Actualités mémoires

L'IDF de Pékin était aussi l'occasion pour Intel et ses partenaires d'évoquer les futurs standards mémoires DDR4 et LPDDR4. D'abord côté Intel ou l'on pouvait trouver ce slide qui compare les différentes versions de DDR :

Par rapport à la présentation que nous avions faite précédemment, on peut noter quelques petits changements. Notamment la mention des modes 3200 MT/s qui n'étaient que très peu évoquées dans la spécification originelle de la DDR4. Intel évoque ainsi des latences qui pourront atteindre 24 cycles. Pour le reste il s'agit des informations dont nous disposions déjà, pour rappel un des intérêts techniques principaux de la DDR4 tient dans l'organisation de l'adressage mémoire sous forme de groupes capables d'exécuter des instructions de manière indépendante.

La LPDDR4 est également évoquée dans une présentation donnée par la société Hynix. Encore au rang de pré-standard pour le JEDEC, Hynix indique que la version finale devrait être ratifiée d'ici à la fin de l'année. Notez que si les noms se ressemblent, les standards LP ne sont pas identiques aux standards DDR classiques, à l'image de ce que l'on connait bien avec la GDDR par exemple. Les choix techniques effectués peuvent différer, l'objectif des standards LP étant de minimiser au maximum la consommation.


Comme toujours augmenter la bande passante est l'objectif, elle est doublée par rapport à la LPDDR3. On notera d'ailleurs sur ce graphique l'arrivée attendue d'un autre standard, Wide I/O 2. Un premier standard Wide I/O avait en effet été publié par le JEDEC fin 2011, il vise a standardiser la pratique dite du die stacking de mémoire, à savoir superposer des dies de mémoires par-dessus un SoC, le tout étant relié par le biais de TSV. La première version de Wide I/O avait avant tout pour but de régler les problèmes techniques autour de la solution et est relativement conservatrice en termes de débits, pouvant atteindre 17 Go/s (via une généreuse interface 512 bits !). La seconde version, attendue pour 2015 (le standard est encore loin d'être finalisé), visera des débits significativement plus élevés, pouvant atteindre 51 Go/s.


En ce qui concerne la LPDDR4, on notera au niveau des détails que la tension de base baisse de 1.2 à 1.1V par rapport à la LPDDR3, et une tension de terminaison qui est divisée par 3 (de 1.2V à 0.4V). Une réduction du routage fait également partie des objectifs attendus, ce qui devrait avoir pour conséquence un changement assez drastique dans le packaging.


Pour le reste, Hynix nous parait particulièrement optimiste en indiquant que la LPDDR4 sera disponible pour la mi-2014. Il faudra voir si cet enthousiasme sera partagé par le reste de l'industrie !

Intel tient en ce moment à Pékin l'édition chinoise 2013 de son forum dédié aux développeurs. L'occasion de voir apparaitre quelques petits détails au milieu des présentations. Le premier concerne les plateformes Ultrabook Haswell. Si jusqu'ici les plateformes Intel supportaient dans leur contrôleur mémoire à la fois la DDR3 et la DDR3L (basse tension), Intel avait annoncé l'ajout du support d'un autre type de mémoire, la LPDDR3.

Standardisé en 2012 par le JEDEC, la LPDDR3 (Low Power DDR3) est un standard mémoire dédié aux plateformes mobiles. La version précédente du standard, la LPDDR2 est utilisée principalement dans les smartphones et les tablettes. L'avantage de ces mémoires tient dans leur très faible encombrement et dans leur consommation réduite, particulièrement au repos ou elle est estimée 4x inférieure à celle de la DDR3L.


Assez peu répandue jusqu'ici, la LPDDR3 est bien entendue plus onéreuse, des estimations d'Intel deux fois plus chères actuellement que la DDR3L. Un surcout qui, selon leurs estimations devrait s'amenuiser d'ici le quatrième trimestre 2014 ou ils estiment qu'un module de LPDDR3, actuellement annoncé autour des 40 dollars devrait voir son prix divisé par deux. Le constructeur suggère donc de réserver son utilisation dans un premier temps dans les Ultrabooks "Premium".

Micron vient d'annoncer ses résultats pour le trimestre fiscal prenant fin le 28 février 2013. Le fabricant de mémoire atteint un chiffre d'affaires de 2,078 milliards de $, soit 3,4% de mieux qu'il y'a un an et surtout 13% de mieux qu'il y'a trois mois.

