Actualités mémoires

Les modules de DDR3 commencent à pointer le bout de leur nez au CeBIT, avec entre autre des puces de chez Elpida chez ADAta mais aussi une forte présence de Qimonda (ex Infineon) et Samsung chez les fabricants de cartes mères, même si certains étaient assez maigrement pourvus comme Gigabyte qui n’avait le droit qu’à une seule barrette. Les fabricants de mémoire haut de gamme étaient bien entendus aussi de la partie, GeIL ayant au passage pris le temps de remarquer les puces à son nom.

Samsung vient dannoncer une puce movieNAND de 8 Go de mémoire Flash. Pour être plus précis, cette puce intègre en fait au sein d’un même packaging un contrôleur MMC adressant 4 die de mémoires flash de 2 Go. Sa taille réduite lui permettra d'être intégrée dans des SmartPhone et autres lecteurs MP3.

Corsair lance une nouvelle gamme de clefs USB haute performance, les Voyager GT. Utilisant un revêtement en caoutchouc souple comme les Voyager, elles se distinguent de ces dernières de part leurs performances, annoncées comme pouvant atteindre les 38 Mo /s en lecture et les 28 Mo /s en écriture.

Evidemment ces chiffres sont comme toujours avec la flash idéaux mais Corsair annonce toutefois un débit en pratique de 20 Mo /s (82 secondes pour copier 1.63 Go). Ces clefs sont disponibles en versions 2, 4 et 8 Go.

Cette annonce devrait toutefois entériner le statut de clef USB « standards » pour les modèles Voyager classiques. En effet, si ces clefs se caractérisaient à leur lancement par une très bonne rapidité, il se trouve que Corsair à changé en catimini les puces des versions 512 Mo et 1 Go pour des modèles à base de technologie MLC (Multi-Level Cell) et non plus SLC (Single-Level Cell).

Seul problème, le seul avantage du MLC est ... son coût, du fait de stockage de deux bits par cellule. Ceci se fait au dépend du nombre de cycles d’écritures (10 000 vs 100 000), mais aussi des performances, le MLC atteignant environ 75% des performances du SLC en lecture et 25% en écriture.

On notera toutefois que pour le moment tout du moins, les Voyager 2, 4 et 8 Go utilisent toujours la technologie SLC. Reste que désormais, seul le choix de la gamme GT permettra de garantir ces performances.

Samsung a présenté lors de l’ICSS une puce mémoire GDDR4 dont les I/O fonctionnent à 2 GHz à l'aide d'une tension de 2V, ce qui lui confère du fait de son bus externe de type DDR une vitesse de transfert de 4 Gbits par seconde et par pin. La fréquence des cellules mémoire en elle-même est pour sa part de 500 MHz, la GDDR4 étant de type 8n bit, comme la DDR3.

Sachant que ces puces disposent de 32 pins destinées aux transferts de données, on arrive donc à pas moins de 16 Go /s. C’est 2x fois mieux que la GDDR4 utilisée sur la X1950 XT, et 42% de mieux que la mémoire Samsung GDDR4 la plus rapide actuelle.

Chilehardware a posté deux photos d'une carte mère Intel basée sur le chipset P35 Express (nom de code Bearlake, prévu pour la mi-2007) sur lesquelles ont peut apercevoir quatre emplacements DIMM 240 pins destinés à accueillir autant de barrettes de DDR3. Si le nombre de pins reste inchangé par rapport à la DDR2 (la DDR est pour sa part à 184 pins), les détrompeurs ne se situent pas au même endroit en raison de l'absence de rétro compatibilité.