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Elpida vient d'annoncer qu'il avait terminé le développement d'une puce DDR3-SDRAM de 512 Mo gravée en 25nm, une première. Par rapport à la version 30nm, Elpida annonce un gain de productivité de 45%, et un abaissement de l'intensité nécessaire à son fonctionnement variant entre 25 et 30% en charge et 30 et 50% au repos. Côté performances, Elpida parle d'un fonctionnement en mode DDR3-1866 et supérieur alors que la tension d'alimentation pourra être de 1.5 ou 1.35v. L'échantillonnage de ces puces est prévu pour la fin de l'année, tout comme le lancement de la production en volume.

Elpida confirme avec cette annonce son leadership technologique pour cette finesse de gravure. Le fondeur avait en effet annoncé en août dernier la production en volume de puces 256 Mo 25nm, alors que de son côté Samsung ne l'a annoncé que hier. Le leader mondial de la mémoire avait également annoncé qu'il comptait finaliser une puce 512 Mo 2xnm pour la fin de l'année, là encore en retard par rapport à Elpida donc.

La montée en puissance de la production de puces de 512 Mo en 2xnm, prévue pour l'année prochaine, devrait permettre de faire rapidement baisser le prix des barrettes DIMM et SODIMM de 8 Go, une bonne nouvelle pour qui en aurait l'utilité.

Après être passé au 30nm en début d'année, Elpida poursuit sur sa lancée et est le premier à annoncer l'échantillonnage de mémoire DDR3-SDRAM gravée en 25nm, la production en volume ayant également débuté. Cette finesse accrue permet de produire environ 30% de plus de puces par wafer qu'en 30nm, un point essentiel à l'heure où le prix de vente des puces est si bas qu'il semble être sous le coût de production.

Une puce de 256 Mo de DDR3-1333 se négocie en effet 1.15$ seulement, contre 1.48$ début juillet, 2.10$ début avril et 3.0$ en novembre. Ceci permet aux kits de 8 Go (2x4 Go) DDR-1333 de commencer à se trouver sous les 40 € ! Cette situation parait difficilement tenable sur la durée pour les fabricants et elle ne devrait donc pas perdurer des mois, car à défaut d'une demande plus importante, les constructeurs devraient ajuster leur capacité de production (n'hésitez pas à vous équiper !).

L'abaissement de la finesse de gravure reste essentiel pour soutenir cette guerre des prix et Elpida a donc une longueur d'avance dans ce domaine. Ces nouvelles puces de 256 Mo sont en sus moins énergivores puisque nécessitant une intensité inférieure de 15% en charge et 20% au repos par rapport aux versions 30nm. Côté performances, Elpida parle d'un fonctionnement en DDR3-1866 et plus en 1.5v et en DDR3-1600 à 1.35v.

Elpida a commencé à livrer les échantillons d'une mémoire de 1 Go DDR3 utilisant la technologie TSV (Through Silicon Via). Cette technologie permet de relier plusieurs die entre eux via des connexions verticales qui passent donc au travers même des die. Cette verticalité permet de réduire drastiquement la longueur des connexions, ce qui permet entre autre d'améliorer la vitesse, d'abaisser la consommation et de réduire la taille du packaging. Attention, si certains parlent de "Puces 3D" pour cette technologie, elle n'est pas à confondre avec les transistors Tri-Gate ou "3D" mis au point notamment par Intel.

La puce de 1 Go DDR3 TSV mise au point par Elpida combine 4 die 256 Mo capables de fonctionner en DDR3-1600 à 1.5v et en 1333/1066 à 1.35v. L'utilisation de deux puces de ce type en lieu et place d'une barrette SO-DIMM de 2 Go classique permet selon Elpida d'abaisser de 50% la consommation en charge et 20% la consommation au repos. Elpida suggère d'ailleurs que ceci peut permettre de se passer de SO-DIMM pour intégrer la mémoire directement sur le PCB, mais ceci se fait alors au dépends des possibilités de mises à jour.

Elpida travaille sur la technologie TSV depuis 2004, et avait annoncé en 2009 être le premier à avoir développé une puce mémoire DDR3 de 1 Go. Après le stade du développement, Elpida passe donc désormais à l'échantillonnage sur cette nouvelle puce, mais n'indique pas de date pour la disponibilité en volume.

Le fabricant n'est toutefois pas le seul sur cette technologie et tous les fondeurs travaillent dessus. Samsung a par exemple annoncé en décembre dernier avoir développé une barrette RDIMM de 8 Go à base de puces mémoire DDR3 40nm TSV qui était jusqu'à 40% plus économe qu'une barrette RDIMM conventionnelle. Samsung précisait alors que la technologie TSV devrait commencer à se democratiser à partir de 2012.

En septembre dernier, Elpida avait annoncé avoir développé sa première puce de 256 Mo de DDR3-SDRAM fabriquée en 30nm. Destinée à fonctionner en DDR3-1866 en 1.5V ou en DDR3-1600 en 1.35V, cette mémoire permet d’augmenter de 40% le nombre de puce par wafer par rapport à celle en 40nm, d’où un net abaissement du coût de production.

Comme prévu, Elpida indique ce jour qu’il a commencé à échantillonné les premières barrettes utilisant ces mémoires. Ces barrettes de 4 Go en SO-DIMM consomment 20% de moins que la génération précédente, la production en volume devant débuter dans le courant du premier trimestre 2011.