Actualités mémoires

Nos confrères d'ieee spectrum  font l'écho d'une nouveauté qui pourrait changer drastiquement la longévité des puces de mémoire flash. La société taïwanaise Macronix devrait présenter le week end prochain durant le salon IEDM de San Francisco  de nouvelles puces de mémoires flash pouvant supporter plusieurs centaines de millions de cycles d'écriture.

Les puces Flash NAND MLC traditionnelles ont en effet une endurance à l'écriture relativement limitée, autour d'une dizaine de milliers de cycles pour les puces 34-35nm, et de deux à trois fois moins pour les générations 24-27nm (un problème compensé par de multiples techniques dans les SSD, voir notre dernier comparatif pour plus de détails). Cette limite vient du fait qu'a chaque cycle d'effacement/écriture, la couche isolante qui entoure la cellule se dégrade petit à petit, jusqu'à ce qu'elle n'isole plus du tout, et donc ne stocke plus d'information.

Selon Macronix, appliquer une source de chaleur d'environ 250 degrés pendant plusieurs heures sur la couche isolante permet théoriquement de la réparer, une solution assez peu pratique. C'est en travaillant sur de la mémoire à changement de phase que leur est venu l'idée d'ajouter des diodes à l'intérieur d'une puce Flash NAND pour recuire ce matériau, cette fois ci, de manière ponctuelle et forte. La température peut en effet atteindre 800 degrés le temps de quelques millisecondes. Une étape qui permet selon Macronix de rendre les cellules de nouveau opérationnelles. En répétant lorsque nécessaire ces cycles (qui s'effectue de manière indépendante pour chaque cellule qui dispose de ses propres diodes), la puce à réussi à atteindre 100 millions de cycles, et continue d'être fonctionnelle.

La technique n'est évidemment pas sans inconvénients. D'abord sur la densité des cellules dans la puce, un peu plus faible du à l'ajout des diodes même si l'on ne sait pas encore de combien elle est en pratique. Ensuite, les cycles de recuit, bien que courts, nécessitent une quantité significative de courant. Dans le cas d'un périphérique mobile, il est toujours possible selon la firme de n'effectuer ces cycles que s'il est entrain de recharger par exemple.

Les cycles de chauffe ont également un impact sur les performances. En chauffant la couche isolante, on peut accélérer le cycle d'effacement/écriture, la société évoquant à terme la possibilité de créer des puces qui utiliseraient les diodes pour accélerer les performances en plus de la longévité. Tout ceci viendrait dans un second temps. Pour l'instant on ne sait pas quand est ce que ces puces pourraient arriver sur le marché. Nous disposerons peut être d'un peu plus de détails la semaine prochaine après la présentation à l'IEDM. C'est à cette même conférence que, pour rappel, la mémoire Flash avait été présentée... en 1984 !

Kingston inaugure une nouvelle gamme de modules DDR3 XMP, les HyperX Beast. Appartenant toujours à la famille Predator ils sont répartis en kits de 8 Go à 64 Go pour des fréquences allant de 1600MHz à 2400 MHz. Côté latences les kits affichent des CL 9, 10 et 11 et fonctionnent avec une tension de 1,5V ou 1,65V.

Les caractéristique des différents kits d'HyperX Beast sont visibles ici. Aucun prix n'a été divulgué pour le moment.

AMD a lancé un "nouveau" produit, le Radeon Ramdisk. Téléchargeable sur ce site dédié , ce logiciel permet de faire d'une partie de la mémoire vive un disque logique accessible comme tel sous Windows.

Ce disque peut être utilisé pour des fichiers temporaires comme pour du plus long terme, le logiciel supportant la sauvegarde du ramdisk à l'extinction de la machine ainsi que la sauvegarde automatique pour limiter les pertes de données suite à une panne de courant. Attention toutefois, si par rapport à un disque dur classique un ramdisk peut avoir un intérêt, il n'a que peu d'utilité avec un SSD : même si les performances brutes sont bien supérieures, nous avions montré qu'en pratique le gain était marginal.

Reste que le concept de Ramdisk n'a rien de nouveau, et le Radeon Ramdisk n'est autre qu'une version personnalisée  du logiciel RAMDisk de Dataram corporation ! Les versions gratuites sont comparables et ne permettent pas de dépasser les 4 Go de Ramdisk, alors que les versions payantes sont au même prix (18.99$) et permettent toutes deux d'atteindre les 64 Go. Seule vraie différence, si vous disposez de barrettes mémoire AMD Radeon, la limite de taille passe de 4 à 6 Go.

