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La V-NAND Gen4 de Samsung produite en volume

Tags : 3D NAND; Samsung; TLC;
Publié le 15/06/2017 à 15:49 par Guillaume Louel

L'été dernier, Samsung avait annoncé sa quatrième génération de mémoire flash V-NAND (utilisée notamment pour les SSD), avec pas moins de 64 couches pour des dies qui pourraient atteindre jusque 512 Gbit (soit 64 Go).

Ce type d'annonce est souvent effectué très en amont par Samsung, qui vient d'annoncer seulement aujourd'hui la production en volume de cette V-NAND TLC 64 couches. Le communiqué précise explicitement qu'il s'agit de dies de 256 Gbit (32 Go, on peut en empiler jusque 16 dans un "package" pour des puces atteignant 512 Go), ce qui est assez surprenant. Le constructeur aurait pu simplement omettre ce détail ! On ne sait pas si les modèles 512 Gbit seront annoncés ultérieurement ou s'ils ont été annulés.

Par rapport à la génération précédente, Samsung annonce une consommation inférieure de 30% (la tension d'alimentation passe de 3.3V à 2.5V), et une fiabilité accrue de 20%.

Ces puces avaient commencées à être fabriquées en petites quantités en début d'année, Samsung indique qu'il s'attend à ce que cette nouvelle génération représente plus de la moitié de sa production d'ici à la fin de l'année. Les produits commerciaux basés sur cette V-NAND devraient être annoncés dans les mois qui viennent.

On notera qu'a la fin du communiqué, Samsung évoque déjà sa prochaine génération de V-NAND qui pourrait dépasser 90 couches pour des dies de 1 Tbit.

Nouveau contrôleur SSD SATA chez Marvell

Publié le 17/01/2017 à 09:15 par Frédéric Cuvelier / source: AnandTech

Alors que tous les constructeurs se positionnent autour des SSD M.2 PCIEe compatibles avec l'interface NVMe, Marvell n'oublie pas que l'écrasante majorité des utilisateurs en est restée, pour l'heure, au SATA.

La firme a ainsi annoncé le successeur du 88SS1074, contrôleur lancé au printemps 2014 et qui officie au sein des Kingston UV400, Crucial MX300, SanDisk X400 ou plus récent WD Blue.

Tout comme le 88SS1074, le 88SS1079 prend en charge la mémoire TLC comme la NAND 3D, et aux dires de Marvell, les performances resteront identiques.

Qu'apporte donc ce nouveau contrôleur dans ce cas ? Son atout réside dans sa conception, puisque le PCB qui lui est lié a été allégé de quelques composants, rendant son coût de fabrication moins élevé.

L'avantage stratégique du 88SS1079 est donc "uniquement" une histoire de prix. Mais si l'on considère la bataille tarifaire que se livrent les différents protagonistes du marché, et le nivellement des performances engendré par une interface SATA en fin de vie, cet argument est sans doute suffisant pour les partenaires habituels de Marvell.

Il y a donc fort à parier que les Western Digital, Crucial et autres Kingston sortiront cette année des SSD bâtis autour de ce contrôleur et de NAND TLC 3D. Des SSD dont le prix rapporté au gigaoctet devrait encore baisser.

Le Plextor M8Se (NVMe TLC) arrive en juin

Publié le 10/01/2017 à 10:58 par Frédéric Cuvelier / source: Tom's Hardware

Pressenti quelques jours avant le CES et annoncé lors du salon, le M8Se de Plextor est le premier SSD de la marque à intégrer de la mémoire TLC dans un modèle PCIe NVMe.

La fin de l'année a été marquée pour Plextor par l'arrivée de son premier SSD NVme, le M8Pe, qui utilise de la mémoire MLC.

Cette fois, Plextor vise un coût de production (et un prix de vente) moindre pour viser plus large, en introduisant dans son M8Se de la mémoire TLC.

Deux variantes sont attendues pour le mois de juin : une version M.2 sans dissipateur, et une déclinaison au format carte PCIe qui, elle, est dotée d'un dissipateur au passage retravaillé pour gagner quelques degrés (et potentiellement un peu de performances).

L'idée d'un format M.2 pourvu d'un système de refroidissement semble intéressante, car la dissipation de chaleur est une vraie problématique pour les SSD NVMe PCIe. Il serait donc dommage que Plextor n'emprunte pas la voie qu'il avait tracé avec le M8Pe en ne proposant pas une déclinaison M.2 dotée d'un dissipateur. Rien n'est joué toutefois, et il n'est pas impossible que Plextor change son fusil d'épaules.

Côté performances, Plextor annonce des débits en lecture séquentielle qui varient entre 1,85 et 2,45 Go/s, et entre 570 Mo/s et 1 Go/s en écriture.

En mode aléatoire, il faudra se contenter de 135 000 et 80 000 IOPS en lecture et en écriture, respectivement, si vous optez pour la version 128 Go. La déclinaison 1 To atteint quant à elle les 210 000 IOPS en lecture, et 175 000 IOPS en écriture.

L'endurance dépend elle aussi de la capacité : 80 TBW pour la version 128 Go, et jusqu'à 640 TBW pour la version 1 To.

Doté d'un contrôleur Marvell Eldora (88SS1093) et de puces TLC 15 nm de chez Toshiba, ce SSD est garanti 3 ans. Il devrait être disponible courant juin, pour un prix encore inconnu.

