Actualités mémoires

Depuis notre actualité datée du 30 janvier, les prix de la mémoire DDR3 ont continué d'augmenter.

Le prix d'une puce de 256 Mo de DDR3-1600 est en effet passé de 0,82$ fin novembre à 1,21$ fin janvier, et il est désormais de 1,475$ soit près de 80% de hausse.

Pour les puces de 512 Mo c'est mieux puisqu'on est passé de 2,01$ fin novembre à 2,31$ fin janvier et 2,65$ ce jour, soit une hausse totale de 31,8%.

Au final pour faire une barrette de 4 Go DDR3-1600 la moins chère possible il fallait utiliser en fin d'année passée des puces 256 Mo pour un coût total en DDR3 de 13,12$, ce jour il vaut mieux utiliser des puces 512 Mo pour 21,2$, soit une hausse de 61,6%. Depuis fin janvier la hausse correspond à celle des puces 512 Mo, soit +14,7%.

G.Skill lance un nouveau kit de 32 Go de mémoire DDR3, le F3-2800C11Q-32GTXD, destinés aux processeurs Ivy Bridge. Composé de 4 barrettes de 8 Go dotées du radiateur TridentX à dissipateur amovible, il est certifié pour un fonctionnement en DDR3-2800 à 1.65v avec des latences de 11-13-13-35.

Jusqu'alors on ne trouvait que des barrettes 4 Go en DDR3-2800, les 8 Go s'arrêtant à la DDR3-2666.

Depuis fin novembre les prix de la mémoire DDR3 ne cessent d'augmenter d'après les prix communiqués par DRAMeXchange . Fin novembre, il fallait en effet compter 0,82$ pour une puce de 256 Mo de DDR3-1600 et 2,01$ pour une puce de 512 Mo.

Aujourd'hui ces prix sont respectivement 47,6% et 14,9% plus élevés, à 1,21 et 2,31$. La hausse concerne surtout les puces de 256 Mo qui devraient progressivement être remplacées par les 512 Mo.

Reste que pour une barrette 4 Go DDR3-1600, si on utilisait fin novembre 16 puces de 256 Mo il fallait compter pour 13,12$ de DDR3, alors qu'aujourd'hui la solution la plus avantageuse, soit 8 puces de 512 Mo, revient à 18,48$, soit une hausse de 40,8%.

DRAMeXchange explique cette tendance par plusieurs phénomènes, tout d'abord une baisse du volume de production des coréens Hynix et Samsung, mais aussi la concentration de la production au sein de trois acteurs avec le rachat d'Elpida par Micron et l'abandon du marché de la DRAM par les Taiwanais Elpida et Powerchip.

Il faut dire qu'étant donné les pertes enregistrées par les fabricants (Micron notamment), des prix si bas étaient difficilement tenables sur le long terme. Reste maintenant à savoir à quel niveau ils se stabiliseront de nouveau !

La DDR4, qui succèdera à la DDR3 sur la plateforme serveur Haswell-EX l'an prochain, et un peu plus tard du côté desktop, commence à se montrer. Lors de notre passage chez Micron/Crucial, nous avons ainsi pu observer une plateforme DDR4 fonctionnelle. Il s'agissait d'un système de test fourni par Intel, sans plus de précisions, et qui permet un monitoring avancé des modules mémoire.

La DDR4, que nous avions décrite plus en détail ici, est prévue avec des débits qui commenceront à 1600 MT/s ("1600 MHz") et monteront selon Crucial jusqu'à 3200 MT/s, voire plus, probablement avec une petite augmentation de la tension. Face à de la mémoire DDR3 qui atteint également des débits importants, l'intérêt principal de la DDR4 proviendra dans un premier temps de sa tension inférieure (1.2V contre 1.5V pour la DDR3 et 1.35V pour la DDR3L) et de diverses autres optimisation destinées à réduire la consommation. Un peu plus tard une variante basse consommation de la DDR4 verra également le jour avec une tension de 1V, 1.05V ou 1.1V, Crucial précisant que des discussions autour de cette tension étaient toujours en cours.


La démonstration, avec mémoire ECC, se limitait à un débit de 2133 MT/s, le maximum autorisé par la plateforme fournie par Intel, mais Crucial nous a précisé que dans ses labos le débit maximal actuellement défini par le JEDEC, 2400 MT/s, ne posait pas de soucis sur ces modules qui pouvaient par ailleurs fonctionner à 2600 MT/s.

Petite particularité du format DIMM DDR4, illustré ici dans sa version grand public, sans ECC, les extrémités de son connecteur sont biseautées. Crucial explique que ce détail était important compte tenu de la densité plus élevée des pins et du placement plus central du détrompeur, sans quoi la pression exercée lors du montage devenait trop forte.


La DDR3 en haut et la DDR4 en bas.

Micron vient d'annoncer ses résultats pour son trimestre fiscal qui prenait fin le 29 novembre dernier. Le volume des ventes s'établi à 1,8 milliards de dollars pour une perte nette de 275 millions, contre 2 milliards et 243 millions de pertes au trimestre précédent et 2,1 milliards et 187 millions de pertes il y'a un an. Ces 275 millions intègrent une perte de 62 millions lié à l'exposition de Micron au yen du fait du futur rachat d'Elpida et un gain de 25 millions lié à la fermeture d'une joint-venture de panneaux solaires. A ce sujet, le rachat d'Elpida a reçu le feu-vert des autorités de régulation Japonaises, et Micron espère recueillir les autorisations manquantes sous peu afin de conclure la transaction durant le premier semestre 2013.

Le marché de la mémoire n'est pas aussi florissant que d'autres et le fabricant n'arrive pas à être rentable avec sa marge brute de 12% qui ne permet pas de soutenir le niveau d'investissement élevé requit par ce marché, avec tout de même 538 millions consacré à ce poste sur le dernier trimestre.

Dans le détail les ventes de Flash NAND sont séquentiellement en baisse de 4% du fait d'une baisse de volume de 9% qui n'a été que partiellement compensée par une hausse du prix de vente moyen de 5%. Côté DRAM la baisse est de 9% car malgré une hausse du volume le prix de vente moyen a diminué de 11%. La Flash NOR est pour sa part stable.

Micron a communiqué aux passages quelques chiffres intéressants. Pour le trimestre en cours Micron attends une baisse du prix moyen de la NAND de 5 à 9%, avec une baisse de son coût de production équivalente ainsi qu'un doublement de la production en NAND 20nm. Il précise que la montée en volume du 20nm a été plus délicate que prévu, mais que d'ici 3 à 6 mois le 20nm devrait passer devant le 25nm. Sur le trimestre précédent 35% des revenus de la Flash NAND étaient liés aux SSD, environ la moitié en direct via les SSD Micron / Crucial et la moitié via les puces vendues à d'autres fabricants de SSD.

Côté DRAM les prix sur le trimestre en cours sont pour l'instant en baisse de plus de 10% par rapport au trimestre précédent. Après une baisse de 5% du coût de production au bit, Micron espère le baisser de 10 à 15% cette fois grâce à la montée en puissance des puces de 4 Go.