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Bonne nouvelle pour les possesseurs de SSD 840 ! Après avoir corrigé le bug de performances des 840 EVO qui pour rappel entrainait une chute des performances en lecture, Samsung avait tout d'abord nié que ce problème concernait également ses séries 840 « classiques » (des SSD équipés de TLC tout comme les 840 EVO) alors que de nombreux rapports d'utilisateurs indiquaient le contraire.

Changement de ton aujourd'hui puisque le constructeur a confirmé à nos collègues de ComputerBase  avoir identifié également un problème de performances en lecture sur le 840. Le constructeur indique travailler sur un correctif et espère proposer une solution le plus rapidement possible. La marque confirme également que ses modèles 840 Pro et 850 Pro - parce qu'ils utilisent des technologies différentes - ne sont pas concernés.

Lors de l'annonce de l'Ultra II de Sandisk, nous avions été surpris de voir que Sandisk se contentait d'afficher des débits maximum de 550 Mo /s en lecture et 500 Mo /s en écriture quelle que soit la capacité.

Derrière ce débit se cache en fait une méthode similaire à celle déjà utilisée par Samsung sur ses 840 EVO qui disposent également de TLC, c'est-à-dire qu'une partie de la Flash TLC n'est pas utilisée pour stocker 3 bits par cellules (8 niveaux distincts de tension) mais comme un cache rapide sur lequel est stocké 1 bit par cellule (2 niveau, c'est plus rapide à programmer et ça use moins la cellule). Ce qui est appelé TurboWrite chez Samsung (cf. cette page) devient ici le nCache 2.0.

Alors que chez Samsung le 840 EVO intègre 3 Go de cache "SLC" sur les versions 120 et 250 Go, 6 Go sur la version 512 Go et 12 Go sur la version 1 To, chez Sandisk on est à :

- 5 Go pour la version 120 Go
- 10 Go pour la version 240 Go
- 20 Go pour la version 480 Go
- 40 Go pour la version 960 Go

Sandisk est donc nettement plus généreux, ce qui permettra de maintenir la vitesse optimale plus longtemps. Chez les deux constructeurs ceci se fait sans perte sur l'espace utilisateur disponible, on notera cependant que les cellules utilisées de cette manière auraient pu être utilisées pour les données utilisateurs… ainsi un Ultra II 120 Go aurait pu accueillir 135 Go de données au lieu de 120 Go de données + 5 Go de cache "SLC", ce qui n'aurait pas été pour déplaire à tout le monde.

Pour rappel un SSD de 120 Go intègre en général 137,4 Go / 128 Gio de Flash, mais apparemment et au contraire de Samsung Sandisk ne s'est pas contenté d'utiliser l'espace habituellement laissé en réserve puisque l'Ultra II intègre une parité avec un ratio non négligeable de 5 pour 1 destinée à protéger les données en cas de panne d'une partie de la Flash. Entre cette parité et le nCache 2.0, l'Ultra II semblent intégrer nettement plus de Flash qu'un SSD classique pour une même capacité de stockage disponible pour l'utilisateur.

Au delà du débit, Sandisk met en avant le fait que nCache 2.0 permet d'avoir une amplification en écriture moindre sur la partie de la Flash utilisée en TLC. En effet, les données qui sont réécrites en TLC depuis le nCache le sont de manière séquentiel, ce qui évite une amplification en écriture élevée même si le SSD manque d'espace Flash utilisable de manière optimale. C'est mieux que sans nCache, mais on peut se demander si ce ne serait pas encore mieux si la Flash dédiée à nCache n'était pas disponible de manière classique (5 Go de nCache = 15 Go de TLC). Autre point, si les données sont supprimées par l'utilisateur avant que le cache ne soit vidé, on évite d'écrire inutilement sur la TLC.

Mais le gros problème selon nous c'est que Sandisk ne communique jamais sur la vitesse en écriture une fois que ce cache n'a pas eu le temps d'être vidé. Samsung ne fait pas mieux sur ses fiches produits, mais à défaut on peut trouver l'information en fouillant sur son site (on passe ainsi de 410 à 140 Mo /s sur le 120 Go et de 520 à 270 Mo /s sur le 250 Go). Chez Sandisk c'est peine perdue et nos confrères d'AnandTech  on pu mesurer un débit qui passe de 400 Mo /s à 240 Mo /s environ sur l'Ultra II 240 Go !

Côté endurance, Sandisk fait également dans le flou et ne donne pas d'information sur l'Ultra II sur le volume de données pouvant être écrit de manière garantie dans la durée. Nos confrères ont observé l'évolution de l'indicateur SMART d'usure du média au fil des écritures nos confrères ont évalué que cet indicateur était programmé pour atteindre 100% après environ 500 cycles d'écritures sur la Flash. Même si ce chiffre n'est qu'indicatif c'est tout de même deux fois moins que sur 840 EVO et 6 fois moins que sur un SSD en MLC même récent, même si avec une amplification en écriture réduite à 1.2 par exemple cela permet d'atteindre les 100 To sur une version 240 Go ce qui laisse largement de quoi voir venir.

