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AMD vient d'annoncer ses résultats pour le second trimestre. Il n'y a pas de surprise puisque le constructeur avait revu à la baisse ses prévisions il y a deux semaines. Le constructeur enregistre des revenus de 942 millions de dollars, pour une perte nette de 181 millions, contre respectivement 1,44 milliards et 63 millions un an auparavant. La marge brute tombe à 25% au lieu de 35%.

Les résultats complets offrent quelques détails supplémentaires. Globalement, à l'image de Seagate, Intel, et des différents autres acteurs du monde PC, AMD pointe la baisse des ventes sur le second trimestre. C'est effectivement sa division Computing and Graphics, qui regroupe CPU, APU et GPU que la baisse est la plus violente, de 29% par rapport au premier trimestre 2015, et de 54% par rapport au second trimestre 2014 !

Si tous les segments sont touchés, AMD pointe particulièrement les ventes d'APU pour notebook qui ont le plus souffert. Cette division enregistre 147 millions de pertes, le double de la perte enregistrée il y a trois mois alors qu'il y a un an elle était quasiment à l'équilibre. Malgré tout, le prix moyen des APU et GPU vendus est en hausse, même si AMD ne précise pas de combien. Au détour d'une question, Lisa Su a confirmé que les Radeon R9 Nano, utilisant de la mémoire HBM, seront lancées en aout.

Interrogée sur le retard d'Intel sur le 10nm, Lisa Su a indiqué que deux produits FinFET avaient effectué leur premier tapeout. Elle évoque de manière positive le fait que l'écart entre Intel et les « foundries » se réduise, créant une opportunité pour Zen.

Mais il faut surtout souligner l'importance de l'activité « semi-custom » qui contient en grande partie les revenus qu'AMD tire des consoles. Ces contrats disposent de marges plus faibles, mais malgré tout ils représentent sur ce trimestre - et possiblement pour la première fois - la majorité des revenus (563 millions, soit 59.8%) de la marque. Cette division génère un bénéfice plus mesuré (27 millions), mais elle joue un rôle d'amortisseur fondamental pour le reste de l'activité. Notez que le bénéfice total de ce segment aurait dû être supérieur, mais c'est dans cette colonne qu'AMD a choisi d'enregistrer sa perte exceptionnelle de 33 millions pour « transition de 20nm au FinFET ».

On notera que la séparation de GlobalFoundries continue d'être couteuse car sur les six premiers mois, AMD n'a exercé que pour 400 millions de son contrat de wafers de type « take or pay », courant sur l'année pour un montant de 1 milliard. Un « reprofilage » du montant avec GlobalFoundries a été évoqué, mais cela devrait engendrer une pénalité financière supplémentaire d'ici la fin de l'année.

AMD indique continuer de réduire ses dépenses opérationnelles et avoir amélioré sa situation financière à court terme. Aucune dette ne doit désormais être repayée avant 2019. Pour le troisième trimestre, AMD attend une hausse séquentielle de 6% de son revenu et s'attend à redevenir profitable d'ici à la fin de l'année.

GlobalFoundries vient d'annoncer via un communiqué de presse la disponibilité d'une nouvelle gamme de process de fabrication, les 22FDX. Il s'agit de process FD-SOI (Fully Depleted Silicon On Insulator) qui se distinguent pour rappel par le substrat utilisé pour fabriquer les puces. Un substrat qui comme son nom l'indique rajoute une couche isolante au milieu du wafer pour réduire les parasitages et les fuites de courant.

GlobalFoundries avait déjà proposé un process FD-SOI en 28nm à ses clients, mais uniquement via un partenariat externalisé vers STMicroElectronics. Cette fois ci, il s'agit bien de process qui seront proposés en interne par GlobalFoundries. La société indique transformer sa Fab 1 de Dresde en Allemagne, qui produisait jusqu'ici du 28nm.

