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Samsung vient d'annoncer avoir débuté la production en volume de sa seconde génération de DRAM de "classe 10nm". Cette puce de 1 Go de DDR4 est annoncée comme pouvant atteindre les DDR4-3600 là où la précédente se limitait au mode DDR4-3200.

On ne connait pas la finesse de gravure exacte, mais alors que la première génération annoncée en avril 2016 était de type 1xnm Samsung fait mention cette fois de 1ynm. Il est communément admis dans l'industrie que 1xnm fait référence à quelque chose entre 16 et 19nm, et 1ynm entre 14 et 16nm. Suit ensuite 1znm pour 12 à 14nm.

Cette première DRAM 1ynm devrait permettre d'augmenter les capacités de production en 2018, ce qui n'est pas un luxe vu le marché très tendu que nous avons connu en 2017 et qui a entrainé une forte hausse des tarifs mémoire !

Cet automne, Corsair lancera deux nouvelles déclinaisons de sa mémoire DDR4, à commencer par une version LED de ses modules Vengeance. Ceux-ci seront proposés avec des LED blanches ou rouges avec des capacités de 2x 8 Go, 2x 16 Go, 4x 8 Go, 4x 16 Go et des fréquences qui iront de 2400 à 4333 MHz, avec dans ce derniers cas des puces Samsung triées sur le volet.

 

 

Ensuite, Corsair prévoit de la DDR4 Dominator Platinum Special Edition qui profitera d'un radiateur à la finition améliorée disponible en versions chrome et noire satinée. Si Corsair se contentera d'une fréquence de 3200 MHz pour ces kits 2x 16 Go et 4x 8 Go, il s'agira pourtant des meilleurs puces Samsung issues des tris effectués par la marque. Cette fréquence réduite est liée au support du quad channel sur plateforme X99, mais la marge d'overclocking est annoncée très importante.

Il s'agit de kits qui seront exclusifs et probablement très onéreux même si Corsair n'a pas pu nous communiquer de tarif à ce point. Seuls 500 kits de chaque couleur seront produits.

Samsung annonce qu'il a débuté en volume la production de puces DDR4 de 1 Go gravées avec un procédé de "classe 10nm". Samsung a déjà utilisé ce terme par le passé pour le 20nm, cela signifie en fait que le procédé se situe entre 10 et 19nm, bien entendu plus proche de cette dernière borne mais sans plus de précision. Le passage au 20 s'est pour rappel fait à partir de mars 2014.

Il indique avoir fait appel au quadruple patterning pour la gravure de la puce qui serait plus économe en énergie de 10 à 20% par rapport à la version 20nm. De plus alors que les puces 20nm étaient officiellement certifiées jusqu'en DDR4-2400, celles-ci peuvent désormais atteindre le mode DDR4-3200.