Les contenus liés aux tags TLC et 3D NAND

Intel a annoncé  un nouveau SSD M.2 dédié plus spécifiquement aux serveurs. Ce P3100 vient compléter la gamme lancée fin aout. Il s'agit d'un M.2 2280 (80 mm de longueur) PCIe 3.0 x4/NVMe utilisant de la NAND 3D TLC. Le contrôleur utilisé n'est pour l'instant pas mentionné par le constructeur.

Côté performances on retrouve un profil très axé sur les lectures intensives avec jusque 1800 Mo/s en lecture et seulement 175 Mo/s en écriture. Les chiffres d'IOPS montrent la même asymétrie avec 114k en lecture et 10k en écriture.

L'endurance annoncée est de 580 To pour le modèle 1 To. A titre de comparaison, Samsung annonce 800 To pour son 960 Pro 1 To. Quatre capacités sont lancées, 128, 256, 512 et 1024 Go, ces SSD sont proposés par Intel avec une garantie de 5 années.

Samsung vient d'annoncer  ses nouveaux SSD au format M.2 (2280), les 960 Pro et Evo. De nouvelles références qui viennent remplacer les 950 Pro et Evo lancés l'année dernière.

Ces SSD ont en commun une interface PCIe 3.0 sur quatre lignes et un nouveau contrôleur de Samsung, appelé Polaris. Il dispose de cinq coeurs et peut même embarquer la DRAM en mode PoP (la mémoire est superposée au contrôleur, permettant de gagner de la place sur le PCB). Il implémente notamment une nouvelle version de la technologie de cache SLC "TurboWrite" du constructeur.

On notera que Samsung a également vanté son nouvel autocollant qui intègre désormais une couche métallique de cuivre pour servir de "radiateur" et aider la dissipation !

Le 960 Pro embarque la "nouvelle" mémoire V-NAND de troisième génération... introduite l'année dernière (il faudra attendre l'année prochaine pour la Gen 4, annoncée cet été). Il s'agit de 3D NAND MLC 48 couches utilisant des dies de 32 Go.

Trois capacités sont annoncées, 512 Go, 1 To et 2 To avec des vitesses séquentielles de 3500 Mo/s en lecture et 2100 Mo/s en écriture. Côté aléatoire, sur des blocs de 4K en QD32 le modèle 512 Go atteint 330k IOPS en lecture et en écriture. Les deux autres modèles sont annoncés pour 440k en lecture et 360k en écriture.

Les prix annoncés en dollars sont de 329, 629 et 1299 pour les trois capacités, avec une garantie de 5 ans.

Les 960 Evo embarquent également de leur côté de la V-NAND troisième génération, mais cette fois ci il s'agit de 3D NAND TLC (toujours 48 couches/32 Go).

Trois capacités sont annoncées, 256 Go, 512 Go et 1 To. Les performances séquentielles sont de 3200 Mo/s en lecture. Pour ce modèle, Samsung annonce séparément les performances en écriture en mode TurboWrite (cache SLC) et en mode continu. On atteint 1500, 1800, et 1900 Mo/s lorsque l'on reste sur le cache SLC sur les trois capacités. Lorsque l'on sort du cache par contre, les performances en écriture descendent à 300, 600, et 1200 Mo/s en fonction là aussi de la capacité.

Du côté des opérations aléatoires, les modèles 256 et 512 Go sont annoncés pour 330k IOPS en lecture et écriture, et 380k/360k en lecture/écriture pour le modèle 1 To.

Les prix sont annoncés en dollars toujours, respectivement 129, 249 et 479 avec une garantie en baisse, seulement trois années comparé aux cinq proposés pour les 950 Evo. La disponibilité est annoncée pour le mois d'octobre pour toutes ces nouvelles références.

La société Taiwannaise VIA est également présente au Flash Memory Summit et y annonce sa seconde (!) génération de contrôleur pour SSD au format SATA III et NVMe.

Le VT6745 en PCIe

Deux puces sont annoncées, les VT6735 et VT6745, fonctionnant respectivement en SATA III et en PCIe Gen 3 x2 fabriqués en 40nm. Il s'agit de contrôleurs disposant de quatre canaux NAND auxquels on pourra adjoindre un cache DRAM en DDR3L ou LPDDR2/3 1066. Ces contrôleurs sont annoncés comme compatible avec des puces TLC et 3D NAND en provenance d'Intel, Micron, Toshiba, Hynix et Sandisk.

Le VT6735 en SATA III

VIA ne parle pas de performances, mais tente de se distinguer en mettant en avant sa technologie "Gear shift" qui permet de choisir dynamiquement entre divers mécanismes de correction d'erreur pour trouver le meilleur compromis entre intégrité des données et performance.

Une technologie originale qui ressemble fortement à "ShiftDesigner", une technologie présentée par PMC Sierra (une société rachetée par Microsemi en début d'année) l'année dernière durant le Flash Memory Summit 2015 et dont vous pouvez retrouver ci-dessous la présentation :

 

 

La ressemblance nous laisse supposer, même si cela n'est pas précisé, que l'implémentation utilisée par VIA est dérivée/sous licence de celle de PMC Sierra. Il faudra voir si la technologie suffira a convaincre les divers constructeurs de SSD à s'intéresser aux contrôleurs de VIA, qui rentre sur un marché assez compétitif !

Le Flash Memory Summit est l'occasion de voir les différents acteurs du marché présenter leurs dernières innovations, mais aussi leurs nouveaux produits. Chez Seagate  on a d'abord le droit à un SSD PCIe 10 Go/s, quelque chose qui avait été montré un peu plus tôt cette année lors de l'OCP Summit.

Le produit à désormais un nom, le Nytro XP7200 NVMe SSD et il s'agit comme nous le devinions a l'époque de l'assemblage de quatre SSD Nytro XM1440 M.2. Si l'on en croit nos confrères d'Anandtech  cependant, il y a une subtilité : la carte n'inclut pas de switch PCIe pour muxer les lignes, Seagate exploiterait les 16 lignes PCIe comme quatre groupes x4 indépendants. En clair, le système (pour peu que le BIOS le supporte correctement) verra quatre disques indépendants sur lesquels il faudra ajouter un RAID logiciel côté système d'exploitation.

Pour ce qui est des performances, Seagate annonce 10 Go/s en lecture et 3.6 Go/s en écriture séquentielle, et respectivement 940k et 160k IOPS en lecture/écriture aléatoires pour une consommation de 26 watts en charge. Des modèles 4 To et 8 To sont au programme et la disponibilité est attendue au quatrième trimestre.

L'autre "gros morceau" de Seagate est un SSD SAS double port d'une capacité de 60 To. Le disque est au format 3.5 pouces et il utilise de la 3D NAND TLC en provenance de chez Micron. Des ponts ONFI sont utilisés pour multiplexer les canaux vers le contrôleur, ce qui aura bien évidemment un impact sur les performances en fonction des données auxquelles on accède.

Les spécifications finales et le prix seront connus un peu plus tard, ce SSD restant une démonstration technologique. Seagate annonce cependant qu'il lancera une version de ce SSD 60 To courant 2017.