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Microsoft introduit un nouveau modèle de souris dans sa gamme. Comme d'autres de la marque, cette souris sans fil (2.4 GHz, rangement du dongle USB sous la souris) dispose d'un design symétrique (pour droitiers et gauchers) et d'un capteur optique "BlueTrack" du constructeur.

Particularité, il s'agit d'une souris sans boutons physiques, elle est complètement tactile via une surface capacitive qui détecte la position et le mouvement des doigts. Outre les clics traditionnels, un certain nombre de gestes avancés sont autorisés. Déplacer un doigt de haut en bas remplace la molette tandis que déplacer de gauche à droite et inversement simule les boutons suivant et précédent. Les deux gestes sont cumulables


Des gestes nécessitants plusieurs doigts sont également au rendez vous, permettant de minimiser les fenêtres ou changer d'application. Un concept intéressant qui n'est bien entendu pas sans rappeler la Magic Mouse d'Apple . La TouchMouse de Microsoft devrait être disponible au courrant du mois d'aout pour un prix de 79.90 euros.

Nos confrères de TechRadar  nous rapportent que le HDMI Licensing LLC, l'organisme qui gère les licences HDMI évoque la possibilité de s'en prendre aux câbles Mini DisplayPort (de plus en plus utilisé sur les portables) vers HDMI que l'on peut trouver dans le commerce. Selon l'organisme, ces câbles ne correspondent pas aux accords de licences signés par leurs constructeurs, ce dernier stipulerait en effet que seuls les câbles HDMI mâle/mâle sont autorisés.

Cela ne veut pas dire pour autant que la conversion DisplayPort/HDMI est impossible, les dongles de conversion sont bel et bien autorisés, à condition qu'ils utilisent à leur extrémité un port HDMI femelle. Il faudra donc y connecter un câble HDMI classique (male/male) en sus. Pour éviter la double connectique, des câbles DP/HDMI étaient disponibles depuis quelques temps chez différentes marques (par exemple Konïg ici mais aussi Belkin et d'autres). Ce sont ces câbles que le HDMI Licensing LLC remet en cause, ce qui devrait pousser les différentes marques à arrêter leur mise en vente sous peine de remise en cause de leur licence HDMI. Le fait que le DisplayPort (norme concurrente du HDMI) soit spécifiquement visé n'est bien entendu pas anodin, mais l'application stricte de la licence HDMI pourrait également remettre en cause d'autres types de câbles de conversion, par exemple les câbles HDMI mâle/DVI mâle.

Elpida a commencé à livrer les échantillons d'une mémoire de 1 Go DDR3 utilisant la technologie TSV (Through Silicon Via). Cette technologie permet de relier plusieurs die entre eux via des connexions verticales qui passent donc au travers même des die. Cette verticalité permet de réduire drastiquement la longueur des connexions, ce qui permet entre autre d'améliorer la vitesse, d'abaisser la consommation et de réduire la taille du packaging. Attention, si certains parlent de "Puces 3D" pour cette technologie, elle n'est pas à confondre avec les transistors Tri-Gate ou "3D" mis au point notamment par Intel.

La puce de 1 Go DDR3 TSV mise au point par Elpida combine 4 die 256 Mo capables de fonctionner en DDR3-1600 à 1.5v et en 1333/1066 à 1.35v. L'utilisation de deux puces de ce type en lieu et place d'une barrette SO-DIMM de 2 Go classique permet selon Elpida d'abaisser de 50% la consommation en charge et 20% la consommation au repos. Elpida suggère d'ailleurs que ceci peut permettre de se passer de SO-DIMM pour intégrer la mémoire directement sur le PCB, mais ceci se fait alors au dépends des possibilités de mises à jour.

Elpida travaille sur la technologie TSV depuis 2004, et avait annoncé en 2009 être le premier à avoir développé une puce mémoire DDR3 de 1 Go. Après le stade du développement, Elpida passe donc désormais à l'échantillonnage sur cette nouvelle puce, mais n'indique pas de date pour la disponibilité en volume.

Le fabricant n'est toutefois pas le seul sur cette technologie et tous les fondeurs travaillent dessus. Samsung a par exemple annoncé en décembre dernier avoir développé une barrette RDIMM de 8 Go à base de puces mémoire DDR3 40nm TSV qui était jusqu'à 40% plus économe qu'une barrette RDIMM conventionnelle. Samsung précisait alors que la technologie TSV devrait commencer à se democratiser à partir de 2012.

Antec lance trois nouveaux modèles d'alimentations dans sa gamme abordable Basiq, les VP350P, VP450P et VP550P. Dotées d'un PFC actifs, elles sont refroidies par des ventilateurs 120mm et disposent des protections OCP (Over Current Protection), OVP (Over Voltage Protection), SCP (Short Circuit Protection) et OPP (Over Power Protection).

Côté rendement, Antec annonce plus de 82% pour la VP450P et plus de 85% pour la VP550P. Antec ne précise toutefois ni la charge pour laquelle ces rendement sont valables, ni le rendement de la VP350P qui est donc logiquement inférieure. Malheureusement comme les Fortron Hexa ces alimentations ne fonctionnent qu'à 230V et ne peuvent du coup pas être certifiées 80 PLUS.

Il faut noter que pour le moment seule la fiche technique de la VP450P, qui est en fait disponible depuis plus de 6 mois, est disponible. On peut y lire que sur les 450 watts, seuls 360 watts (30A) peuvent être délivrés en 12v via les deux rails qui sont limités à 18A chacun. Garanties 2 ans par Antec, les VP350P, VP450P et VP550P sont annoncées aux tarifs respectifs de 45, 52 et 69 € TTC : il faut espérer qu'ils seront inférieurs en pratique.

Après la PRAM, c'est autour d'une autre arlésienne, la MRAM, de franchir une étape significative dans son développement. Pour rappel, cette mémoire non volatile n'utilise pas une charge électrique pour stocker les bits contrairement à la DRAM, mais une charge magnétique, à l'instar les disques durs. Depuis ses débuts, elle est présentée comme la mémoire idéale, capable de remplacer la DRAM, la SRAM et la NAND.

La lecture des données utilise le principe de la magnétorésistance à effet de tunnel, en mesurant la différence de potentiel entre deux couches ferromagnétiques. L'écriture se fait en modifiant le spin des électrons dans une des ces deux couches.

L'avancée présentée par Toshiba se situe au niveau de l'élément de base d'une mémoire STT-MRAM (spin torque transfert MRAM) qui intègre ces deux couches ferromagnétiques, le MTJ (magnetic tunnel junction). Ce nouveau MTJ nécessite en effet une intensité 6 fois plus faible pour l'écriture, alors que l'écart de résistance entre les états correspondants aux bits 0 et 1 passe de 15 à 200%, ce qui permet de fiabiliser la lecture.

Toshiba annonce ainsi qu'il a pu réduire l'intensité nécessaire pour écrire un MTJ de 50nm à 9µA, et qu'un MTJ de 30nm devrait être parfaitement fonctionnel. Selon le constructeur, les prévisions de l'ITRS (International Technology Roadmap for Semiconductors) sur la STT-MRAM ne tablaient pas sur de telles performances avant 2024.

Cette avancée ouvre la voie à la commercialisation d'ici 3 à 4 ans de puces STT-MRAM offrant des densités de l'ordre d'un Gigabit. Toshiba vise une production en volume dans un processus de fabrication antérieur d'une génération par rapport à celui utilisé sur la DRAM, ce qui ne l'empêche pas d'indiquer que les coûts de production des STT-MRAM et DRAM devraient être proches. Rendez-vous en 2015 pour voir si la promesse est tenue !