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+7 SSD dans le comparo : 850 EVO, BX100, MX200, etc.

Publié le 27/05/2015 à 17:25 par Marc Prieur

Notre comparatif de SSD SATA 6G d'une capacité de 480 à 512 Go a été mis à jour avec 7 nouveaux modèles, ce qui porte le total à 28. Voici un rapide descriptif des SSD ajoutés et ce qu'il faut en retenir :

Crucial MX200

 
 

Après le succès du MX100, Crucial lance un MX200 qui est en fait très proche de ce dernier. On retrouve le même contrôleur Marvell et la même Flash MLC 16nm, mais la capacité disponible baisse un peu au profit de la Flash en réserve et sur les versions 120/250 Go on trouve un mécanisme visant à accélérer les écritures sur la moitié de l'espace disponible. Au passage le prix augmente par rapport au MX100 mais la garantie reste à 3 ans, ce qui rend ce SSD peu intéressant.

Crucial BX100

 
 

L'entrée de gamme Crucial est désormais constituée d'un BX100 couplant la MLC 16nm avec un contrôleur Silicon Motion SM2246EN qui nous avait déjà convaincus sur le Corsair Force LX. Sans surprise cette fois les performances sont dans la moyenne haute et le positionnement tarifaire agressif du BX100 fait qu'il rentre dans notre top 2 du moment. On regrettera juste par rapport au MX100 l'absence de chiffrement AES-256.

OCZ Vector 180

 
 

Suite au rachat de la division SSD de OCZ par Toshiba, OCZ a rafraîchit sa gamme avec des SSD utilisant toujours l'Indilinx Barefoot 3 mais cette fois associé à de la flash Toshiba A19nm. La garantie est de 5 ans mais le tarif en conséquence, et même si ce SSD se distingue par un condensateur afin d'assurer l'intégrité du SSD et de la table de mapping en cas de coupure de courant et une garantie ShieldPlus (prise en charge des frais de port et SSD de remplacement envoyé en avance par OCZ) ce n'est pas vraiment suffisant pour tirer son épingle du jeu.

OCZ Arc 100

 
 

Version plus abordable du Vector 180, l'Arc 100 reprend le même contrôleur et la même mémoire mais fait l'impasse sur le condensateur et voit sa garantie ramenée à 3 ans, mais toujours avec ShieldPlus. C'est surtout ce point qui le distingue des autres SSD à un même niveau de tarif, pour le reste il est dans la bonne moyenne, si ce n'est qu'à l'instar du Vector 180 il affiche des latences maximales élevées dans notre stress test malgré des IOPS soutenues de bon niveau.

Samsung 850 EVO

 
 

Comme le 850 Pro, le 850 EVO fait appel à de la V-NAND mais cette fois ce sont 3 bits (via 8 niveaux de tension) au lieu de 2 bits (via 4 niveaux) qui sont stockés par cellule. Il s'agit donc de TLC mais les désavantages en termes de rapidité ou d'endurance sont compensés par cette NAND 3D ce qui permet au 850 EVO d'être avec le BX 100 dans notre top 2 du moment, ses performances étant de haut vol et son prix attractif alors qu'il supporte, contrairement à ce dernier, l'AES-256 et est, cerise sur le gâteau, garanti 5 ans.

Sandisk Ultra II

 
 

SanDisk utilise aussi de la TLC désormais, mais il s'agit de NAND "2D" classique 19nm. Les résultats ne sont pas identiques et si SanDisk ne donne aucune information d'endurance un relevé SMART permet de voir que cette TLC est spécifiée pour seulement 500 cycles. Le firmware du Marvell 88SS9189 est largement personnalisé par SanDisk afin d'intégrer un mécanisme de Turbo d'une part, qui permet d'afficher de gros chiffres de performances en écriture (non soutenues) et de réduire un peu l'usure, et un calcul de parité à 1 pour 5 destiné à assurer la fiabilité des données. Cela part peut être d'une bonne intention mais au final sachant que le tarif n'est pas nettement inférieur à des SSD en MLC ou TLC V-NAND autant passer son chemin.

