Actualités stockage
Intel lance ses SSD 530 avec DevSleep
6 To en 3.5'' pour Seagate l'an prochain
Un SSD 2.5'' à 3 Go /s en ePCIE chez Samsung
Samsung 840 EVO et TurboWrite
Les 2.5'' 7200 tpm Seagate, c'est déjà fini
Le SATA passe en version 3.2
Le SATA-IO vient d'annoncer la ratification de la norme SATA 3.2, qui était initialement prévue pour … fin 2011 !

Cette norme intègre plusieurs nouveautés, à commencer par le SATA Express. Le SATA Express nécessitera un nouveau connecteur qui permettra côté carte mère de connecter deux périphériques SATA ou un périphérique SATA Express. La vitesse maximale passe de 600 Mo/s en SATA 6 Gb/s à 2 Go/s en SATA Express via l'utilisation de 2 lignes PCIe Gen3, les périphériques SATA Express pouvant utiliser l'AHCI comme le NVMe plus efficace mais pas encore supporté nativement par les OS.
La norme SATA 3.2 intègre également le format de carte M.2 (ex NGFF) mis au point par le PCI-SIG. Ce format plus flexible que le mSATA réduit la hauteur des cartes (2.75mm en simple face et 3.85mm en double face, contre 4.85mm) et ne fait que 22mm de large pour une longueur allant de 30 à 110mm selon les versions, contre 51x30mm pour le mSATA. La connexion avec le système peut se faire en PCI Express, avec jusqu'à 4 lignes et donc 4 Go /s en PCIe Gen3, ou en SATA.
Ce n'est pas tout puisque SATA 3.2 définit le standard microSSD, destiné aux SSD mono-puce intégrant sur une puce BGA le contrôleur et la Flash (comme le Sandisk iSSD ). L'Universal Storage Module, un format universel de baie d'extension de stockage sur les produits électroniques, introduit dans le SATA 3.1 dispose de plus d'une version Slim qui passe de 14,5 à 9mm. Le DevSleep, destiné à réduire la consommation au repos et que nous avions décrit ici.
Autre nouveauté, le SATA 3.2 permet via la fonctionnalité Hybrid Information une interaction entre l'hôte et le SSHD afin d'optimiser l'utilisation du cache. L'hôte peut ainsi indiquer au SSHD une priorisation pour la mise en cache Flash des données, et en retour le SSHD peut indiquer le volume de Flash disponible par niveau de priorité.
Enfin le Rebuild Assist est destiné à accélérer la reconstruction d'un RAID en cas de panne, il permet à l'hôte de déterminer si un secteur logique est défectueux sans avoir à lire individuellement les LBA du secteur, le disque retournera le LBA défectueux en retour d'une commande de lecture groupée.
Seagate investit dans eASIC
eASIC vient d'annoncer qu'il avait levé des fonds (pour un montant non communiqué) auprès de Seagate. Les deux sociétés explorent de plus la possibilité de développer des contrôleurs pour les SSD Seagate, un domaine dans lequel les deux sociétés ont déjà en partie collaboré puisque ce sont déjà des puces eASIC qui gèrent la mémoire Flash sur les SSHD Seagate.

Cette annonce montre bien la problématique qu'a Seagate sur le marché du SSD. En plus de ne pas être producteur de la "matière première", à savoir la Flash, Seagate a dû multiplier les partenariats du côté des contrôleurs depuis quelques années.
C'est un SandForce SF-1500 qui équipait les Pulsar en 2009, puis un contrôleur mis au point avec Samsung au sein des Pulsar.2 de 2011 et enfin la dernière série de SSD 600 lancée en 2013 utilise un contrôleur Link A Media.
La V-NAND en production chez Samsung !
Le géant coréen vient d'annoncer la mise en production de sa technologie V-NAND, un nouveau type de mémoire flash conçu pour améliorer la densité. La V-NAND combine deux innovations par rapport à la mémoire flash NAND traditionnelle.

D'abord sur le fonctionnement même du stockage, la NAND traditionnelle utilise des transistors de type floating-gate pour stocker les informations. La V-NAND se distingue en utilisant un autre type de structure, dit charge-trap.

