Puce 512 Mo DDR3 25nm Elpida

Elpida vient d'annoncer qu'il avait terminé le développement d'une puce DDR3-SDRAM de 512 Mo gravée en 25nm, une première. Par rapport à la version 30nm, Elpida annonce un gain de productivité de 45%, et un abaissement de l'intensité nécessaire à son fonctionnement variant entre 25 et 30% en charge et 30 et 50% au repos. Côté performances, Elpida parle d'un fonctionnement en mode DDR3-1866 et supérieur alors que la tension d'alimentation pourra être de 1.5 ou 1.35v. L'échantillonnage de ces puces est prévu pour la fin de l'année, tout comme le lancement de la production en volume.

Elpida confirme avec cette annonce son leadership technologique pour cette finesse de gravure. Le fondeur avait en effet annoncé en août dernier la production en volume de puces 256 Mo 25nm, alors que de son côté Samsung ne l'a annoncé que hier. Le leader mondial de la mémoire avait également annoncé qu'il comptait finaliser une puce 512 Mo 2xnm pour la fin de l'année, là encore en retard par rapport à Elpida donc.

La montée en puissance de la production de puces de 512 Mo en 2xnm, prévue pour l'année prochaine, devrait permettre de faire rapidement baisser le prix des barrettes DIMM et SODIMM de 8 Go, une bonne nouvelle pour qui en aurait l'utilité.