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Samsung grave la DRAM en 1xnm
Divers Mémoires
Publié le Mardi 5 Avril 2016 par Marc Prieur

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Samsung annonce qu'il a débuté en volume la production de puces DDR4 de 1 Go gravées avec un procédé de "classe 10nm". Samsung a déjà utilisé ce terme par le passé pour le 20nm, cela signifie en fait que le procédé se situe entre 10 et 19nm, bien entendu plus proche de cette dernière borne mais sans plus de précision. Le passage au 20 s'est pour rappel fait à partir de mars 2014.

Il indique avoir fait appel au quadruple patterning pour la gravure de la puce qui serait plus économe en énergie de 10 à 20% par rapport à la version 20nm. De plus alors que les puces 20nm étaient officiellement certifiées jusqu'en DDR4-2400, celles-ci peuvent désormais atteindre le mode DDR4-3200.



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