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Après avoir inauguré en juillet dernier sa nouvelle usine de mémoire flash au Japon, Toshiba vient d'annoncer qu'il s'engage à en construire une nouvelle.

Elle se situera toujours sur le même site japonais de Yokkaichi situé dans la ville de Mie, et sera dédiée à la production de la 3D NAND BiCS de Toshiba.

Le début de la construction est prévu pour 2017 et la société s'attend à ce que la première "phase" (l'usine sera construite en deux temps) soit opérationnelle à l'été 2018. Toshiba construira également un nouveau building dédié spécifiquement au R&D, où il centralisera des équipes qui étaient jusque là éparpillées.

L'annonce est faite par Toshiba qui n'est pas très clair sur le rôle que jouera Western Digital dans le financement. On rappellera que Toshiba et Sandisk collaboraient au sein d'une Joint Venture (Flash Forward). Le rachat de Sandisk par Western Digital avait lié les deux entreprises qui sont en compétition sur le marché des disques durs.

Le communiqué précise simplement que selon leurs "discussions" avec Western Digital, ils s'attendent à ce que ce dernier continue à participer aux investissements et aux opérations de cette usine. L'absence de communiqué commun chez WD laisse penser que les relations sont possiblement tendues entre les deux sociétés.

Le site benchlife.info  a publié un extrait de la roadmap SSD grand public d'Intel. Après les modèles 600p lancés cet été, équipés de NAND 3D, Intel lancera l'année prochaine des 610p.

On ne sait pas encore grand chose de ces modèles, si ce n'est qu'ils seront équipés de la seconde génération de NAND 3D d'Intel.

Il s'agira là aussi de modèles M.2 de 80mm de long (M.2 2280) en PCIe/NVMe, ils seront proposés dans des capacités de 128, 256, 512 Go, ainsi que 1 et 2 To. Leur lancement est prévu d'après nos confrères au quatrième trimestre 2017.

Au troisième trimestre, on verra arriver deux autres nouveautés, avec d'abord une version "BGA" du 600p, il s'agira en pratique de M.2 compacts (M.2 1620). Cette version sera disponible en 128, 256 et 512 Go.

Enfin on notera que sur l'entrée de gamme, les actuels 540s seront eux aussi succédés par une version NAND 3D. Les 540s ont la particularité d'utiliser de la TLC 16nm SK Hynix contrairement à ses autres modèles. Le 545s utilisera donc de la NAND 3D et sera disponible à la fois au format SATA et M.2. Les capacités démarreront dans les deux cas à 256 Go et atteindront 2 To en SATA, et 1 To en M.2. Intel devrait tout de même selon la roadmap conserver les 540s dans sa gamme. Ces 545s devraient être lancés au troisième trimestre 2017.

Intel a annoncé  un nouveau SSD M.2 dédié plus spécifiquement aux serveurs. Ce P3100 vient compléter la gamme lancée fin aout. Il s'agit d'un M.2 2280 (80 mm de longueur) PCIe 3.0 x4/NVMe utilisant de la NAND 3D TLC. Le contrôleur utilisé n'est pour l'instant pas mentionné par le constructeur.

Côté performances on retrouve un profil très axé sur les lectures intensives avec jusque 1800 Mo/s en lecture et seulement 175 Mo/s en écriture. Les chiffres d'IOPS montrent la même asymétrie avec 114k en lecture et 10k en écriture.

L'endurance annoncée est de 580 To pour le modèle 1 To. A titre de comparaison, Samsung annonce 800 To pour son 960 Pro 1 To. Quatre capacités sont lancées, 128, 256, 512 et 1024 Go, ces SSD sont proposés par Intel avec une garantie de 5 années.

Toshiba vient d'annoncer une nouvelle référence de SSD, le TL100  destiné à l'entrée de gamme. Il vient prendre sa place en dessous des VX500 introduits au milieu du mois.

Le modèle de contrôleur utilisé est pour l'instant inconnu, Toshiba précisant simplement qu'il s'agit d'un modèle "Toshiba" et qu'il utilise sa propre mémoire flash NAND TLC. Côté débits séquentiels, on retrouve 550 Mo/s et 530 Mo/s annoncés en pointe, et des chiffres d'IOPS 4Ko aléatoires de respectivement 85k et 80k. Des chiffres particulièrement élevés puisque l'on est au dessus de ceux annoncés sur le VX500. On imagine facilement, entrée de gamme oblige, qu'ils ne sont pas soutenus et obtenus uniquement via des techniques types SLC caching.

Le TL100 sera disponible uniquement en versions 120 et 240 Go, accompagné d'une garantie de trois ans. Les prix et la disponibilité ne sont cependant pas annoncés !

Samsung vient d'annoncer  ses nouveaux SSD au format M.2 (2280), les 960 Pro et Evo. De nouvelles références qui viennent remplacer les 950 Pro et Evo lancés l'année dernière.

Ces SSD ont en commun une interface PCIe 3.0 sur quatre lignes et un nouveau contrôleur de Samsung, appelé Polaris. Il dispose de cinq coeurs et peut même embarquer la DRAM en mode PoP (la mémoire est superposée au contrôleur, permettant de gagner de la place sur le PCB). Il implémente notamment une nouvelle version de la technologie de cache SLC "TurboWrite" du constructeur.

On notera que Samsung a également vanté son nouvel autocollant qui intègre désormais une couche métallique de cuivre pour servir de "radiateur" et aider la dissipation !

Le 960 Pro embarque la "nouvelle" mémoire V-NAND de troisième génération... introduite l'année dernière (il faudra attendre l'année prochaine pour la Gen 4, annoncée cet été). Il s'agit de 3D NAND MLC 48 couches utilisant des dies de 32 Go.

Trois capacités sont annoncées, 512 Go, 1 To et 2 To avec des vitesses séquentielles de 3500 Mo/s en lecture et 2100 Mo/s en écriture. Côté aléatoire, sur des blocs de 4K en QD32 le modèle 512 Go atteint 330k IOPS en lecture et en écriture. Les deux autres modèles sont annoncés pour 440k en lecture et 360k en écriture.

Les prix annoncés en dollars sont de 329, 629 et 1299 pour les trois capacités, avec une garantie de 5 ans.

Les 960 Evo embarquent également de leur côté de la V-NAND troisième génération, mais cette fois ci il s'agit de 3D NAND TLC (toujours 48 couches/32 Go).

Trois capacités sont annoncées, 256 Go, 512 Go et 1 To. Les performances séquentielles sont de 3200 Mo/s en lecture. Pour ce modèle, Samsung annonce séparément les performances en écriture en mode TurboWrite (cache SLC) et en mode continu. On atteint 1500, 1800, et 1900 Mo/s lorsque l'on reste sur le cache SLC sur les trois capacités. Lorsque l'on sort du cache par contre, les performances en écriture descendent à 300, 600, et 1200 Mo/s en fonction là aussi de la capacité.

Du côté des opérations aléatoires, les modèles 256 et 512 Go sont annoncés pour 330k IOPS en lecture et écriture, et 380k/360k en lecture/écriture pour le modèle 1 To.

Les prix sont annoncés en dollars toujours, respectivement 129, 249 et 479 avec une garantie en baisse, seulement trois années comparé aux cinq proposés pour les 950 Evo. La disponibilité est annoncée pour le mois d'octobre pour toutes ces nouvelles références.