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La firme sud-coréenne Samsung vient d'annoncer  avoir lancé la production en masse de barrettes mémoires DDR4 composées de puces utilisant des TSV. Pour rappel, les TSV (Through Silicon Vias, des fils qui traversent le silicium) décrivent une méthode d'interconnexion utilisée pour connecter des dies superposés les uns aux entres en faisant passer de petits fils par des trous dans les puces (plutôt que de les faire passer par le côté).

Un exemple de dies superposés et de TSV chez Micron

Ce n'est pas la première fois que l'on parle de puces RAM utilisant des TSV, y compris chez Samsung qui avait déjà développé des échantillons de puces DDR2 et DDR3, mais il s'agit cette fois réellement d'une production en volume pour des produits étant voués à être commercialisés.

Techniquement, il s'agit de puces DDR4 de 4 Gb fabriquées dans un process « classe 20nm » (comprendre entre 20 et 29nm) en DDR4-2667. En utilisant ces puces, Samsung souhaite proposer des barrettes de 16 et 32 Go de DDR4, et même de 64 Go.


Ces barrettes seront destinées dans un premier temps plus particulièrement au marché des serveurs, aucune date de disponibilité n'est évoquée par le constructeur.

Samsung vient d'annoncer qu'il avait débuté la production en volume de puces DDR4 de 512 Mo. Gravées avec un process de "classe 20nm" (entre 20 et 29 donc), ces puces fonctionnent au mieux en mode DDR4-2667, soit 25% de mieux que la DDR3 "officielle" qui plafonne à la DDR3-2133 et pour une consommation en baisse de plus de 30%.

Le géant de la mémoire a notamment intégré ces puces sur un module ECC Registered de 32 Go, limité au mode DDR4-2133, qui devrait faire le bonheur de futurs serveurs. Rappelons toutefois qu'il faudra attendre 2014 pour que la DDR4 soit gérée sur ce type de plate-forme chez Intel (Ivy Bridge-EX et Haswell-E) ... c'est donc un peu tôt pour une production en volume !

Alors que le standard n’est pas encore finalisé par le JEDEC, Samsung annonce qu’il a terminé le mois le dernier le développement du premier module de DDR4. Fonctionnant en DDR4-2133 à seulement 1.2v, ces barrettes utilisent des puces gravées en 30nm.

Samsung indique que ses puces de DDR4 atteindront des débits de données de 1.6 à 3.2 Gbps, soit le double de ses puces DDR3. Les modules 2 Go DDR4 Samsung ont déjà été échantillonnés à fabricant de contrôleur mémoire pour test, et Samsung annonce travailler activement avec le JEDEC afin de finaliser le standard DDR4 avec le JEDEC durant le second semestre.

Samsung était déjà le premier sur la DDR en 1997, sur la DDR2 en 2001 et sur la DDR3 en 2005.