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Les 5 contenus précédentsMLC 20nm chez Intel / Micron
AMD met la pression sur le 32nm
14nm en 300mm pour Intel
Intel ouvre son 22nm
Intel investit pour le 22nm
128 Gb de Flash en 20nm chez IMFT
(0) RéactionIntel et Micron viennent d'annoncer une nouvelle puce Flash MLC de 128 Gb gravée en 20nm. En combinant 8 de ces puces au sein d'un même packaging il est possible d'atteindre une capacité de 128 Go, une première. Les échantillons de la puce sont prévus pour le mois de janvier, la production en volume devant débuter au cours du premier semestre 2012.
Cette mémoire devrait de plus être nettement plus rapide lors d'accès séquentiel puisqu'elle utilise interface ONFI 3.0 à 333 MT/s soit le double des puces actuelles en 25nm. Les accès aléatoires 4K seront par contre le parent pauvre puisque la taille des pages sera désormais de 16 Ko contre 8 Ko pour les die 64 Gb et 4 Ko pour les die 32 Gb. Ces modifications devraient retarder l'intégration de ses puces dans les SSD et il ne faut pas l'attendre avant 2013.
IMFT annonce au passage que la puce 64 Gb (8 Go) 20nm annoncée en avril dernier est pour sa part désormais produite en volume. Elle mesure pour rappel 118mm², contre 167²mm pour son équivalent 25nm, et offre les mêmes caractéristiques en termes d'endurance ou de performances. Son arrivée devrait permettre de faire baisser le prix au Go des SSD, mais il faudra attendre la mi-2012 pour la voir débarquer dans nos boutiques.
Résultats d'Intel, 14nm et 7nm, Ultrabook
Intel annonce un cinquième trimestre record de suite avec un chiffre d'affaires de 13,1 milliards de $, soit 2% de mieux séquentiellement et 22% de mieux qu'il y a un an. Le résultat net ressort pour sa part à 3 milliards, respectivement en baisse de 7% et en hausse de 2%, du fait notamment du rachat de ses propres actions pour 2 milliards de $. La marge brute s'établit pour sa part à 61% comme au premier trimestre, loin du taux record de 67,6% d'il y a un an que les consommateurs ne regretterons pas. Il faut noter que McAfee et Infineon Wireless Solutions (désormais Intel Mobile Communications) ont contribué au chiffre d'affaires à hauteur de 1 milliard de $.
Côté divisions, par rapport à l'an passé on note une hausse de 11% des ventes de la division PC Client (desktop/mobile, 8,3 milliards), contre 15% pour la division Data Center (serveurs, 2,4 milliards) et 85% pour la division Other Intel Architecture (solutions embarquées, 1389 millions). Les chiffres de l'Atom sont par contre assez décevants avec 15% de baisse, pour des revenus de 352 millions.
Intel annonce par ailleurs une hausse de 500 millions de $ des investissements prévus cette années en R&D (pour un total de 16,2 milliards). Une partie de ses dépenses provient d'une accélération du développement du 14nm dont l'arrivée est prévue pour 2014, les futures usines 14nm comme celle de Chandler étant d'ailleurs désormais prévues pour accueillir également à terme des gravures en 10 et 7nm. Une autre partie est destinée au développement des Ultrabook, format dans lequel Intel a beaucoup d'espoirs.
14 nm pour tous chez Intel en 2014
Intel tenait hier sa conférence dédiée aux investisseurs et en a profité pour dévoiler quelques détails sur sa stratégie future, rapportés par nos confrères d'Anandtech . D'abord, dans la lignée de la stratégie Tic/Toc, le fondeur confirme qu'il proposera bel et bien des produits gravés en 14 nm pour 2014. Ce n'est pas vraiment une surprise, sachant qu'une première usine dédiée au 14 nm est déjà en chantier comme nous l'évoquions en février dernier. Ce qui l'est beaucoup plus, c'est le changement de stratégie concernant Atom : les Atom 14 nm apparaitront eux aussi en 2014 !
Intel avait déjà annoncé que le passage au 22 nm apporterait a une transition architecturale pour les cœurs Silvermont qui seront basés sur un nouveau design, probablement out of order afin d'être plus compétitifs face aux propositions d'AMD et d'ARM. Restait le décalage dans les procédés de fabrication à régler, car si les premiers Core i5 en 32nm datent de janvier 2010, les Atom 32 nm ne sont attendus que pour la fin 2011, un décalage qui s'approche des deux années. Si Silvermont reste confirmé pour 2013 (possiblement plus tôt dans l'année), Intel espère profiter de son avance technique en matière de procédés de fabrication pour améliorer la compétitivité des futurs Atom - baptisés Airmont – en developpant en parallèle son procédé de fabrication dédié aux SoC (P1273) avec celui dédié aux processeurs traditionnels (P1272).
Peu d'informations supplémentaires à relever, si ce n'est qu'Intel poussera en parallèle aux plateformes Ivy la technologie Bridge Fast Flash Standby, l'équivalent d'une mise en veille ou de la mémoire flash remplacerait la RAM traditionnelle. Une fonctionnalité qui sera probablement intégré aux pilotes Rapide Storage du constructeur. Dernier point, une évocation des performances graphiques des plateformes à venir, selon nos confrères Intel espère multiplier par 12x les performances graphiques à l'avenir (sans plus de précision s'il s'agit d'Haswell en 2013 ou Skylake en 2015 !) dans l'enveloppe 10-20 Watts qui est mise en avant comme la prochaine plateforme Notebook à laquelle le constructeur s'intéressera particulièrement. Pas de surprise là non plus, cela se rapproche en effet de l'enveloppe thermique envisagée par les futures architectures ARM qui pourraient arriver sur le marché des portables avec le lancement de Windows 8.
Tri-Gate/FinFET : TSMC et Global Foundries
Sur son blog, notre confrère d'Electronics Weekly revient sur la position de TSMC et GlobalFoundries suite à l'annonce par Intel de son introduction pour le procédé de photolithographie en 22nm de transistors Tri-Gate/FinFET.
A gauche un transistor planaire classique, à droite un transistor Tri-Gate/FinFET
L’auteur rappelle que TSMC avait annoncé en 2010 avoir développé un process 22/20nm FinFET, mais dans une optique pure de développement. TSMC avait indiqué à l’époque que la transition sur les process en production s’opérerait au-delà (16/14nm). TSMC confirme aujourd’hui que la transition attendra comme prévu le 16/14nm, blâmant l’immaturité des outils.
Global Foundries de son côté (en concert avec la Common Platform alliance) confirme ne pas voir de nécessité aux FinFET avant d’arriver au-delà du 22/20nm. Intel disposera donc bien de l’avantage des FinFET pour au moins un node complet par rapport au reste de l’industrie. Reste à voir si le pari d’Intel - qui semble payant sur le papier en termes de performances – ne souffrira pas de l’immaturité de l’écosystème environnant sur le plan des volumes de production.
Focus : Le 22nm d’Intel sera Tri-Gate !
Le constructeur vient de faire la présentation officielle de sa technologie de gravure en 22nm qui devrait se matérialiser sous la forme de produits vers la fin de l’année 2011/début 2012. La grosse surprise est la présence de la technologie Tri-Gate que l’on n’attendait pas pour cette génération, mais plutôt pour la suivante.Si de multiples démonstrations de Tri-Gate avaient été effectuées par Intel depuis quelques années (et d’autres acteurs de l’industrie), Intel sera le...
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