Techniquement il semblerait que GlobalFoundries conserve les interconnexions de ses process 28nm, même si nous n'en avons pas encore la confirmation. Le constructeur met surtout en avant le body bias qui modifie la tension des blocs logiques pour au choix minimiser les fuites (reverse body bias) ou maximiser les performances (forward body bias). Les designers de puces pourront utiliser les deux au choix, les blocs qui ont besoin d'être actifs en permanence profiteront du premier tandis que les blocs plus critiques sur les performances profiteront du second.

Extrait d'une présentation vidéo de GlobalFoundries  expliquant l'intérêt des body bias mélangés à l'utilisation d'une tension variable (DVFS)

Quatre process seront disponibles, le 22FD-ulp sera avant tout destiné aux smartphones d'entrée de gamme ou il peut permettre d'obtenir des gains consommation de 70%, et même 90% sur certains usages pour les objets connectés qui ont besoin d'une tension plus basse par rapport au 28nm. Une version 22FD-uhp « haute performance » est proposée également, elle utilise le forward body bias et monte la tension d'utilisation jusqu'à 0.95V. Des versions dédiées spécifiquement aux objets connectés (22FD-uld) et aux puces radio (22FD-rfa) sont également présentes au catalogue du constructeur.

Côté cout, si les substrats FD-SOI sont plus onéreux, globalement le cout final par puce reste très bas selon GlobalFoundries qui estime qu'ils seront identiques à ceux de son process 28SLP (le plus simple), et inférieur au FinFET d'environ 20%. Une partie des économies se réalise sur les masques annoncés comme moitié moins cher (en partie parce que moins nombreux), et surtout parce qu'il nécessite moitié moins de couches de lithographie que les process FinFET.


Exemple de gains sur un SoC pour une montre connecté par rapport à des process anciens/peu adaptés puisque GlobalFoundries compare au 40nm. A titre indicatif, le SoC de l'Apple Watch est en 28nm, vraisemblablement gravé par Samsung

Si ces nouveaux process sont globalement assez intéressants, ils semblent selon toute vraisemblance dédiés à des usages basse consommation, largement en dessous des besoins du monde du PC. GlobalFoundries met surtout en avant les objets connectés et autres wearables (, ainsi que les smartphones plutôt entrée de gamme mais aussi des utilisations embarqués (les « box » TV et autres utilisations embarqués, par exemple dans des véhicules).


Pour les applications nécessitant plus de performances, le constructeur renvoi vers ses futurs process 14nm (issus d'un partenariat avec Samsung, pour rappel). Il s'agit tout de même d'une bonne nouvelle pour les sociétés derrière le SOI, jusqu'ici principalement STMicroElectronics et Soitec, qui s'étaient retrouvés esseulés par le retrait d'IBM (racheté rappelons le par GlobalFoundries). GlobalFoundries indique espérer pouvoir scaler la technologie jusqu'au 10nm, sans pour autant préciser à quelle échéance.

Alors qu'IBM a revendu son activité fabrication de semi-conducteurs à Global Foundries en octobre dernier (un rachat qui s'est finalisé le premier juillet de cette année), IBM vient annoncer avoir produit une puce de test fonctionnelle en 7nm, une première que rapportent nos confrères d'EETimes .

Si IBM réalise l'annonce, en pratique la puce a été fabriquée dans un centre de recherche du SUNY Polytechnic Institute  financé en partie par l'état de New York et divers partenariats privés. Virtuellement toutes les sociétés du milieu participent puisque l'on retrouve dans la liste des sociétés, outre IBM, Intel, TSMC, Samsung, GlobalFoundries ou encore ASML. C'est à cet endroit que l'on retrouve par exemple l'effort de recherche du Global 450mm Consortium qui travaille sur la future transition aux wafers de 450mm (contre 300 actuellement, un mouvement qui a pris un coup d'arrêt ces dernières années).

