Le 20nm en production chez TSMC

Lors d'une conférence dédiée à ses résultats, TSMC a donné quelques détails intéressants sur ses procédés de fabrication en cours et à venir, ainsi que répondu vivement à certaines critiques d'Intel.

Si l'on s'intéresse plutôt aux process à venir, TSMC a donné quelques nouvelles de la version 28HPM, une version high-k metal gates de son 28nm visant les hautes performances mobiles. Le fondeur indique que 100 tapeouts de la part de 60 clients différents sont attendus sur ce process cette année.

Plus surprenant, TSMC a indiqué être en avance sur son planning pour le 20nm. Prévu pour février en production en volume, le fondeur a annoncé que cette dernière avait déjà commencée dans deux fabs (12 et 14). TSMC insiste sur le volume très important attendu pour cette année, le 20nm devant compter pour 10% du revenu total de TSMC sur 2014. A titre de comparaison sur 2013, le 28nm représentait 30% du revenu de la société.


Concernant le 16nm, TSMC est revenu sur le graphique ci-dessus qu'Intel avait présenté à ses investisseurs à la fin du mois de novembre. Comme nous l'avions noté à l'époque, le graphique en plus d'être basé sur des informations assez anciennes n'était même pas exact (TSMC estimait à l'époque un gain de 5% de densité entre le 20 et le 16nm).

TSMC corrige et enfonce un peu le clou en communiquant de nouvelles informations. Le 16 nm du constructeur utilisera pour rappel des transistors FinFET (baptisés Tri-Gate chez Intel) dont les performances et la forme diffère. TSMC indique que les gains de performances obtenus sur les transistors, combinés à des améliorations au niveau de la manière dont on les place permet en pratique de voir un gain de densité de 15%.


Parmi les autres questions évoquées, le fondeur a également indiqué son scepticisme par rapport à la technologie EUV et si TSMC espère pouvoir utiliser l'EUV en 10nm, cela est plutôt considéré comme un plan B qui permettrait de réduire les couts. TSMC dispose dans ses cartons d'une solution pour le 10nm qui ne requiert pas l'EUV, quelque chose qui fait écho à ce que nous avait dit Mark Bohr en 2012 pour Intel.

On notera enfin que le fondeur a qualifié rapidement les gains attendus côté performances des transistors, un gain de 20% est attendu entre le 28HPM et le 20-SoC, et un gain de 30% entre 20-SoC et 16-FinFET. Ce dernier avait été annoncé en production en volume pour février 2015, TSMC n'a pas donné d'estimation plus précise dans sa conférence.