Le récent doublement des prix de la DRAM n'a pas encore vraiment touchée les contrats avec les OEM qui sont la principale source de revenus du constructeur et le résultat opérationnel reste négatif à 23 millions de $, en nette amélioration par rapport aux pertes de 204 millions et 97 millions enregistrées un an et trois mois auparavant. La perte nette ne faiblit par contre pas à 286 millions de $ du fait d'écritures comptables liées au rachat d'Elpida et Rexchip (120 millions) et à la revente d'une usine de wafer de 200m à Avezzano en Italie.

La marge brute est en hausse avec 18%, contre 12% au trimestre précédent, Micron attribuant ce gain à une baisse du coût de fabrication. Sur la période les ventes de DRAM sont en hausse de 24%, avec une hausse de volume de bits de 38% contrecarrée par une baisse du prix de vente moyen de 10%.

Ceci s'explique par le retrait annoncé début janvier de Nanya de la joint-venture Inotera qu'il avait avec Micron et qui fait que Micron achète désormais 95% du fabricant de mémoire Taiwanais, d'où la hausse du volume importante et la baisse du prix moyen malgré la tendance du marché, les produits Inotera étant moins haut de gamme et chers que ceux de Micron.

Côté NAND Flash la hausse est de 8%, avec une hausse du volume de 13% mais une baisse du prix moyen. Les ventes de SSD sont en hausse de 40% sur un trimestre.

Pour le prochain trimestre Micron estime que le prix de vente et le coût de production moyen de sa NAND sera en baisse de 5% environ, associé à une hausse du volume produit de 5 à 9%. Côté DRAM Micron s'attend à une hausse de son prix de vente moyen de 5% pour une baisse du prix de production de 5 à 9% et une hausse du volume de 2%.

Par rapport aux prix du marché au jour le jour de la mémoire la hausse est très faible, ceci s'expliquant encore une fois par le fait qu'une grosse partie des volumes se font sur la base de contrats d'approvisionnement dont les prix sont fixés à l'avance et dont les prix ne varient pas aussi vite.

Micron indique de plus qu'il va augmenter la part de wafer DRAM en provenance de Inotera dans sa production globale de DRAM, le mix produit sera donc différent et moins haut de gamme, et qu'il va reconfigurer une partie de ses propres lignes dédiées à la fabrication de DRAM en lignes de fabrication Flash NAND afin de ne pas être en surcapacité côté DRAM, d'autant que lorsque le rachat d'Elpida sera terminé cela augmentera de 45% ses capacités côté DRAM.

Les prix de la mémoire semblent enfin se calmer, après avoir encore augmenté en flèche jusqu'à la mi-mars. Au plus haut, il fallait en effet compter 3,478$ pour une puce de 512 Mo de DDR3-1600, contre 2,01$ fin novembre (+73%) et 1,748$ pour une puce de 256 Mo contre 0,82$ fin novembre (+113%).

Pour faire une barrette de 4 Go DDR3-1600 la moins chère possible il fallait utiliser en fin d'année passée des puces 256 Mo pour un coût total en DDR3 de 13,12$, contre des puces 512 Mo pour 27,824$ (+112%) mi-mars.

Depuis un peu moins d'une semaine la hausse est terminée et on observe même un léger repli : il faut en effet compter 1,68$ pour 256 Mo de DDR3-1600 et 3,403$ pour 512 Mo. Les prix ont tout de même plus que doublé pour une barrette de 4 Go en l'espace de 4 mois, une hausse qui n'a pas encore été complètement répercutée sur les prix de vente en France grâce aux stocks des divers intervenants. Reste à savoir quelle sera l'évolution des prix dans les prochaines semaines…

La marque Corsair vient d'ajouter sur son site une nouvelle référence de kit mémoire très haut de gamme. Baptisée Vengeance Extreme, ce kit de deux barrettes de 4 Go est annoncé comme supportant le mode DDR3-3000 à 1.65V, avec des latences 12-14-14-36. Elles booteront beaucoup plus classiquement en mode SPD à 1.5V en DDR3-1333 CAS 9, les spécifications ne précisant pas si un profil XMP est inclus.

Ces kits ont été validés selon le constructeur avec des processeurs Ivy Bridge sur des cartes mères Z77 comme les P8Z77-I Deluxe d'Asus, ou les Z77 OC Formula d'Asrock . On notera que les barrettes utilisent un système de refroidissement low profile.

Côté prix, ce kit se fera désirer puisqu'il est annoncé à 749.99 dollars !