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Intel tenait hier sa conférence dédiée aux investisseurs et en a profité pour dévoiler quelques détails sur sa stratégie future, rapportés par nos confrères d'Anandtech . D'abord, dans la lignée de la stratégie Tic/Toc, le fondeur confirme qu'il proposera bel et bien des produits gravés en 14 nm pour 2014. Ce n'est pas vraiment une surprise, sachant qu'une première usine dédiée au 14 nm est déjà en chantier comme nous l'évoquions en février dernier. Ce qui l'est beaucoup plus, c'est le changement de stratégie concernant Atom : les Atom 14 nm apparaitront eux aussi en 2014 !

Intel avait déjà annoncé que le passage au 22 nm apporterait a une transition architecturale pour les cœurs Silvermont qui seront basés sur un nouveau design, probablement out of order afin d'être plus compétitifs face aux propositions d'AMD et d'ARM. Restait le décalage dans les procédés de fabrication à régler, car si les premiers Core i5 en 32nm datent de janvier 2010, les Atom 32 nm ne sont attendus que pour la fin 2011, un décalage qui s'approche des deux années. Si Silvermont reste confirmé pour 2013 (possiblement plus tôt dans l'année), Intel espère profiter de son avance technique en matière de procédés de fabrication pour améliorer la compétitivité des futurs Atom - baptisés Airmont – en developpant en parallèle son procédé de fabrication dédié aux SoC (P1273) avec celui dédié aux processeurs traditionnels (P1272).


Peu d'informations supplémentaires à relever, si ce n'est qu'Intel poussera en parallèle aux plateformes Ivy la technologie Bridge Fast Flash Standby, l'équivalent d'une mise en veille ou de la mémoire flash remplacerait la RAM traditionnelle. Une fonctionnalité qui sera probablement intégré aux pilotes Rapide Storage du constructeur. Dernier point, une évocation des performances graphiques des plateformes à venir, selon nos confrères Intel espère multiplier par 12x les performances graphiques à l'avenir (sans plus de précision s'il s'agit d'Haswell en 2013 ou Skylake en 2015 !) dans l'enveloppe 10-20 Watts qui est mise en avant comme la prochaine plateforme Notebook à laquelle le constructeur s'intéressera particulièrement. Pas de surprise là non plus, cela se rapproche en effet de l'enveloppe thermique envisagée par les futures architectures ARM qui pourraient arriver sur le marché des portables avec le lancement de Windows 8.

Sur son blog, notre confrère d'Electronics Weekly  revient sur la position de TSMC et GlobalFoundries suite à l'annonce par Intel de son introduction pour le procédé de photolithographie en 22nm de transistors Tri-Gate/FinFET.

A gauche un transistor planaire classique, à droite un transistor Tri-Gate/FinFET
L’auteur rappelle que TSMC avait annoncé en 2010  avoir développé un process 22/20nm FinFET, mais dans une optique pure de développement. TSMC avait indiqué à l’époque que la transition sur les process en production s’opérerait au-delà (16/14nm). TSMC confirme aujourd’hui  que la transition attendra comme prévu le 16/14nm, blâmant l’immaturité des outils.

Global Foundries de son côté (en concert avec la Common Platform alliance) confirme ne pas voir de nécessité aux FinFET avant d’arriver au-delà du 22/20nm. Intel disposera donc bien de l’avantage des FinFET pour au moins un node complet par rapport au reste de l’industrie. Reste à voir si le pari d’Intel - qui semble payant sur le papier en termes de performances – ne souffrira pas de l’immaturité de l’écosystème environnant sur le plan des volumes de production.

Intel et Micron viennent d’annoncer une nouvelle puce de mémoire Flash NAND MLC gravée en 20nm, confirmant ainsi leur avance technologique dans le domaine. Offrant une capacité de 8 Go, cette puce mesure 118mm², contre 167mm² pour une puce gravée en 25nm. Elle est produite par IMFT (IM Flash Technologies), la joint-venture regroupant les deux entreprises.

Cette puce mémoire 20nm offrirait les mêmes performances et la même endurance que la mémoire 25nm, et devrait donc constituer le prochain saut en terme de rapport capacité / prix du côté des SSD, sans aucune contrepartie négative. Actuellement au stade d'échantillonnage, cette puce devrait commencer à être produite en volume au cours du second semestre, période durant laquelle IMFT compte échantillonner une puce de 16 Go en 20nm.


Pour rappel, IMFT avait annoncé en février 2010 sa première puce 25nm. A l’époque sa production en volume devait débutée au second trimestre, et ce n’est que très récemment qu’on a commencé à voir débarquer des SSD l’utilisant. Il ne faut donc pas s’attendre à voir des SSD utilisant cette mémoire 20nm avant début 2012.

Intel vient d’annoncer la construction d’une nouvelle usine de fabrication de semiconducteurs. Basée à Chandler en Arizona (ou la firme dispose déjà d’usines depuis 1981, incluant une mise à jour récemment pour le 22nm), cette nouvelle fab visera la construction de processeurs 14nm. Elle devrait être opérationnelle en 2013. Si la nomenclature IRTS  définit 16nm comme appellation officielle au successeur du 22nm, Intel avait déjà dérogé à la règle en 2009 ou Mark Bohr, lors de l’IDF avait évoqué 15nm (et 16nm dans d’autres slides). TSMC en avril dernier avait évoqué 14nm, suivi par IBM en début d’année. Intel suit donc le mouvement.

Au-delà des batailles de communiqués de presse, le 14nm devrait voir l’arrivée chez Intel d’un nouveau type de transistors. Baptisés TriGate (3G) par Intel, ces transistors ne sont plus construits à plat mais dans l’espace :

L’avantage du design dans l’espace est que la gate entoure désormais le channel (l’espace entre la source et le drain) par trois côtés, réduisant les fuites de courant et améliorant aussi la dissipation d’énergie

Notons que si Intel avait évoqué précédemment que le passage au 16nm verrait l’arrivée des Tri Gate, le constructeur ne l’a pas encore confirmé. TSMC avait annoncé lui aussi l’année dernière qu’il utiliserait une technologie similaire pour son process 14 nm. Notons enfin que l’usine de Chandler utilisera des wafers de 300mm standards, l’industrie des outils tiers n’étant pas aussi pressée qu’Intel de passer au 450mm.