Le contrôleur Phison PS5008-E8 arrive

Publié le 09/01/2017 à 16:15 par Frédéric Cuvelier / source: The SSD Review

Annoncé au Flash Memory Summit de l'an dernier, le prochain contrôleur Phison commence à apparaître dans certains SSD.

Le PS5008-E8 opère deux lignes PCIe Gen3 via une interface NVme et se veut complémentaire par rapport au E7, que l'on trouve par exemple dans le SSD PNY évoqué la semaine dernière.

Comme prévu, il commence à équiper certains SSD qui visent le grand public. La plupart des SSD NVMe représentent une vitrine pour leurs constructeurs, qui les bardent généralement des meilleures technologies, les rendant souvent inaccessibles à de trop nombreux consommateurs.

Ainsi, même dans sa version 1 To, le prix au gigaoctet du Samsung 960 Evo reste de l'ordre de 50 centimes, là où celui d'un SSD plus classique fleurte actuellement avec les 30 centimes, voire moins.

Phison a donc décidé de développer un contrôleur d'entrée de gamme (qui prend tout de même en charge l'AES-256 et dispose d'un nouvel algorithme de corretions d'erreur baptisé StrongECC), afin de faire baisser les prix et d'attirer le plus grand nombre.

Évidemment, cela ne se fait pas sans sacrifice et le PS5008-E8 n'est pas le contrôleur le plus rapide du moment. Limité à 1,6 Go/s en lecture, il atteint tout de même 1,3 Go/s en écriture. Des débits qui peuvent se voir améliorer par des procédés de mise en cache comme le TurboWrite de Samsung.

En mode aléatoire, ses quatre canaux lui permettent de gérer jusqu'à 240 000 et 220 000 IOPS,respectivement en lecture et en écriture.

Prévu pour fonctionner avec de la NAND classique ou les plus récentes puces 3D, ce contrôleur prend également en charge la TLC.

On peut donc tout à fait imaginer des SSD équipés de NAND 3D TLC et de ce contrôleur Phison qui serait à la fois bien plus performants que les modèles SATA actuels, sans être beaucoup plus onéreux.

La marque KFA²/Galax a d'ailleurs récemment montré un SSD doté de ce contrôleur et de mémoire flash 3D  (en MLC).

Ce contrôleur Phison devrait être disponible pour les constructeurs dans le courant du mois de mars. Une version sans DRAM (PS5008-E8T) est également attendue.

Des détails sur le 7nm à l'ISSCC 2017

Publié le 15/11/2016 à 16:29 par Guillaume Louel

La conférence ISSCC (International Solid-State Circuits Conference) se tiendra pour son édition 2017 du 5 au 9 février à San Francisco, et nos confrères d'EEtimes  ont eu accès à l'avant programme.

Comme tous les ans les acteurs du milieu des semi conducteurs y présenterons leurs nouveautés, et l'on notera que TSMC et Samsung présenterons leurs cellules SRAM (utilisées notamment pour la mémoire cache dans les puces). L'année dernière, Samsung avait proposé deux versions distinctes pour son process 10nm, optimisées pour la densité ou les performances, de 0.040 µm² et 0.049 µm².

D'après nos confrères, TSMC présentera une cellule SRAM 7nm de seulement 0.027µm², tandis que Samsung présentera une cellule SRAM 7nm de 0.030µm², mais fabriquée en EUV. D'après Samsung, l'EUV permettrait de diminuer la tension minimale nécessaire de 39.9mV (TSMC indique aussi des optimisations basse tension, on attendra la conférence pour comparer l'impact ou non de l'EUV).

La SRAM est un composant fondamental des puces et sa taille permet en général de se donner une bonne idée des process. Cependant il faut être assez méfiant, les constructeurs annonçant parfois des "records" de densité qu'ils n'utilisent pas forcément en production. Nous avons rapporté dans le tableau ci dessous les chiffres les plus bas (correspondant aux bibliothèques "hautes densité") pour TSMC, Samsung et Intel :

Par rapport au tableau, on notera qu'Intel n'utilise pas cette SRAM haute densité dans ses processeurs, mais de la SRAM 0.059 µm². Même en prenant cela en compte, Intel garde la meilleure densité à 16/14nm pour la SRAM. Le constructeur ne fournit pas encore d'infos sur ses futurs process.

TSMC n'a pas donné non plus de chiffre exact pour son 10nm, estimant simplement 50% de réduction par rapport à son 16nm sur la SRAM, ce qui nous vaut un chiffre entre parenthèses. Selon toutes vraisemblances, et conformément aux autres annonces sur la densité (2.1x d'après le constructeur), on estimera que TSMC devrait avoir une SRAM d'une taille légèrement inférieure à celle de Samsung.

Intel ne devrait pas effectuer d'annonce sur ce sujet lors de l'ISSCC, ce qui est assez dommage. Le constructeur devrait présenter les FPGA Altera Stratix 10 (14nm) tandis qu'AMD proposera une présentation plus en détails de Zen.

On notera aussi que Western Digital/Toshiba, ainsi que Samsung, présenterons des puces 3D NAND 512 Gbit TLC 64 couches. Dans le cas de Samsung, cette puce avait été annoncée cet été, plus de détails techniques devraient être disponibles. Pour Western Digital/Toshiba, cette puce avait été évoquée cet été comme objectif.

On notera que nos confrères pointent à raison un grand absent : une fois de plus, ni Intel, ni Micron, n'effectueront de présentation technique de leur mémoire 3D Xpoint !

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