Schéma extrait de cette présentation de Macronix
La floating-gate est ici remplacée par une couche de nitrure de silicium, ce qui donne l'avantage d'une structure planaire plus facile à produire. Il ne s'agit pas en soit d'une technologie nouvelle puisque le concept date des années 70 et avait été popularisé par AMD et Fujitsu avec la mémoire flash NOR MirrorBit. Son application à la NAND avait été étudiée à plusieurs reprises, son inconvénient principal dans les structures traditionnelles SONOS (Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon) étant qu'il est difficile de cumuler vitesse d'effacement rapide et rétention, bien qu'individuellement sur ces points la CT soit théoriquement plus intéressante que la NAND floating-gate. Depuis, des alternatives au SONOS utilisant par exemple des diélectriques high-k ont été mises au point.
L'autre innovation consiste à produire ces structures de manière verticale, plutôt que de manière planaire. Samsung n'est pas le seul à travailler sur le sujet puisque Toshiba , dès 2007, avait proposé une structure de ce type que vous pouvez voir en image ci-dessous (la couche en rouge du schéma au-dessus est ici en (tube) jaune) :

En utilisant des structures verticales, il est possible d'améliorer significativement la densité de données, sans pour autant faire exploser les coûts. Plusieurs types de structures verticales étaient d'ailleurs à l'étude, Toshiba privilégiant sur le schéma ci-dessus une structure BiCS (Bit Cost Scalable) tandis que Samsung travaillait sur deux alternatives. Tout d'abord le TCAT (Terrabit Cell Array Transistor), une version améliorée du BiCS qui permet l'utilisation de diélectriques high-k et le VG-NAND (Vertical Gate NAND) dont la structure est un peu plus complexe :

Bien que le communiqué ne le précise pas exactement, nous supposons d'après certains termes utilisés dans le communiqué que c'est l'approche TCAT qui a été retenue, il s'agit en prime de celle qui semblait la plus prometteuse en termes de coûts. Le communiqué indique que Samsung pourrait en théorie placer jusqu'à 24 couches en hauteur, sans préciser le nombre de couches utilisées dans les premières puces.
Côté performances et caractéristiques, là encore le communiqué est flou et il faudra probablement attendre de voir les fiches techniques des puces pour avoir des informations précises. Samsung indique simplement que la V-NAND permet par rapport à de la NAND classique gravée en 1xnm (19nm probablement) d'augmenter la longévité des puces par un facteur compris entre 2 et 10x, tandis que les performances en écritures seraient doublées. Samsung se garde par contre d'indiquer quelle est la finesse de gravure utilisée pour cette V-NAND.
Il sera important de voir quelles seront les caractéristiques commerciales des puces, mais également leur prix ! La première proposera une densité de "seulement" 128 Gbit, une taille déjà atteinte avec des technologies classiques, avec pour objectif d'atteindre le Terabit sur une seule puce à terme via cette technologie.
Les disques WD à l'hélium avant fin 2013
En septembre 2012, HGST avait levé le voile sur une nouvelle technologie pour les disques durs visant à remplacer l'air contenu au sein des disques durs par de l'hélium. 7 fois moins dense que l'air, ce gaz permet d'utiliser moins d'énergie pour la rotation des plateaux et de réduire l'espace entre la tête de lecture et le plateau. HGST précisait qu'il pourrait du coup loger 7 plateaux dans un disque 3.5" qui serait de fait scellés et hermétique, contre 5 au mieux jusqu'alors, de quoi atteindre les 7 To par disque avec les plateaux actuels.

Western Digital, qui a racheté HGST, n'a pas abandonné ce projet qui a bien avancé. Le constructeur a en effet précisé lors de l'annonce de ses résultats que des échantillons avaient déjà été envoyés à des clients, et que le lancement officiel devait intervenir avant la fin de l'année. Dans un premier temps au moins, ce type de disque restera par contre réservé au monde professionnel.
SSHD à 15K rpm chez Seagate
Seagate vient d'annoncer un nouveau SSHD, destiné au monde professionnel cette fois, l'Enterprise Turbo. Au format 2.5", il utilise une interface SAS 6 Gbps et intègre 300, 450 et 600 Go de stockage magnétique sur des plateaux fonctionnant à 15 000 rpm ainsi que de 32 Go de Flash NAND eMLC qui font office de cache en lecture.

Comme d'habitude, l'accélération apportée par ce type de technologie par rapport à un disque classique dépendra de la récurrence des accès sur une petite partie des données stockées sur le disque. Sous le benchmark SPC-1C censé refléter les performances d'un système de stockage pour un serveur mail, Seagate et IBM ont toutefois publié des résultats montrant des performances qui sont doublées.
Ces tests n'ont pas été effectués sur ce SSHD mais sur un autre qu'IBM propose en option sur ses serveurs depuis le mois dernier. Si la capacité est toujours de 600 Go, ces disques sont basés sur les Seagate Enterprise Performance 10K HDD v7 (le nouveau nom des Savvio 10K) : la rotation est donc de 10 000 rpm, et le cache Flash n'est que de 16 Go.
Actuellement en cours d'échantillonnage, l'Enterprise Turbo SSHD sera disponible fin septembre à un prix non communiqué. Sa garantie est de 5 ans.


