Elpida : DDR3 en 40nm

Elpida annonce avoir terminé le développement de sa puce de 256 Mo de DDR3 gravée en 40nm. Pouvant atteindre le mode DDR3-1600, elle fonctionne avec une tension comprise entre 1.2 et 1.35V contre 1.5V par défaut pour la DDR3, ce qui lui permet d’être jusqu’à 45% plus économe en énergie. L’échantillonnage est prévu pour novembre, et la production en volume avant la fin de l’année 2009.

On rappellera que Samsung a déjà annoncé le 21 juillet dernier avoir débuté la production en volume de sa puce 256 Mo DDR3-1600 40nm 1.35V.