Avant son rachat, IBM avait annoncé  participer à hauteur de 3 milliards (sur 5 années) au développement de futures puces, tandis qu'en début d'année, suite au rachat par GloFo, IBM avait regroupé ses 220 ingénieurs restants  sur le site de SUNY sous l'égide « IBM Research ».

Historiquement, IBM a toujours aimé jouer au jeu des annonces et continue ici dans sa tradition. En pratique il s'agit d'une première puce de test qui inclut transistors, cellules SRAM et interconnexions, les blocs essentiels même si, évidemment, on reste cependant très loin de la production en volume.

Les transistors FinFet 7nm vus au microscope
Au-delà de l'effort, on s'intéressera surtout aux choix réalisés par IBM pour son process, qui repose cette fois sur l'EUV. Nous avions eu l'occasion d'en parler, l'EUV va mieux et si une introduction est possible en cours de node pour le 10nm, TSMC et les autres visent une introduction ferme pour le 7nm et de ce côté IBM ne déroge pas.

Plus surprenant, les choix réalisés autour des structures et des matériaux. Alors que l'on s'attend probablement à voir d'autres structures que le FinFet introduites à 10 ou 7nm par Intel, IBM utilise ici des structures FinFet également, la différence s'effectuant sur les matériaux avec le retour du silicium-germanium (SiGe) étiré pour le canal, sur substrat en silicium. Ce n'est pas la première fois que le germanium apparait dans les process, même si aujourd'hui on le trouve principalement dans les process analogiques/radio . L'utilisation du SiGe étiré dans les semi-conducteurs est une innovation d'IBM et il est assez surprenant de le retrouver sur un process si avancé, qui plus est en EUV. D'autant que côté densité, les transistors peuvent être espacés de 30nm ce qui permettrait, par rapport au 10nm qui était en développement par IBM, d'augmenter la densité de 50%.


Développer un process « clef en main » - c'est comme cela qu'il est décrit par IBM qui dit avoir optimisé non seulement l'EUV, le dépôt du SiGe mais aussi les autres étapes du process comme l'interconnexion (BEOL) – ne manque évidemment pas d'ironie mais nos confrères d'EEtimes notent qu'IBM fera profiter logiquement de ses travaux de recherche à GlobalFoundries qui pour rappel dispose d'une exclusivité de 10 années pour la production des processeurs serveurs d'IBM. Nos confrères sous entendent que Samsung pourrait également profiter de ces travaux, en se rappelant aux bons souvenirs de l'abandonnée Common Platform qui liait les trois sociétés.

Rien n'en est cependant moins sur puisque pour rappel, Samsung avait développé son propre process 14 nm sans IBM qui aura au final sauté ce node. Le fondeur coréen avait ensuite partagé son 14nm en intégralité avec GlobalFoundries. Pour le 10nm, IBM avait travaillé également sur son propre process que l'on retrouvera vraisemblablement tel quel chez GlobalFoundries. Les trois sociétés semblent cependant être restées en bons termes et l'on imagine que si la solution 7nm d'IBM est plus intéressante que les efforts développés en internes, ces sociétés continueront de mutualiser leurs efforts pour une éventuelle mise en production, que l'on n'attend pas de toute manière avant 2018 ou 2019. Ce que fera Samsung en 10 nm nous donnera peut-être un indice. Pour l'instant, si le constructeur a montré un wafer 10 nm, et indiqué qu'il s'attend à lancer la production en volume fin 2016, il n'a rien dévoilé sur la technique…

AMD a annoncé par un communiqué de presse  avoir revu ses prévisions pour son second trimestre à la baisse. La firme qui s'attendait à une baisse de 3% de ses revenus par rapport au premier trimestre (qui avait enregistré un revenu de 1.03 milliard de dollars) s'attend finalement à ce que ses revenus soient en baisse de 8%. La marge brute devrait de son côté baisser également, passant des 32% prévus à 28%.