Ce sont donc deux constructeurs supplémentaires, Micron et Sandisk, qui rejoignent les rangs des constructeurs ayant à leur catalogue des SSD dont les caractéristiques en terme de débit sont gonflées par des techniques diverses, que ce soit une partie de la Flash dédiée à un "Turbo" (Samsung, Sandisk), l'intégralité de la Flash adressée en premier lieu en mode "Turbo" (OCZ, Toshiba, Micron) mais aussi la compression de données de SandForce (OCZ, Kingston, Corsair et bien d'autres). Il est vraiment dommage que les efforts des constructeurs, tout comme l'attention des consommateurs, se portent sur ces chiffres de débits en écriture tant ils sont peu important en pratique sur de petits SSD. Mais encore une fois nous ne pouvons que souhaiter que dans ces cas les caractéristiques de débit ne se limitent plus à un chiffre maximal mais à un intervalle !

Sandisk lance un nouveau SSD milieu de gamme, l'Ultra II. A l'instar de l'Extreme II, il utilise un Marvell 88SS9187 capable de gérer la mémoire sur 8 canaux, contrairement à son prédécesseur l'Ultra Plus qui utilisait un Marvell 88SS9175 gérant 4 canaux.

Mais alors que l'Extreme II comme l'Ultra Plus utilisent de la mémoire MLC 19nm, Sandisk passe cette fois à de la TLC 19nm. Pour rappel, la TLC stocke 3 bits par cellule Flash au lieu de 2 pour la MLC, ce qui correspond à 8 niveaux de tensions possible contre 4. La programmation de ce niveau de tension est plus longue, ce qui stresse plus et use plus la cellule, et l'écriture devant se faire en plusieurs passes elle est moins rapide.

Samsung a toutefois prouvé avec les Samsung 840 puis 840 EVO que l'endurance de sa TLC était tout à fait satisfaisante pour un usage classique, reste à voir s'il en sera de même pour la TLC Sandisk. Côté performances le constructeur est assez avare puisqu'il se contente d'indiquer, quelle que soit la capacité, des débits pouvant atteindre 550 Mo /s en lecture et 500 Mo /s en écriture – il ne s'agit clairement pas de débits soutenus.

En IOPS 4K aléatoire on est en lecture/écriture à 81/80K IOPS sur la version 120 Go, les versions supérieures variant de 91 à 99K en lecture pour 83K en écriture.

Le Sandisk Ultra II est garanti 3 ans et sera disponible début septembre en versions 120 et 240 Go pour 75 et 109 €, les versions 480 et 960 Go attendront pour leur part fin septembre et seront aux tarifs de 209 et 409 €.

Nos confrères de Hardware.info ont mené une expérience intéressante pour déterminer l'endurance des SSD basés sur la mémoire TLC. Pour rappel, la mémoire flash TLC est basée sur des cellules qui peuvent stocker 3 bits d'information, contrairement à la MLC qui en stocke 2 (1 pour la SLC). Une des conséquences de ce changement est que ces cellules sont moins endurantes : les puces MLC 25nm sont généralement garanties pour 3000 cycles d'écriture (on était plutôt à 5000 pour la MLC 34nm) lorsque l'on parle de 1000 cycles pour la TLC.

Comme nous l'avons vu dans notre dernier comparatif , de multiples mécanismes existent pour compenser et étendre cette longévité. Il y a bien entendu l'overprovisionning, mais aussi la qualité du contrôleur en lui même utilisé dans les SSD. Des tests pratiques réalisés sur le forum Xtremsystems  montrent qu'en pratique, on dépasse pour un disque significativement l'endurance annoncée sur les puces.

Pour réaliser ce test, Hardware.info a utilisé deux modèles 250 Go du Samsung 840. En pratique, le premier disque aura tenu l'équivalent de 2945 cycles d'écriture (707 TiB) avant d'obtenir un premier secteur réalloué, et 3187 cycles (764 tiB) avant que des données soient définitivement perdues. Les performances du second disque testé sont sensiblement identiques. Un niveau de fiabilité qui semble donc amplement satisfaisant pour un usage classique.

Vous pouvez consulter l'article de nos confrères dans son intégralité à cette adresse .

Samsung annonce avoir débuté la production en volume de puces Flash NAND de 128 Gb (soit 16 Go) avec une densité de 3 bits par cellule (MLC 3BPC ou TLC). Ces puces sont gravées en utilisant un process de "classe 10nm", sans plus de précision comme d'habitude chez Samsung. La finesse de gravure se situe plutôt dans la fourchette haute, probablement 17, 18 ou 19nm.

Ce même process est également utilisé depuis novembre dernier pour une puce 64 Gb en MLC classique, et Samsung met en avant que la TLC 128 Gb en 1xnm a une densité plus de deux fois supérieure à sa MLC 64 Gb en 21nm, que l'on retrouve entre autre sur le Samsung 840 Pro.

A terme cette puce devrait se retrouver sur le futur "Samsung 850", l'actuel Samsung 840 utilisant des puces 64 Gb TLC 21nm. Il faut noter que la production en volume de ces puces avait été annoncée en octobre 2010, alors que le Samsung 840 n'a fait son apparition qu'en octobre 2012. On peut penser que ce délai sera cette fois nettement réduit.

Toshiba est le premier à avoir annoncé la production d'une puce TLC de 16 Go, c'était en janvier 2012. Bizarrement, elle mesure 170mm² pour un process 19nm alors que celle annoncée en février 2013 pour une production au second trimestre par Micron est en 20nm et mesure 146mm². Samsung ne donne pas la taille de sa puce. A ce jour le Samsung 840 reste le seul SSD à utiliser de la mémoire TLC, les mémoires Toshiba et Micron n'ayant pas encore été utilisées à cette fin.