Toshiba HG6

 
 

Toshiba est un gros acteur du marché du SSD sur l'OEM et au travers de la fabrication de Flash, pour laquelle il est associé à Sandisk, mais ces SSD ne sont que peu distribués au détail. A l'instar de son prédécesseur, le HG6 est basé sur un contrôleur co-développé avec Marvell et qui n'est pas associé à de la DRAM, comme c'est le cas des SandForce. Il pilote des puces de NAND Flash A19nm. Comme sur les SSD OCZ ou sur les Crucial MX200 de capacité inférieure, Toshiba implémente un mécanisme qui écrit en priorité le premier bit sur toutes les cellules Flash disponibles avant d'écrire le second, il en découle de très bonnes performances sur la moitié du SSD mais si on arrive au bout de cet espace sans laisser le temps au SSD de réécrire les données les performances sont très basses. Il s'agit d'une exception sur un modèle de cette capacité qui nous incite à le déconseiller.
Comparatif SSD : 28 SSD de 480 à 512 Go

Samsung lance un 850 EVO externe, le Portable SSD T1

Publié le 06/01/2015 à 09:30 par Marc Prieur

Si les fabricants de Flash proposent tous leurs propres SSD à usage interne, sur le marché du stockage externe seul SanDisk proposait une gamme au travers de certaines clefs telles que l'Extreme Pro que nous avions testé ici. Il est désormais rejoint par Samsung avec le Portable SSD T1.


Ce SSD externe est en fait basé sur le 850 EVO associé à un pont USB 3.0 gérant l'UASP, il utilise donc de la V-NAND TLC. Le tout mesure 71x9.2x53.2mm pour un maximum de 30 grammes on est donc en dessous de la taille d'un 2.5" ce qui est logique puisque le PCB des SSD Samsung étant bien plus réduit que la coque 2.5". Samsung annonce des débits séquentiels pouvant atteindre 450 Mo /s contre 8K IOPS en lecture aléatoire 4K et 21K IOPS en écritures aléatoires 4K. Le chiffrement AES-256 est supporté et le disque peut être protégé par mot de passe.

Le Portable SSD T1 est garanti 3 ans et décliné en versions 250 Go, 500 Go et 1 To, les tarifs publics étant de 180$, 300$ et 600$ HT outre-Atlantique. A noter qu'en France il faudra ajouter la rémunération pour copie privée soit respectivement 9.6 €, 11 € et 20 €. Pour ceux qui souhaitent plutôt une solution "maison" dans ce format, ce qui permet au passage d'éviter cette rémunération, il existe quelques boîtiers externes acceptant des SSD mSATA, pas forcément évidents à trouver en France.

Samsung lance son 850 EVO en V-NAND TLC

Publié le 08/12/2014 à 16:47 par Marc Prieur

Samsung lance officiellement son Samsung 850 EVO, testé entre autre par nos confrères d'AnandTech . Pour rappel ce SSD attendu depuis quelques mois déjà utilise à l'instar du 850 PRO de la mémoire Flash V-NAND 32 couches, mais cette fois non plus en mode MLC (2 bits par cellule via 4 niveaux de tension) mais TLC (3 bits par cellule via 8 niveaux de tension).

Le Samsung 850 EVO est décliné en versions 120, 250, 500 Go et 1 To. Dans tous les cas on trouve au sein du SSD des puces intégrant 8 die de 128 Gbit, avec au total une à huit puces selon la capacité. La DRAM, de type LPDDR2, varie entre 256 et 1 Go selon le modèle alors que seule la version 1 To dispose d'un contrôleur 3 coeurs, les versions inférieures utilisant un contrôleur à deux coeurs.

Du côté des performances annoncées on est au limite du SATA 6 Gb/s avec 540 Mo /s en lecture et 520 Mo /s en écriture. Attention toutefois ce débit en écriture est obtenu en partie grâce au cache TurboWrite qui utilise selon la version 9 à 36 Go de mémoire TLC pour disposer de 3 à 12 Go de mémoire SLC très rapide. Une fois ce cache rempli, le débit en écriture est de 150, 300, 500 et 520 Mo /s sur les versions 120, 250, 500 et 1 To.

En lecture 4K aléatoire le Samsung 850 EVO est à 10K IOPS en QD1 et 94 à 98K IOPS selon la capacité en QD32, en écriture on obtient 40K IOPS en QD1 dans le cache TurboWrite, 33K IOPS hors TurboWrite. En QD32 on est à 88 à 90K IOPS dans le cache TurboWrite, mais on retombe à 35K et 66K IOPS sur les versions 120 et 250 Go alors que les SSD 500 Go et 1 To seraient capable de maintenir le même niveau de performances.

