GDDR4 à 2 GHz chez Samsung

Samsung a présenté lors de l’ICSS une puce mémoire GDDR4 dont les I/O fonctionnent à 2 GHz à l'aide d'une tension de 2V, ce qui lui confère du fait de son bus externe de type DDR une vitesse de transfert de 4 Gbits par seconde et par pin. La fréquence des cellules mémoire en elle-même est pour sa part de 500 MHz, la GDDR4 étant de type 8n bit, comme la DDR3.

Sachant que ces puces disposent de 32 pins destinées aux transferts de données, on arrive donc à pas moins de 16 Go /s. C’est 2x fois mieux que la GDDR4 utilisée sur la X1950 XT, et 42% de mieux que la mémoire Samsung GDDR4 la plus rapide actuelle.

Samsung n’a donné aucune indication quand à une date de commercialisation éventuelle de ces puces, mais sachant que les puces à 1.6 GHz annoncée il y'a un an ne sont toujours pas là, on peut encore attendre.

Dans tous les cas, il reste encore à voir les premières cartes graphiques utilisant la mémoire GDDR4 1.4 GHz produite en masse depuis quelques semaines par le constructeur. A l’heure actuelle la X1950 XT se « contente » de GDDR4 1 GHz, contre de la GDDR3 900 MHz pour la 8800 GTX.