Samsung produit 128 Gb de Flash TLC en 1xnm

Samsung annonce avoir débuté la production en volume de puces Flash NAND de 128 Gb (soit 16 Go) avec une densité de 3 bits par cellule (MLC 3BPC ou TLC). Ces puces sont gravées en utilisant un process de "classe 10nm", sans plus de précision comme d'habitude chez Samsung. La finesse de gravure se situe plutôt dans la fourchette haute, probablement 17, 18 ou 19nm.

Ce même process est également utilisé depuis novembre dernier pour une puce 64 Gb en MLC classique, et Samsung met en avant que la TLC 128 Gb en 1xnm a une densité plus de deux fois supérieure à sa MLC 64 Gb en 21nm, que l'on retrouve entre autre sur le Samsung 840 Pro.

A terme cette puce devrait se retrouver sur le futur "Samsung 850", l'actuel Samsung 840 utilisant des puces 64 Gb TLC 21nm. Il faut noter que la production en volume de ces puces avait été annoncée en octobre 2010, alors que le Samsung 840 n'a fait son apparition qu'en octobre 2012. On peut penser que ce délai sera cette fois nettement réduit.

Toshiba est le premier à avoir annoncé la production d'une puce TLC de 16 Go, c'était en janvier 2012. Bizarrement, elle mesure 170mm² pour un process 19nm alors que celle annoncée en février 2013 pour une production au second trimestre par Micron est en 20nm et mesure 146mm². Samsung ne donne pas la taille de sa puce. A ce jour le Samsung 840 reste le seul SSD à utiliser de la mémoire TLC, les mémoires Toshiba et Micron n'ayant pas encore été utilisées à cette fin.