La société justifie ces chiffres par une baisse de la demande sur le marché grand public du PC qui aurait conduit à une baisse des ventes des APU. De manière intrigante, le communiqué indique qu'une charge exceptionnelle de 33 millions viendra s'ajouter, parlant de « plusieurs designs démarré pour le node 20nm » qui auront été déplacé vers le node 14 nm.

Une mention surprenante puisque AMD n'avait pas sur ses roadmaps récentes de produits 20 nm. On se souviendra en creusant un peu de « Skybridge », qui devait voir l'arrivée en 2015 d'une plateforme capable d'accueillir aussi bien des ARM que des solutions x86 (avec des cœurs Puma+) qui auraient été fabriqués en 20nm, mais AMD a annoncé avoir abandonné ce projet lors de sa dernière conférence aux investisseurs en mai.

Selon nos informations, l'abandon du projet est très antérieur à cette annonce publique. Une autre possibilité, plus probable, concerne l'activité semi-custom que représentent les SoC des consoles de Sony et de Microsoft. On peut imaginer qu'AMD projetait un temps d'utiliser le 20nm pour ces puces avant de choisir de se reporter sur le 14nm. Mais une fois de plus, ce type de décision n'aura pas été pris ce trimestre.

Nous avons eu l'occasion de le mentionner précédemment, TSMC, principal voir quasi unique fournisseur en volume de 20nm avait fortement incité ses clients à migrer leurs projets vers le 14nm , qui devrait être disponible en volume d'ici la fin de l'année pour ses meilleurs clients, et plus largement en 2016. On sait également que les relations entre GlobalFoundries et AMD sont toujours compliquées. GlobalFoundries avait pour rappel annoncé un partenariat avec Samsung, adoptant son process 14nm tandis que son propre 20nm semblait avoir été mis de côté, quelque chose qui est reflété par le site du fondeur qui ne le mentionne plus le 20nm LPM dans ses process « leading edge ». Il n'est pas impossible cependant que la société ait tenté un temps de rentabiliser ses investissements précédents sur le 20nm avant de jeter définitivement l'éponge.

AMD et GlobalFoundries continuent pour rappel d'avoir un accord d'achats de wafers, portant sur 2015 sur un montant de 1 milliard. Un contrat dit de type « take or pay », dans le cas où les options d'achats ne seraient pas exercées, AMD devant payer une pénalité – moins élevée que le prix total. Au premier trimestre, AMD avait acheté pour 161 millions de dollars de wafers à GlobalFoundries.

Mise à jour du 31/12/2014 : GlobalFoundries dément tout retard sur le 14nm et annonce qu'au contraire qu'il a bien il a commencé à produire, sous entendu en "risk production", des produits de clients en 14nm.

News du 30/12/2014 : Alors que Samsung a indiqué début décembre  avoir commencé la "risk production" des puces en 14nm FinFET, il semblerait que la mise en place du process dans la Fab 8 de GlobalFoundries à Saratoga prenne un peu de retard.

Si un porte-parole de GlobalFoundries a précisé à la même période  que les salles blanches de la Fab 8 étaient certifiées et prêtes à être équipées et que la phase dite de risk production devait bien débuter avant la fin de l'année, l'analyste Robert Maire affirme le contraire .

Selon lui, les machines ne seraient plus livrées à l'usine mais dans des entrepôts de stockage depuis maintenant deux semaines, une société de stockage sous-traitante ayant d'ailleurs dû s'agrandir . Cela pourrait entraîner un délai supplémentaire de 1 à 2 trimestres, la cause de ce retard n'étant pas connue.

Pour rappel, Samsung et GlobalFoundries ont annoncé en avril dernier un partage technologique complet sur le 14nm permettant à leurs usines respectives d'utiliser un même process, développé principalement par Samsung. Il faudra probablement attendre la fin 2015 pour voir débarquer des produits utilisant ce process ou le 16nm FinFET de TSMC qui est pour sa part entrée en risk production fin octobre.