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Elpida annonce avoir terminé le développement de sa puce de 256 Mo de DDR3 gravée en 40nm. Pouvant atteindre le mode DDR3-1600, elle fonctionne avec une tension comprise entre 1.2 et 1.35V contre 1.5V par défaut pour la DDR3, ce qui lui permet d’être jusqu’à 45% plus économe en énergie. L’échantillonnage est prévu pour novembre, et la production en volume avant la fin de l’année 2009.

On rappellera que Samsung a déjà annoncé le 21 juillet dernier avoir débuté la production en volume de sa puce 256 Mo DDR3-1600 40nm 1.35V.

Les prix de la DDR2 n’arrêtent pas de grimper. Ainsi, après avoir atteint un plus bas à 0.66$ en fin d’année passée, les 128 Mo de DDR2-800 atteignent maintenant 2.32$, soit 110% d’augmentation depuis la mi-juillet !

A contrario, les 128 Mo de DDR3-1333 n’ont dans le même temps augmentés que de 5.6%, et se négocient désormais à 2.24$ pièce d’après les derniers relevés de DRAMeXchange. La DDR3, qui a fait son apparition dans nos PC en mai 2007 avec l’introduction du P35, est donc désormais moins onéreuse que la DDR2.

OCZ a annoncé la disponibilité de deux kits mémoire en Black Edition. Il s'agit de DDR3-PC3-12800 à 1600 MHz spécialement destinée à accompagner les processeurs Phenom II d'AMD. Ces kits utilisent une tension de 1.65V et la différence entre les deux se situe au niveau des latences : 7-7-7-24 pour le OCZ PC3-12800 Black Edition Ready CL7 Dual Channel et 8-8-8-24 pour le OCZ PC3-12800 Black Edition Ready CL8 Dual Channel. Ces barrettes sont compatibles AMD OverDrive. Chaque barrette est équipée d'un "Heatspreader" pour la ventilation, le kit 4 Go CL8 se vend dore et déjà aux alentours de 100 euros TTC et le CL7 se trouve aux alentours de 110 euros TTC.

Samsung vient d’annoncer avoir débuté la production de sa mémoire à changement de phase (ou PRAM, pour Phase-change RAM). Fabriquée en 60nm, cette puce arrive 3 ans après le premier prototype fonctionnel et avec un an sur le planning initial. Destiné dans un premier temps aux appareils mobiles du fait d’une consommation réduite, cette mémoire non-volatile pourrait à terme remplacer les mémoires Flash NOR dans ces appareils.

Samsung a annoncé la sortie d'une nouvelle gamme de modules DDR3 censée être "verte". En effet, les nouvelles puces DRAM gravées en 40nm fonctionnent à 1.35V en lieu et place des 1.5V énoncés par le standard JEDEC. Il s'agit donc de DDR3L (pour Low Voltage) dont les puces de 256 et 512 Mo seront utilisées sur des modules SO-DIMM et U-DIMM de 1, 2 et 4 Go alors que des modules de 8 et 16 Go seront disponibles en R-DIMM. Les spécifications des modules 1 et 2 Go 240 pins annoncent les caractéristiques suivantes : Type F8 DDR3-1066 en 7-7-7 et Type F9 DDR-1333 en 9-9-9. Des modules H0 en DDR3-1600 sont annoncés avec des latences de 11-11-11. Ces modules seront disponibles en Octobre prochain. Samsung prévoit également des modèles avec une consommation standard ainsi que des modules DDR3-1666 Low Voltage et standard.