48 couches. Pour rappel, en 2007  Toshiba avait été le premier à produire une technologie de mémoire ou l'organisation des cellules se fait non plus de manière horizontale comme traditionnellement, mais cette fois ci de manière verticale.

La mémoire NAND traditionnelle au milieu en haut peut être empilée (Stack), la stratégie classique que l'on voit à droite, ou bien transposée verticalement (le chemin de gauche) pour réaliser une structure appelée BiCS par Toshiba qui peut être vue comme le pendant du FinFET pour la NAND

En 2007, Toshiba ne précisait pas le nombre de couches qu'il avait réussi à superposer dans sa structure mais évoquait dans son communiqué de presse le nombre de 32 pour expliquer les difficultés de l'empilement. Presque huit années après, le constructeur indique aujourd'hui avoir produit des puces 48 couches de 128 Gbits (16 Go) qui sont disponibles dès aujourd'hui sous la forme d'échantillons.

Toshiba indique également qu'il commercialisera cette mémoire à partir de 2016, elle sera fabriquée en volume dans la nouvelle Fab2 située à Yokkaichi au Japon. En 2014, Toshiba avait annoncé  remplacer cette ancienne usine par une nouvelle qui serait capable de produire de la mémoire NAND classique et « 3D » à compter de 2016. Le communiqué de la marque indique que la Fab2 devrait être opérationnelle durant la première moitié de 2016.

Cette structure de mémoire permet théoriquement d'augmenter fortement la densité même si pour l'instant, il faut se contenter de puces 128 Gbits pour ce premier échantillon. On rappellera que si Toshiba a été pionnier de cette technologie, Samsung avait été le premier à lancer la production de sa propre version de mémoire NAND verticale, baptisée V-NAND en 2013. Si l'agencement technique semblait légèrement différent du BiCS de Toshiba (voir notre article), le principe de base reste le même.

Cette V-NAND s'est ainsi retrouvée dans les SSD 850 Pro du constructeur sous la forme de puces empilant 32 couches. De son côté, si Toshiba met en avant l'empilement de 48 couches, on ne connait pas encore la finesse de gravure qui sera utilisée. Plus de détails seront probablement dévoilés d'ici à l'année prochaine. Pour le reste de la concurrence, Intel et Micron devraient proposer leur version 3D NAND 32 couches au second semestre 2015, tandis qu'il faudra attendre 2016 pour Hynix.