Au-delà des performances c'est bien entendu de l'endurance qu'on attendait la V-NAND TLC et de ce côté on n'est pas déçu puisque les Samsung 850 EVO sont garantis 5 ans avec des endurances respectives annoncées à 75 To pour les versions 120 et 250 Go et 150 To pour les versions 500 Go et 1 To.

Comme d'habitude il ne s'agit ici que d'un chiffre pessimiste avec une amplification en écriture élevée, et les données SMART relevées lors des tests par AnandTech montrent que Samsung a validé les cellules pour 2000 cycles d'écritures (de quoi atteindre 2000 To sur la version 1 To donc en conditions optimales !), soit le double de celles d'un Samsung 840 EVO. Un Samsung 850 Pro est pour sa part annoncé à 150 To quelle que soit sa capacité, avec une endurance à 6000 cycles d'après son réglage SMART contre 3000 pour un Samsung 840 Pro.

La V-NAND TLC ne semble donc pas avoir à rougir devant la MLC que ce soit du côté des performances comme de l'endurance, avec un gros avantage qui est celui de la densité puisque Samsung annonce l'avoir doublé par rapport à de la mémoire TLC 19nm classique. Attention cela ne veux pas dire que le coût de production est inférieur, la V-NAND étant probablement nettement plus chère à produire à densité égale... mais de ce côté nous n'en sauront pas plus.

Finalement la seule déception se situe côté tarif, puisque les prix annoncés outre-Atlantique sont les suivant :

  • 100$ en version 120 Go
  • 150$ en version 250 Go
  • 270$ en version 500 Go
  • 500$ en version 1 To

Si les 20% de plus par rapport aux Samsung 840 EVO sont justifiés, le problème c'est que Samsung n'est pas seul au monde... et que le 840 EVO n'était pas très bien placé face au Crucial MX100 qui est encore moins cher. Le 850 EVO aura pour lui la garantie de 5 ans et une endurance officielle accrue sur la version 500 Go (le MX100 n'existe pas en 1 To, il est annoncé à 72 To d'endurance quelle que soit la capacité alors qu'elle est logiquement 4 fois supérieure en passant de 128 à 512 Go), mais est-ce suffisant ? Quoi qu'il en soit nous verrons bien quels seront les prix réellement pratiqués lorsque les 850 EVO arriveront sur les étalages, ce qui devrait arriver dans les prochaines semaines.

Samsung 850 EVO en approche

Publié le 05/09/2014 à 08:58 par Marc Prieur

Après le 850 Pro, Samsung devrait lancer un SSD basé sur de la V-NAND plus abordable, le SSD 850 EVO. Nos confrères de Les Numériques  publient en effet une photo prise lors de l'IFA sur le stand de Samsung le montrant :


Pour le moment on sait juste qu'il stockera comme son prédécesseur 3 bits par cellules (TLC), contre 2 pour le 850 Pro qui est en MLC. Pour rappel cela a un impact sur les performances comme sur la durée de vie de la NAND, mais vu que la V-NAND est meilleure sur ce dernier point que la NAND le 850 EVO pourrait tirer son épingle du jeu, d'autant que la NAND TLC était déjà assez endurante pour un usage classique.

Notez au passage que notre comparatif de SSD 480-512 Go intègre les résultats du Samung 850 Pro, mais nous n'avons par contre pas encore eu le temps de mettre à jour le texte. Comme attendu les performances sont là, et il prend à l'Intel 730 le leadership pour ce qui est des performances dans notre stress-test. Il faudra toutefois vraiment en avoir besoin, pour un usage plus classique vu son tarif nous continuons de privilégier le Crucial MX100.

Dossier : Comparatif SSD : 28 SSD de 480 à 512 Go

Publié le 07/10/2013 à 14:40 par Marc Prieur

Les SSD de 480 à 512 Go se trouvent désormais à 200-300 €, de quoi faire de l'œil à nombre d'entre vous afin de se passer d'un disque dur dans nos PC. Mais lequel choisir ? Voici un comparatif de 28 modèles !

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