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Certains kits DDR3 "spécial Lynnfield" ont été pré-annoncés à la fin aout mais la sortie de la plateforme LGA1156 est l'occasion d'en remettre une couche pour les fabricants de mémoire.C'est Kingston qui ouvre le bal avec pas moins de 7 kits HyperX de 4 Go. Ce sont tous des modules XMP ready fonctionnant à 1.65V et qui diffèrent par leur fréquence allant de 1333 à 2133 MHz et par leur temps de latence qui sont soit en CL7, soit en CL8 ou en CL9. Kingston prévoit également de sortir à la fin septembre des kits équivalents en 8 Go pour les OS 64 bits. Les prix n'ont pas encore été annoncés.

Après avoir atteint un plus bas à 0.66$ en fin d’année passée et avoir remonté à 1$ au printemps, le prix des puces de 128 Mo de DDR2-800 semblent repartir à la hausse. Depuis la mi-juillet, les prix sont en effet passés de 1.1 à 1.45$, soit 32% de hausse. Dans le même temps la DDR3 augmente aussi puisqu’on est passé de 1.65 à 2.12$ pour 128 Mo de DDR3-1333 (+28%).

Selon DRAMeXchange , le prix de la DDR2 pourrait encore grimper étant donné que les fabricants de mémoire continuent à passer leur production en DDR3 alors que la demande reste forte. Reste qu’il y’a également un effet saisonnier, les clients des fabricants étant entrain de faire leurs emplettes pour la rentrée.

La joint-venture d'Intel et Micron dans le domaine de la Flash, IM Flash Technologies (IMFT), vient d'annoncer avoir échantillonné une nouvelle puce de mémoire de 4 Go de Flash NAND MLC stockant 3 bits par cellule (MLC 3BPC). Il s'agit de la première MLC 3 bit par cellule d'IMFT, ce qui lui permet combiné à une gravure en 34nm d'afficher une taille de seulement 126mm². Cette puce est actuellement en cours d'échantillonnage et devrait être produite en volume au 4ème trimestre.

Si Samsung et Hynix travaille également sur ce type de Flash NAND MLC, seule l'alliance Sandisk et Toshiba avait annoncée de telles puces : une première fois l'an passée sur un process en 56nm, puis une nouvelle fois en février dernier. Il s'agissait alors d'une puce 4 Go fabriquée en 32nm affichant une taille de 113mm², soit moins qu'une puce de 2 Go en MLC classique (2 bits par cellule) gravée en 43nm. Sa production devrait débuter au cours de ce second semestre.

Pour rappel, la mémoire Flash SLC ne gère qu'un bit par cellule, contre 2 pour ma MLC classique utilisée jusqu'alors dans les SSD. En SLC, on doit pouvoir gérer 2 niveaux de tension distincts au sein de la cellule, 4 en MLC 2 bits, et 8 en MLC 3 bits. Cela a un impact négatif sur la vitesse d'écriture mais aussi sur l'endurance de ces dernières : une puce SLC est ainsi 10 fois plus endurante et 3 fois plus rapide qu'une MLC 2 bits. Le passage en 3 bits a un impact négatif sur ces deux facteurs, sans que les constructeurs communiquent exactement sur l'ampleur de cet impact.

Le japonais Elpida vient d’annoncer qu’il s’était entendu avec l’allemand Qimonda, en cessation d’activité depuis le 1er avril dernier, afin de lui racheter les licences technologiques et une partie de ces designs relatifs à la mémoire GDDR. Le constructeur va ainsi pouvoir investir le marché de la GDDR qui n’était plus occupé que par Samsung et Hynix.

Elpida vient par ailleurs tout juste de mettre en place un nouveau centre de design en Allemagne qui va embaucher près de 50 employés de Qimonda qui travaillaient sur la GDDR. Elpida espère livrer dès le premier semestre 2010 des puces GDDR3 et GDDR3 de 128 Mo dont la production sera sous-traitée à Winbond, un fabricant taiwanais qui était déjà utilisé comme sous-traitant par Qimonda.

Elpida espère à terme que le travail conjoint de ses équipes allemandes et japonaises lui permettra de lancer dès le second semestre 2010 la production de puces GDDR5 de 256 Mo dans sa propre usine située à Hiroshima.