Attendue dans un premier temps fin 2011, puis pour la mi 2012, c'est finalement mardi dernier que le JEDEC - le consortium des différents acteurs de l'industrie informatique qui détermine les standards mémoires - a publié la spécification de ce qui sera le prochain standard mémoire de nos machines : la DDR4. Comme nous l'indiquions précédemment, là ou l'écart entre la publication de la DDR, DDR2 et DDR3 avait été entre chaque de quatre années, il aura fallu plus de sept ans entre la publication de la spécification de la DDR3 et celle de la DDR4.

Une longévité fortement accrue et qui s'est traduite par l'arrivée de barrettes qui dépassent très largement les objectifs d'origines de la DDR3 : on voit des modèles annoncés au-delà de la DDR3-2600 quand la spécification de la DDR3 ne validait officiellement les modules ne montant que jusqu'à 1600 (à l'origine, la spécification ayant été modifiée pour aller jusque 2133). Le JEDEC, qui n'aimait en général pas particulièrement ces dépassements (qui avaient existés auparavant, on se souvient par exemple de la DDR2-1066 là ou 800 était le maximum autorisé) à d'ailleurs fermé les yeux sur ces barrettes même si le communiqué reconnait que la DDR3 à "dépassé ses objectifs originaux de performances" et qu'il est probable que la DDR4 fasse de même.

Nous avions déjà évoqué dans une actualité précédente quelques unes des grandes lignes techniques qui devaient être utilisées pour la DDR4, à savoir l'utilisation de transferts de largeurs variables (32, 64 ou 128 bits effectifs par transfert au lieu de 64 uniquement pour la DDR3) ou l'implémentation du concept DBI (Data Bit Inversion) qui permet de simplifier certains transferts en inversant les bits dans le but de limiter la consommation.

Version x4/x8 classique à gauche et version x16
L'organisation de l'adressage évolue avec l'apparition de groupes de banques indépendants les un des autres au sein puces. On trouve ainsi 2 groupes de 4 banques sur les puces x16 et 2 groupes de 4 banques sur les puces x16,, une nouveauté qui est à la base de l'amélioration des débits.

D'autres petits détails sont présents comme l'adaptation à la température de la puce qui doit pouvoir au minimum supporter 85°, un mode additionnel de fonctionnement jusqu'à 95° est également présent, dans ce cas les puces mémoires forceront un rafraichissement des données plus régulier pour éviter toute perte d'information (et plantage). Un mode de rafraichissement plus lent (période plus longue entre deux opérations) est également prévu pour un fonctionnement sous les 45°.

Du côté des débits, la DDR4 démarrera officiellement avec la DDR4-1600 (1600 MT/s) avec pour objectif d'atteindre 3200 MT/s d'ici à la fin de vie du standard. Les latences, exprimées en cycles paraitront forcément élevées même si l'on notera qu'elles sont assez proches de celles de la DDR3 actuelle (CAS 10 à 12 pour la DDR4-1600 au lieu de CAS9 couramment aujourd'hui pour la DDR3-1600). Ramenées en nanosecondes, ces latences restent très faibles et les multiples changements au niveau du fonctionnement interne font qu'il serait particulièrement faux de juger la DDR4 sur ces simples chiffres de latences.


Côté tensions, comme nous l'indiquions on passera de 1.5V à 1.2V pour la tension d'alimentation, sachant que des modules basse consommation (1.05V) sont également prévus (à l'image des barrettes DDR3 1.35V) sur le long terme. Une seconde tension de support à 2.5V (VPP) est également présente même si elle ne jouera qu'un rôle additionnel.

Nous nous devons enfin de noter que la spécification reste encore par endroit incomplète. Ainsi, si de manière normale certains timings ne sont pas encore définis au delà de 2400 MT/s, une (grande) partie de la spécification des timings électriques n'est pas du tout définie et ce pour toutes les fréquences de fonctionnement. Bien entendu cette première version de la spécification est amenée à évoluer d'ici à ce que les produits soient disponibles. La DDR4 est attendu pour rappel par Intel côté serveur pour 2014, et côté desktop pour 2015 au mieux comme nous l'indiquions ici .

Kingston va rendre permanent les dissipateurs rouges, et officialise donc sa gamme HyperX Red. En tout ce sont 10 kits XMP qui vont arriver. Entre 2 Go et 16 Go de DDR3 1333MHz et 1600 MHz. Les modules fonctionneront en 1.5V ou en 1.65V selon les modèles. Les latences affichées sont de 9-9-9-27 ou de 10-10-10-30 selon les kits.

Ci-dessous le tableau récapitulatif des kits lancés et leur prix public conseillé (arrondi). Les kits fonctionnant en 1.65V sont signalés. Les autres nécessitent 1.5V:



Dernier détail: le communiqué de Kingston ne le précise pas, mais il semble que ces prix indicatifs soient hors taxe.